SiP协调设计与PI解析(2)

概述了SiP协调设计和PI解析:(3)芯片的安装,(4)互连板。     

倒芯片互连用的高密度积层封装基板——DSOL技术

概述了NEC开发的新型高密度封装用积层基板技术:DSOL,它以高解像度的勿系树脂为绝缘层,形成高膜厚/孔径比的微细导通孔,采用溅射薄膜和半家成镀工艺形成微细铜导体,适用于多针数区域阵列倒芯片封装用基板。     

采用玻璃布基半固化片的积层板加工技术

该文概述了采用玻璃布基半固化片的积层板制造技术,适宜于制造表面平滑、高刚性、高可靠性和薄化的高多层积层板。     

光致抗蚀剂电沉积技术

对制造细线图形印制板使用的新的光致抗蚀剂电沉积技术的原理、电极反应、工艺过程及其使用装置进行了论述,可适用于大量生产5线/2.54mm的细线印制板。     

屏蔽挠性印制电路（FPC）

概述了高频电路或者传送电路中电磁屏蔽材料和方法的开发和设计,可以维持FPC最大特征的柔软性,提供优良的电磁屏蔽效果。     

FPC的新用途和材料技术

概述了FPC的新用途,包括铜箔、基膜、粘结剂、保护层等的FPC材料技术和FPC制造技术。     

采用电镀铜充填盲导通孔工艺

概述了采用电镀铜充填盲导通孔的积层板制造工艺,可以在短时间内完全填充盲导通孔内部,不含残留空隙, 可以获得高导电性和高可靠性的填充盲导通孔。     

新型埋入电容材料

1 前言 20世纪90年代中期以来,3M公司一直致力于埋入电容材料的研制。这次研究工作包括了DARPA程序(Planar Capacitor Layer for Mixed Signal MCMS;Contract No.N66001-96-C-8613)与电源去耦(power supply decoupling)用的埋入电容(NCMS Embedded Distributive Capacitance Project)和埋入无源(NCMS/NIST APT Advanced Passives Technology Consortiam)的合作成员。     

印制板上形成凸块的倒芯片安装技术

该文概述了在印制板(PWB)上形成倒芯片安装用的凸块的方法和工艺条件,并进行可靠性试验和评价,确认了Boss B~2it 技术可以实现低成本倒芯片安装。     

化学镀Ni-P/置换镀金工艺

概述了化学镀Ni—P/置换镀Au工艺,可以在PCB等电子部品上获得以Au线焊接为目的的附着性优良的0.3—0.5μm厚的Au镀层。