新型电子功能材料—金刚石膜及其应用

金刚石材料具有其它半导体材料不可比拟的许多优点，作为一种新型电子功能材料，有广泛应用前景。文内介绍了剖分应用实例，今后有待解决的问题及其研究动向。     

新型电流型PWM芯片UC3828及其典型应用

ＵＣ３８２８是美国ＵＮＩＴＲＯＤＥ公司新推出的电流型ＰＷＭ控制芯片。与其前身ＵＣ３８４２相比，ＵＣ３８２８增加了精确的可予设最大占空比限制功能，具有电流检测波形上升沿消隐功能，增加了一个使能端，驱动输出与芯片工作电源分离。     

Si(111)衬底GaN薄膜的制备与特性

用溅射后退火反应法在Si(111)衬底上制备的高质量GaN薄膜. XRD, XPS, SEM和PL测量结果表明该方法制备的GaN是六角纤锌矿结构的多晶. GaN的最大晶粒尺寸约为100 nm. 在354 nm处发现强室温光致发光峰, 带隙相对于体GaN发生了轻微蓝移.     

高密存储介质磁性纳米颗粒薄膜与纳米超晶格结构研究进展(英文)

钴基合金和铁基合金磁性纳米颗粒薄膜和纳米超晶格结构,由于具有较高的矫顽力和各向异性能,较小的粒子尺寸分布和能形成“单域”结构等特性,从而成为颇有潜力的高密存储介质。最近几年,人们竞相研究其制备方法,其中主要包括真空淀积法、液相化学合成法和离子注入法等,采用各种措施来提高存储介质的热稳定性和其他磁学性能,并取得巨大进展。     

溅射后退火反应法制备GaN薄膜的结构与发光性质

报道了用溅射后退火反应法在 Ga As (110 )衬底上制备 Ga N薄膜 .XRD、XPS、TEM测量结果表明该方法制备的 Ga N是沿 c轴方向生长的六角纤锌矿结构的多晶薄膜 .PL测量结果发现了位于 36 8nm处的室温光致发光峰.     

ONT传输会聚(TC)层上行组帧中基于IP核的ATM信元存储方案及其FPGA实现

IP核可重用设计方法是未来大规模集成电路的主流设计方法。本文论述了在设计光网络终端ONT传输会聚(TC)层上行组帧中,一种将IP核模块与VHDL语言描述相结合的ATM信元存储方案,并用FPGA予以实现,得出IP核设计方法的优越性。     

LD泵浦Nd:YVO_4/Cr:YAG激光器的被动调Q锁模

报道了实验中发现的可饱和吸收被动调Q晶体Cr:YAG的调Q锁模现象,在插入不同透过率的Cr:YAG片以及注入不同的泵浦电流时,得到了不同的调Q锁模输出波形,并对这一现象作了初步的讨论,总结出一些规律。     

印度卫星服务业及政策法规

市场与政策法规概述本文考察了印度卫星转发器容量的供求现状,以及这一状况如何受到印度现有政策法规环境的影响,其现有相关政策法规要求印度国内服务提供商(即从印度上行并在印度有确定的覆盖区)使用印度本国的Insat卫星。同时,印度政府部门也受到各种新的压力,要求对来自印度     

LD泵浦Nd:YVO4/LBO临界相位匹配腔内倍频瓦级绿光激光器

报道了一种光纤耦合LD泵浦Nd:YVO₄晶体、腔内Ⅰ类临界相位匹配(角度匹配)LBO倍频、瓦级输出的全固态绿光激光器的设计方法和实验结果.采用短三镜折叠腔结构,通过对热透镜焦距的估算及计算机优化设计选取合适的谐振腔参量,在8 W的泵浦功率下,获得了1.6 W绿光基模输出,光-光转换效率达20%.经测量,绿光的偏振比超过400:1,4 h功率稳定度为±1.6%.     

Si基氨化ZnO／Ga2O3薄膜制备GaN纳米线

利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上溅射ZnO中间层和Ga2O3薄膜，然后在管式炉中常压下通氨气对ZnO/Ga2O3薄膜进行氨化，高温下ZnO层在氨气气氛中挥发，而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米线．X射线衍射测量结果表明利用该方法制备的GaN纳米线具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构．利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、傅里叶红外透射谱、能量弥散谱及选区电子衍射观测并分析了样品的形貌、成分和晶格结构．研究发现ZnO层的挥发有利于Ga2O3和NH3反应合成GaN纳米线．