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191.
概述了全层IVH构造基板“ALIVH”的最新开发动向,它们是母板用途的ALIVH—G和ALIVH—C,半导体封装用途的ALIVH-BG和超薄型ALIVH—F。  相似文献   
192.
文章概述了嵌入元件PCB技术的开发背景和技术动向以及EOMIN的关键技术和特征。  相似文献   
193.
概述了韩国CST公司概况和FPC的制造工程,以及韩国FPC的技术动向。  相似文献   
194.
概述了从TAB带到COF带的转换,大型LCD用的COF带的微细线路形成技术和高可靠性技术以及COF带制造技术的未来。  相似文献   
195.
概述了无氰型化学镀厚金工艺的开发,以及从开发镀Au液中获得的镀Au层的性能评估和用途。  相似文献   
196.
概述了印制电子的关键技术、印制技术、安装技术和全世界的开发动向以及未来的印制电子。  相似文献   
197.
概述了SiP协调设计和PI解析:(1)3维安装的问题,(2)协调工程。  相似文献   
198.
电镀液组成的变化显著地影响到细线图形的半导体和PCB,因而提出了工艺控制技术的高要求,监控PCB制造中电镀添加剂的老标准将会满足这些高要求的新的生命力。  相似文献   
199.
概述了应用热可塑性树脂和一次性多层层压的多层板ALAP基板的制造工艺。该工艺包括(1)采用高尺寸精度的单面覆铜箔热可塑性树脂片;(2)形成图形以后激光钻孔:(3)填充金属胶;(4)叠层和位置重合以后一次性层压。通过层压时的金属烧结和扩散接合,实现了层间连接和多层粘结。PALAP基板适用于利用热可塑树脂特性的高频制品或者利用堆积导通孔的多针封装,可以缩短交货期和实现材料再循环。  相似文献   
200.
在Ag导电胶上化学镀铜工艺   总被引:1,自引:0,他引:1  
概述了由Ag导电胶形成的Ag导电膜上的化学镀铜工艺,其特征在于采用新的活化工艺取代传统的Pd催化剂,可以在Ag导电膜上形成均匀致密,无镀层扩展和优良附着性的化学镀铜层,特别适用于印制板的Ag导电胶上选择性化学镀铜。  相似文献   
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