P(VDF-TrFE)膜悬空结构集成热释电线列研究

用聚偏氟乙烯－三氟乙烯「Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）」薄膜作１６＊１集成热释电线性阵列的敏感膜,经退火和７５ＫＶ／ｍｍ场强极化后测得其相对介电常数为１２．６,介电损耗约０．０１。为了降低热导和热容,提高探测器的探测灵敏度,用ＫＯＨ作化学腐蚀完全去除了线性阵列下方的硅衬底,形成悬空结构。     

VDF/TrFE共混物晶区相容性的热释电流研究

采用热释电流 (TSDC)技术 ,结合差热分析和X射线衍射方法 ,对由共聚物VDF(5 6) /TrFE(4 4)和VDF(77) /TrFE(2 3 )共混形成的不同摩尔比的VDF/TrFE共混物进行了研究 .发现共混物显示二个居里转变温度 ,其结晶区域由二个共聚物组分的晶区构成 ,体现出共混物中二共聚物组分的晶区是不相容的 .不同极化温度的热处理共混物的TSDC结果还证明 ,空间电荷对剩余极化有一定的稳定作用 .     

PZT/P(VDF-TrFE)7030 0-3型复合材料的非等温结晶和居里相变行为

采用DSC研究了PZT P(VDF TrFE) 70 30复合材料的非等温结晶和居里相变过程 .结果表明 ,PZT粒子对共聚物基体的结晶行为 ,包括结晶温度、结晶速率和结晶度等影响不大 ;然而共聚物的居里相变过程则受到PZT粒子的影响 ,随PZT粒子含量的增大 ,共聚物基体的居里相变热焓与熔体结晶热焓的比值减小 ,而且其中对应从顺电性的高温相 (HT)转变为铁电性的过冷相 (CL)的相变热焓含量减小 ,意味着PZT粒子的存在能够抑制共聚物铁电晶体中旁式构象缺陷的形成 ,从而提高铁电晶体的完善度     

钛酸铅/聚[偏氟乙烯(70)-三氟乙烯(30)]复合物的非线性介电性质

用自建的非线性介电测试装置研究了陶瓷相被极化 (B1 )以及陶瓷相和共聚物相都被极化 (B2 )的钛酸铅 /聚 [偏氟乙烯 ( 70 ) 三氟乙烯 ( 3 0 ) ](PT/P[VDF( 70 ) TrFE( 3 0 ) ]) 0 3型铁电复合物厚片在不同测试场强下的非线性介电系数 .对于PT含量 >0 3的复合物 ,介电系数ε1随场强的升高明显增大 .在 <0 1时 ,可用Maxwell Garnett方程拟合实验结果 .Bruggeman方程适合于低电场 ( <1MV/m)下复合物介电系数的预测 .通过Lz 的变化 ,用Yamada模型可拟合不同场强下复合物介电系数随的变化关系 .二阶非线性介电系数ε2 随的升高而增大 ,B2的ε2 大于B1 ,说明B2具有较高的剩余极化 .三阶非线性介电系数ε3 随场强的升高而减小 ,且高值的复合物具有较大的ε3 .两相都被极化试样的ε3 小于仅陶瓷相被极化的试样 .