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901.
严捷  李经建  张波  蔡生民 《物理化学学报》2001,17(12):1126-1128
在不加任何电子转移促进剂的条件下,用循环伏安法(CV)和微分脉冲伏安法(DPV)观察到细胞色素C551在ITO导电玻璃上的直接电化学行为.结果显示电极反应过程为准可逆性质,计算得到细胞色素C551的扩散系数、式电位和异相电子转移标准速率常数,并对其在ITO导电玻璃电极上的电子转移机制进行了初步分析.  相似文献   
902.
顶空气相色谱法快速测定浓缩菠萝汁中乙烯利的残留量   总被引:21,自引:1,他引:20  
储晓刚  雍炜  蔡慧霞  潘健伟 《色谱》2001,19(3):286-288
 利用乙烯利在碱性水溶液中受热能够快速分解成乙烯的特性 ,在样品中加适量的浓碱液 ,并在 70℃的条件下恒温加热。在选定的气相色谱条件下用顶空进样器抽取样品瓶中的上层气体 1mL进行气相色谱分析 ,以外标法定量。该方法的检测限达到 0 0 2 5mg/kg ,回收率为 92 %~ 98% ,相对标准偏差为 3 99%~ 7 94%。  相似文献   
903.
双羟基复合金属氧化物的晶面生长选择性及晶粒尺寸控制   总被引:6,自引:0,他引:6  
采用成核/晶化隔离法合成镁铝双羟基复合金属氧化物(LDH),考察了晶化温度及晶化时间对晶体结构,晶面生长选择性及晶粒尺寸的影响规律。结果发现晶化温度相同时,随晶化时间延长,LDH的晶体结构趋于完整,晶粒尺寸增大;晶化时间相同时,随晶化温度升高,晶体结构趋于完整,晶粒尺寸显著增大,实验条件下得到的LDH,其沿a轴方向的尺寸均大于沿c轴方向的尺寸,即共沿a轴方向的生长速率比沿c轴方向的生长速度快,亦即[110]晶面的生长速率比[003]晶面的生长速率快。根据LDH晶粒尺寸随晶化时间及晶化温度的变化规律,选择合适的晶化条件,制备得到了粒径分布窄的纳米LDH。  相似文献   
904.
纳米级SiO2填充PVC/CPE复合材料研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
80年代以后发展起来的纳米材料被称为"21世纪最有前途的材料",已成为材料学中跨世纪的研究热点[1].纳米级无机粒子/聚合物复合材料是纳米材料中的一种具有重要价值的新型材料,可广泛应用于橡胶、塑料、纤维三大合成材料之中[2].其中,纳米级SiO2是纳米材料中的重要一员,它被称作跨世纪的高科技材料[3].因此, 本文就纳米级SiO2填充PVC/CPE复合材料进行探讨.  相似文献   
905.
氨基膦酸树脂对镱的吸附及机理   总被引:2,自引:0,他引:2  
氨基膦酸树脂 ( APAR)对镱 ( )的吸附在 p H=5 .1时最佳。静态饱和吸附容量为 2 75 mg/g千树脂 ;用 3.0~ 4.0 mol· L- 1HCl能还原洗脱。测得吸附速率常数k2 98=9.5 7× 1 0 - 6 s- 1,等温吸附服从 Freundlich经验式 ,吸附热力学函数△ H0 =1 7.6k J· mol- 1。吸附机理表明 ,APAR功能基上的 N、O与 Yb3+发生配位键合 ,配位摩尔比为 2∶ 1  相似文献   
906.
薄层扫描法测定利喉乐含片中没食子酸的含量   总被引:8,自引:0,他引:8  
应用薄层扫描法测定了利喉乐含片中没食子酸的含量。以甲苯-醋酸乙酯-甲酸(V甲苯∶V醋酸乙酯∶V甲酸=3∶5.4∶0.6)为展开剂,10g/LFeCl3显色后,用Cs-920薄层扫描仪扫描,扫描波长为520nm。没食子酸在1.24~6.20μg之间线性关系良好,该法的加样回收率为95.93%,板内精密度为2.78%,板间精密度为3.30%,为利喉乐含片的质量控制提供了一种简便而准确的含量测定方法  相似文献   
907.
采用先通过 2 ,2′ 二硫二乙醇自组装得到自组装单分子层 (SAM) ,再在SAM上共价键合和吸附固定DNA的方法制备了两类DNA修饰电极 ,并对得到的DNA修饰电极进行了电化学和谱学表征 .结果表明该方法是可行的 ,也是较为理想的在电极表面固定DNA的方法 .  相似文献   
908.
影响废水排放因素的统计分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
蔡越江.影响废水排放因素的统计分析.本文通过定量分析人口数量、能源消费、生活水平、能源水平和废水治理水平等因素对废水排放的直接和间接影响,以及这些因素之间的相互影响和相互作用,结果表明人口数量和工业生产是影响废水排放的重要因素,提高生产率和能源利用率能有效减少废水的排放  相似文献   
909.
对中立型概周期泛函微分方程,利用Liapunov泛函,在没有假设存在有界解的情形下,建立了系统解的完全稳定性定理,推广了现有的一些结果.  相似文献   
910.
在移动通信网络中,SIM主要负责移动通信网络接入鉴权认证,并承载各种行业应用,当前SIM芯片物理内存资源有限,需提升SIM内存利用率从而加载更多行业应用。首先对SIM的内存架构进行分析,将物理内存分为固定内存和剩余待分配内存。其次明确了待分配内存中DTR和RTR内存的管理原则。最后结合应用的安装、删除等管理操作,阐述了待分配内存申请占用、释放回收、内存溢出等管理原则。通过对待分配内存优化管理可提升SIM物理内存利用率,加载并运行更多的行业应用。  相似文献   
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