Polarization Induced High A1 Composition A1GaN p-n Junction Grown on Silicon Substrates

Wide bandgap Alx Ga1-x N （x = 0.7-1） p-n junction is realized on a silicon substrate through polarization induced doping. Polarization induced positive charge field is produced by linearly grading from A1N to Al0.7Ga0.3N, and negative charge field is generated by an inverted grading from A10.7Ga0.3N to A1N. The polarization charge field induced hole density is on the order of 10^18 cm^-3 in the graded AIxGaI-xN：Be （x = 0.7-1） p-n junction. Polarization doping provides a feasible way to mass produce lll-nitride devices on silicon substrates.     

电制备巨囊泡的方法和机理探索

利用倒置显微镜研究电制备巨囊泡,并分析其形成和成长的动力学机理.由于磷脂头部的电特性,电场对水化的磷脂双层的静电力促使磷脂膜内双层之间分离.在动力学的作用下,双层两叶的不对称受力引发其弯曲、出芽、膨胀、封闭以及相互融合.结果表明,电场参数、干磷脂膜的均匀性、缓冲液以及温度等因素影响巨囊泡的粒径、形状和稳定性.     

叶片双层冷却单元的修正一维模型

本文针对单排冲击冷却和气膜冷却组成的单元结构进行了三维和一维数值研究。通过三维耦合计算分析了双层冷却单元的金属温度分布特性,提出热流比作为修正参数,并将气膜神经网络预测方法引入一维程序。结果表明,神经网络预测对于近孔区域气膜冷却预测更合理;内冷结构换热面积比较大时内外热流比是一维预测的重要参数;校验后的一维程序对单元冷却结构预测较好。     

La_(2/3)Ca_(1/3)Mn_(1-x)Fe_xO_3电磁输运性质和电子自旋共振谱的研究

用固相合成法制备了La2/3Ca1/3Mn1-xFexO3(x=0、0.1、0.2)材料,通过X射线衍射、磁化强度-温度曲线、电子自旋共振谱线,研究了Fe替代部分的Mn对La2/3Ca1/3Mn1-xFexO3电磁性质的影响.结果表明:Fe离子掺杂对晶体结构影响较小;对电磁输运性质和磁结构影响较大,体系在低温区域较宽的温度范围内显示出巨磁电阻效应;ESR的测量结果也表明Fe离子掺杂形成反铁磁的交换作用,阻塞了铁磁Mn3+-O-Mn4+双交换通道,降低了体系的铁磁性.     

磁场辅助热处理金属化碳纳米管场发射性能

利用化学镀方法对多壁碳纳米管(multi-walled carbon nanotubes,MWNTs)表面金属化镀镍(MWNTs/Ni),采用丝网印刷制备MWNTs/Ni场发射阴极,并在磁场辅助下热处理所得阴极,研究磁场辅助热处理对MWNTs/Ni阴极的场发射性能的影响,经300mT磁场辅助热处理的MWNTs/Ni的场发射阴极开启场强约为0.80V·μm~(-1),场增强因子β约为16068,对单根MWNTs/Ni在磁场中的受力情况进行建模分析,实验结果表明:磁场辅助热处理有助于提高MWNTs/Ni在阴极表面的直立分布,提高了MWNTs/Ni的场发射性能。     

铌/铝SNSPD的光耦合结构和性能表征

对铌/铝超导纳米线单光子探测器(SNSPD)的光耦合结构和性能表征进行了研究。通过溅射与剥离的方法制作了超薄铌/铝SNSPD,设计了带有激光准直器的光耦合结构和封装方法,并搭建了可靠的低温测试系统。在700m K下表征了SNSPD的直流特性,得到了单光子响应脉冲和1550nm波长下的探测效率,并研究了探测效率和暗计数率与偏置电流的关系。     

带有一般线性耗散项的p-方程组解的衰减估计

该文主要研究带有一般的线性耗散项的p-方程组Cauchy问题解的衰减性.该文采用Fourier变换的方法,利用基本解方法构造Cauchy问题的解,证明了当初始值有紧支集、耗散项系数满足一定条件时p-方程组Cauchy问题的解任意阶导数具有衰减性.该文的讨论可以推广到更加一般的2×2带耗散项的双曲型方程组的情形.     

40Gbit/s甚短距离并行光发送模块的研制

基于VCSEL激光器阵列,设计和制作了一种12信道的40 Gbit/s甚短距离并行光发送模块。模块单信道传输速率大于3.5 Gbit/s,12信道并行总传输速率高达40 Gbit/s。并行光发送模块以其高速率、高集成度以及低成本等特点,为短距离高速率并行光传输提供最具竞争力的解决方案之一。     

1616MHz微波介质滤波器的设计及制作

提出了一种利用Ansoft-HFSS软件辅助设计微波介质带通滤波器的设计方法。通过公式初步计算出器件结构参数,再利用软件建立器件模型,仿真优化,最终提取准确的结构参数,并采用传统的电子陶瓷生产工艺制备样品。结果表明,样品的中心频率为1 616.7 MHz,3 dB带宽为23 MHz,插入损耗为1.48 dB,电压驻波比小于1.23,带内纹波小于0.1 dB。测试结果与仿真结果相吻合,验证了该设计方法的可行性和正确性。