21世纪初的IC形势——未来Fab及其投资,效益分析

本文介绍了微环境的研究概况。对微环境新Ｆａｂ的投资及成本－效益进行了分析。例举了新Ｆａｂ的结构设计方案，在全球新Ｆａｂ投资方面，重点介绍了欧洲及日本对新Ｆａｂ投资发展的动向。     

一种制作动态RAM的先进技术

得克萨斯仪器公司采用的按比例MOS(SMOS)工艺是一种先进的双层多晶硅技术,几何尺寸小达2.5微米。到目前为止,许多加工步骤的简化使该工艺成为半导体工业中最简单的制造方法之一。制作TMS4416才需要9次掩蔽,其中包括预防划伤的保护性涂层和二步接触加工方法的掩蔽。 其它的存贮器制造厂商或用存贮单元下的注入技术或提高单元面积来谋取足够的信号-噪声比,但是,SMOS工艺却     

1424研究所召开80年度第一次科研成果鉴定会

四机部1424所于1980年6月25日～29日召开了本年度第一次科研成果鉴定会。 出席会议的有部、院、省、地领导部门,研究单位,大专院校及工厂等137个单位,与会代表277名。 提交这次会议进行鉴定的定型项目有大规模集成电路、CCD集成电路、超高     

军事应用中的微组装技术

现代电子技术的飞速发展，要求新一代电子产品朝着微型化、轻型化、多功能、高集成、高可靠方向发展。因此，当前电子厂家都追求高密度封装来满足较小较轻和较高功能产品的要求，从而越来越多地把注意力集中到第五代组装技术－微电子组装技术（ＭＰＴ），简称为微组装技术。本文首先阐述发展微组装技术的必要性，然后着重论述了微组装的设计、片式元器件及其基础材料的加工、多层基板、表面安装和微型焊接、检测和可靠性五大基本技术     

迎接0.25μm生产的曙光

半导体工业的发展速度比预测的更快，到1997年末0．5μm的工艺技术可进入生产阶段，1999年达到0．18μm的生产水平。第一个4GbDRAM在二月份展现。1997年底将出现最新修订的发展里程。1997年将有50个新Fab处在建造和安装阶段。300mm硅圆片生产技术很快实现。     

高α抗扰性256K位DRAM

262,144字×1位动态随机存取存贮器构成的系列,应用日立公司最新的2μm工艺制作。有2种型号的256K位DRAM。一种是常规的高速页面型DRAM。另一种具有一种新功能,即半字节型DRAM。半字节型DRAM可进行高速4位串行读/写操作。应用高存贮单元容量,金属折迭位线结构以及全Vcc存贮电路,可得到高α抗扰性。用冗余技术提高成品率。     

硅工艺的未来

更小的几何图形在集成电路中的应用促进了硅工艺的发展。这些微小的几何图形使芯片集成密度得到提高。同时,使复杂的大规摸集成电路的成本降低。我们正在迅速地逼近可见光或紫外光的硅工艺技术极限。电子束和 X 射线技术在高密度电路中越来越显得格外重要。本文讨论了亚微米工艺的重要性。探索了未来的发展速度,并研究一般亚微米流程。