三维荧光与紫外光谱联合表征样品中猝灭剂赋存状态:以胡敏酸与Fe(Ⅲ)相互作用为例

利用三维荧光-紫外光谱表征了荧光猝灭剂的赋存状态,当样品体系中存在Fe(Ⅲ)的情况下,胡敏酸会发生荧光猝灭现象,而其紫外光谱基本不受影响。考察了胡敏酸荧光强度I值(Ex/Em=300 nm/510nm)和紫外吸光度A值(UV300)的变化,I/A比值越小,说明水样中猝灭剂Fe(Ⅲ)浓度越高。当胡敏酸为10,15和20 mg·L~(-1)时,根据Stern-Volmer公式I/I_0=1-f_c×K_c×[c]/(1+K_c×[c])以及拟合函数I/A=f×[k/(CFe~(3+)+c)+b],拟合得到荧光猝灭常数K_c=1.08~1.15,比例系数f_c=1.10~1.14之间,胡敏酸荧光强度值与吸光度比值(I/A)及铁离子浓度(C_(Fe~(3+))相关曲线系数f=0.83~1.19,k=587.19~612.19,c=0.87~0.92,b=-87.09~-46.36,拟合曲线相关性R~2均为0.99。Stern-Volmer公式描述了Fe(Ⅲ)对胡敏酸荧光的猝灭作用,但实际样品测定时难以获得无猝灭剂时的荧光强度I_0。基于荧光强度I_0与紫外吸光度A之间的内在联系,两者比值I/A与Fe(Ⅲ)浓度c的拟合函数亦可以反映Fe(Ⅲ)对胡敏酸荧光的影响。利用拟合公式预测城市污水厂及纳污河流样品的树脂分离富集液中铁离子浓度,与电感耦合等离子体发射光谱仪实际测量值相比,铁离子浓度较高的情况下(铁离子浓度大于0.4 mg·L~(-1)时)预测结果较好,可以判断猝灭剂的存在及相应浓度。     

GdBa_2Cu_(3-x)Fe_xO_(7-δ)超导体系结构相变及拉曼谱特征

采用固态反应法制备了GdBa2Cu3-xFexO7-δ(x=0.00-0.30)系列样品,利用X射线衍射、拉曼光谱以及电测量技术对体系的晶体结构、拉曼散射谱特征以及电输运特性进行了系统研究。结果表明,当Fe掺杂量在x=0.05-0.10区间时,体系的晶体结构发生了从正交相到四方相的转变。通过对拉曼光谱中典型振动模的指认及振动模随Fe掺杂量的变化规律,得到了拉曼谱随体系正交-四方结构相变的变化特征:对于具有正交相的x=0.00-0.05样品,拉曼谱具有五个与正交相结构相对应的特征峰;而对于具有四方相的x=0.10-0.30样品,随Fe掺杂量增加,振动模强度变弱,且典型振动模发生了不同程度的展宽或频移。电输运测量表明,随Fe掺杂量的增加,超导临界温度Tc降低,正常态电阻率增加且发生了金属-半导体相变。     

Fe2+-H2O2-RhB体系荧光猝灭法测定CAT活度

基于Fe²⁺-H₂O₂-RhB荧光猝灭体系实现过氧化氢酶(CAT)活度测定。荧光物质罗丹明B(RhB)于585 nm处有特征荧光峰,H₂O₂、Fe²⁺协同作用致其荧光猝灭,CAT是H₂O₂分解专属酶,CAT对H₂O₂的前期分解在一定程度上保留了RhB荧光。结果表明,加酶前后荧光强度变化(ΔF)与酶活度之间线性相关,线性范围为5.6×10^-5～5.6×10^-2 U/mL,其线性方程为ΔF=-3.466+1 472E(U/mL),相关系数r=0.9962,检测限为2.6×10^-5U/mL。该方法具有良好的重现性和准确性,可应用于人体血清CAT活度的快速检测。     

硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管

目前,硅基光电集成所需的各个光子学单元已经取得了巨大的突破,并且与现有的微电子工艺完全兼容:硅基光波导在     

单模光纤参数对布里渊散射阈值的影响

应用自发布里渊散射模型和受激布里渊散射模型,在1550nm通信窗口,分别对短距离和长距离普通单模光纤中的布里渊散射阈值进行了研究.对于短距离传输,分析了自发布里渊阈值增益系数与光纤数值孔径以及有效长度的依赖关系.     

基于精确模型的毫米波单片集成电路设计

介绍了毫米波单片集成电路设计中的两个关键技术，有源器件（如ＰＨＥＭＴ）等效电路模型的建立和无源元件（如微带Ｔ形结、十字结、转角等）精确电磁场模型的建立，同时介绍了毫米波单片放大器的ＣＡＤ设计过程。     

分形维数的多尺度形态估计与目标提取

本文研究了Minkowrki－Bouligand维数估计的数学形态学方法实现，给出了一种基于多尺度灰度形态运算的图像维数估计算法。将分形特征用于目标的检测，提出了一种具有较好稳健性的基于多分辨率分形特征的目标提取方法。     

基于RIA实验演示系统的设计与实现

对实验演示系统的系统架构、系统设计、体系结构进行了论述,创新性的采用RIA技术作为系统的表现层.论述了RIA技术的特点及优势,系统架构采用浏览器/服务器结构,系统设计中分析了系统模块的组成、系统安全性等.在体系结构中论述了系统的分层设计以及数据交换的方式.通过系统的实际使用,提高了学生自主学习能力,减少了教师的工作量,对数字化教学方法改革做了关键的一步.     

Au点阵模板控制生长ZnO堆垒单晶棒

采用磁控溅射技术在Si(111)衬底上溅射Au薄膜,900℃退火生成Au点阵模板,在Au点阵模板上溅射ZnO薄膜,O2气氛下1 000℃退火制备了ZnO堆垒单晶棒。研究了不同直径Au点阵模板对ZnO单晶棒结构性能的影响。采用扫描电镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)对样品结构形貌进行了分析。结果表明,生成有序排列的ZnO棒均由诸多六方纤锌矿单晶堆垒而成,较小Au点阵生成单晶棒的直径约为100nm。室温光致发光PL谱表明在376nm出现一个较强近紫外发射,在488nm附近出现一个较宽的深能级绿光发射,说明所制备样品具有良好的发光特性。     

无功补偿在10kV线路中的应用

目前，国内大量应用的10kV配电线路无功补偿装置多数是整组人工投切方式，这类装置只能做到高负荷时投入、低负荷时切除。它们不能随着负荷的变化以及对无功功率的需求及时自动进行相应的调整，更不能实现电压无功补偿综合自动调节。鉴于此，本文对无功补偿在10kV线路中的应用进行了探讨。