高效Nd:S-VAP激光器的特性研究

报道了激光二极管泵浦高效ＮｄＳ－ＶＡＰ激光器输出特性的研究结果。激光晶体掺钕浓度为～３％，厚度为２．６ｍｍ，基横模输出功率为２３３．０ｍＷ，斜率效率为４２．２％     

基于PZT陶瓷谐振技术的光纤相位调制器研究

分析影响了基于压电陶瓷谐振换能器的光纤相位调节的主要参数,并根据参数研制出一种满足性能要求的压电陶瓷光纤相位调制器.结果表明,光纤伸长位移量与光纤直径、压电常数、工作电压及陶瓷直径有关,与压电陶瓷的厚度无关;压电陶瓷光纤相位调制器的具有工作频率高(100 kHz以上),驱动电压低(2～3 V),电容小,介电损耗小,自滤波谐振等特点.     

溅射工艺条件对氧化钒欧姆接触特性的影响

采用反应磁控溅射并在氧氛围下进行后退火处理的方式,制备了氧化钒薄膜.尝试了在氧化钒上以不同衬底温度和溅射功率等工艺条件溅射金属薄膜电极.通过对氧化钒-金属接触的电流-电压(I-V)测试的数据进行分析拟合,研究了氧化钒薄膜表面性质和测试偏压的变化对I-V特性曲线欧姆系数的影响.结果表明在化学计量比约为VO2.15的非晶氧化钒薄膜上,溅射的金属电极随着溅射功率和测试偏压的提高,I-V特性曲线的线性度得到了逐步的改善.通过比较Ni/Cr,Ti及Al不同金属电极的接触性能,提出了合理的欧姆接触工艺条件以及电极工作电压范围.     

军用电子装备故障智能诊断与维修

论述了电子装备故障的智能诊断和维修技术,并以具体诊断设备配合理论分析,对智能诊断和维修技术进行展望.     

阴极铝箔化学腐蚀工艺研究──Ⅱ．关于阴极铝箔容量衰减问题

在３０％酒石酸铵溶液中用恒定阳极电流测定阴极箔的计时电压（Ｅ－ｔ）曲线，根据曲线转折电压Ｅ转判断表面氧化膜相对厚度，发现膜厚与电容量有很好对应关系。用ｐＨ＝２磷酸钝化液处理的箔在刚生产出来时表面氧化膜很薄，随时间增厚，容量下降幅度大。改用ｐＨ＝３．４磷酸钝化液，形成的氧化膜较厚，较稳定，容量下降得到改善。对此作了分析探讨。     

ARM NEON技术在车位识别算法中的应用

为了在车位检测系统中不使用DSP的情况下,达到实时处理和节约成本的目的,在嵌入式Linux系统中使用了CORTEX-A系列的NEON协处理器技术来优化一种车位图像检测算法的代码。在CORTEX-A8平台上使用该图像处理算法进行了大量的处理测试,图像算法处理速度得到很大提升。最后在多个平台下使用该图像处理算法进行测试对比,使用了NEON技术后其算法处理速度提升明显,能够满足实时要求。     

左手材料平板波导的传输特性

研究了无色散左手材料(LHM)作为芯层的对称三层平板波导中TE波的传输特性.研究表明,导波和表面波都可以在这种波导中传播.导波不存在TE0模式,只有TE0,TE1模式才会出现表面波.此外还发现在特定结构参数的波导中,可以存在同一阶模式的双传播模.详细分析了结构参数对这些特性的影响.     

封装中的界面热应力分析

随着电子封装集成度的不断提高,集成电路的功率容量和发热量也越来越高,封装体内就产生了越来越多的温度分布以及热应力问题。文章建立了基板-粘结层-硅芯片热应力分析有限元模型,利用有限元法分析了芯片/基板的热应力分布,封装体的几何结构参数对应力的影响,重点讨论了芯片与粘结层界面上和基板与粘结层界面上的层间应力分布     

直流磁控溅射ITO薄膜的正交试验分析

利用直流磁控溅射系统制备ITO薄膜,采用正交试验表格L32(48)安排试验.测试了薄膜的方阻和透过率,分析了8个工艺参数对薄膜电光特性的影响,其中沉积气压、氩氧流量比和退火温度的影响最大.分析得到优化工艺参数为:沉积气压2×133.322 4 mPa、氩氧流量比16∶0.5、退火温度427 ℃、靶基间距15、退火时间1 h、溅射功率300 W、退火氛围为真空、沉积温度227 ℃.在此工艺参数下制备的ITO薄膜方阻为17 Ω/□,电阻率为1.87×10-4Ω·cm,在可见光区域平均透过率为85.13%.     

基于激光点云的建筑裂缝提取方法研究

提出一种面向对象的激光点云建筑裂缝提取方法,在对激光点云进行分割的基础上,通过计算面片与水平面之间的夹角、面片面积、面片相似度等特征,依据建筑裂缝先验知识,利用面向对象的激光点云分析方法对裂缝周围面片进行识别,选取建筑裂缝数据进行实验,结果表明,该方法可对建筑裂缝进行有效提取。