世纪之交我国半导体工业的现状和发展趋势

叙述了我国半导体工业的现状和发展趋势，并指出了我国半导体工业面临的机遇和任务。     

硅集成电路在军事电子装备中的应用

本首先概述硅集成电路在军事电子装备中的地位和作用，然后比较详细地介绍这种电路在通信、雷达、战略武器和战术武器中的应用。     

高密度离子注入互补金属氧化物半导体工艺

引言现有的休斯飞机公司的互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺具有良好的低功率性能和生产大规模集成电路的能力。然而,与p型MOS芯片相比,现有的CMOS芯片的器件密度十分低。这就限制了电路的尺寸。但此电路能经济地用CMOS LSI加以补偿。目前,CMOS芯片的低器件密度主要是由于在芯片的一个区域内所有的n沟晶体管都制作在同一个区内,而所有的p沟晶体管全制作在芯片的其余区域内。因此,大     

VLSI制造对沾污监控的新要求

沾污监控的作用必须作为生产成品率和利润率中的一个重要因素来对待。半导体工业已进入VLSI生产时期,随之便提出了一些新的要求和一些重大的制作问题。五年前,光刻,干法腐蚀,离子注入,金属化和氧化等工艺曾是主要的技术问题。现在,来自生产设施本身、工厂的工作人员、加工设备和工厂中使用的所有材料的沾污是生产环境中人们关心的主要问题。目前,对于支持一些新改进的生产方法和概念来说已具备了一些行之有效的沾污检测和控制的方法,有的方法还正处于研究之中。对于生产中的监控技术和过滤技术必须予以重视。半导体生产厂家对于净化间、工作服、加工设备和材料提出的一些颗粒规范对于满足1990年甚低缺陷密度的产品要求将起着非常重要的作用。     

溅射碳化硅薄膜的热氧化

本文报导了碳化硅膜的物理性质和氧化性能。这些薄膜用一个化学计算比例的合成靶射频溅射在热氧化硅衬底上。经1100℃氢退火以后,碳膜的折射率很接近于2.65的体值。用卢瑟福背散射光谱测定法,二次离子质谱测定法和X射线衍射技术研究了膜结构和合成性能。这些膜在900°～1100℃下,用湿氧和干氧进行氧化,其时间有的长达16小时。依据温度的高低及时间的长短,碳化硅膜的氧化速率大约比单晶硅(100)的低2～11倍。碳膜上长出的氧化层经测定是氧化硅。经计算,湿氧和干氧氧化的平均激活能分别为50和43.5千卡/克分子。研究了用CF_4/O_2和NF_3等离子体制碳化硅薄膜图形。分析了在SiC/SiO_2/Si结构的场氧产生的“鸟咀”剖面。     

CMOS8085微处理机系列的抗辐照设计原理

用抗辐照体硅栅CMOS电路设计成微处理机系列。系列的三个主要产品是英特尔NMOS器件的逻辑模拟:SA3000-通用8位中央处理机(CPU)(Intel 8085A);SA3001-具有两个8位I/O接口,一个6位I/O接口和一个计时器(Intel 8155/56)的256×8位静态RAM;SA3002-有两个8位I/O接口(Intel 8355)的2×8位ROM。本文叙述实现全静、全补偿CMOS器件的设计原理及方法学,其结果能经受1兆拉德以上的辐照总剂量。这些设计是无闩锁的,采用3微米栅长工艺制作在外延衬底上。为了达到这一水平的辐照容限,必须测量该工艺的辐照特性,并且整个设计都应适应辐照效应。     

美国得克萨斯仪器公司生产的的高速有效的TTL逻辑阵列系列

据美刊《电子设计》1983年31卷第5期报道,美国得克萨斯公司生产的高速有效的TTL逻辑阵列系列性能如下:┏━━━━━━┳━━━━━━┳━━━━━━┳━━━━━━━┳━━━━━━┳━━━━━━┳━━━━━━━┓┃ 阵 列 ┃ 有效门 ┃ 工 艺 ┃ 门延迟 ┃ 门功率 ┃ I/0信号 ┃ 民用/军用 ┃┣━━━━━━╋━━━━━━╋━━━━━━╋━━━━━━━╋━━━━━━╋━━━━━━╋━━━━━━━┫┃ TAL002 ┃ 280 ┃ LPS ┃ 5.0ns ┃ 1.25mW ┃ 29 ┃ 民用 ┃┃ TAL 004 ┃ 400 ┃ LPS ┃ 5.0ns ┃ 1.25mW ┃ 42 ┃ 民用…