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为了寻找一种有效而又可靠的吸杂技术,研究了一种采用HCl氧化的三步预热处理工艺方法。在这种方法中,氧化引起的体内堆垛层错起看吸杂中心的作用。利用HCl本征吸杂,可以完全去除外延堆垛层错,降低高速双极器件的结漏失效。本文提出的HCl本征吸杂技术应用在MOS图象传感器和动态RAM中,可以改善它们的产品性能。 相似文献
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除了一些可靠性极高的器件以外,目前大多数集成电路正在采用环氧树脂封装。改善封装模塑化合物的防湿性、热应力和热冲击容限、减小由α粒子引起的软误差以及可塑性等的工作正在取得明显的进展。 相似文献
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台湾的IC工业从7μm开始经过20年的发展，进入了深亚微米技术水平。从生产到研究进入世界IC列强第4位。本文介绍了台湾IC的发展优势、工业状况以及科技工业园的建设。 相似文献
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硅片洗涤在当今的集成电路生产技术中是非常重要的一个环节。但是,要想有效地使用硅片洗涤机,就必须掌握洗涤的基础知识以及市售洗涤装置之间的不同之处。 相似文献
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高纯水——在电子工业中常定标为18兆欧——早已成为制作集成电路及类似的单片器件的主要材料之一。现在,几何尺寸变得更小的更高水平集成要求更严格控制工艺水中的微粒物质。为了最经济地生产这种高纯水,每一个特殊的应用需要一个适当的系统设计,该设计不但考虑到源水正常下的水质,而且还注意到它的暂时性的变化。 相似文献
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主要讨论了SOI集成技术及其发展前景,介绍了SOI技术在VLSI应用方面的优越性以及 在微电子领域中的广泛应用。 相似文献
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本文描述双极-MOS(BiMOS)功率半导体器件的基本结构和特性。重点介绍新型电力电子器件IGBT和MCT。并对双极晶体管、VDMOS和IGBT的性能进行了比较。 相似文献