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采用在惰性气体中蒸发的方法获得了沉积在ZnS基片上的InSb纳米晶体,其平均尺寸随惰性气体的压强增加而增大.从实验测量的室温吸收谱上看到,当纳米晶体的平均直径从27.9 nm减小到24.2nm再到21.4 nm时,其吸收边分别向高能方向移动了0.0151 eV和0.0145 eV.用有效质量近似模型计算了半导体纳米晶体的吸收边相对其体材料的移动,将理论计算与实验结果进行了比较. 相似文献
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广西科技馆科普展品设计制作缺陷之探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对广西科技馆的展品和展示工程设计制作存在的一些问题进行了初步分析,对一些具体展品的缺陷提出了若干改进意见。 相似文献
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蚀坑分析技术是从金相分析中所发展起来的一种结晶学分析技术。由于扫描电镜比光学显微镜具有大得多的焦深和高得多的分辨率,更能充分发挥蚀坑分析术进行结晶学定量分析的优点,故这种分析技术已成为一种扫描电镜的专门技术,称为扫描电镜的蚀坑分析术。在本工作选用了电弧熔炼钨的解理断口作为研究对象,这是因为在体心立方金属中,钨是最典型的脆性解理 相似文献
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