首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2378篇
  免费   348篇
  国内免费   521篇
化学   689篇
晶体学   62篇
力学   181篇
综合类   35篇
数学   174篇
物理学   619篇
无线电   1487篇
  2024年   15篇
  2023年   55篇
  2022年   61篇
  2021年   71篇
  2020年   66篇
  2019年   70篇
  2018年   60篇
  2017年   63篇
  2016年   54篇
  2015年   88篇
  2014年   186篇
  2013年   134篇
  2012年   122篇
  2011年   120篇
  2010年   107篇
  2009年   107篇
  2008年   118篇
  2007年   146篇
  2006年   129篇
  2005年   137篇
  2004年   123篇
  2003年   121篇
  2002年   79篇
  2001年   79篇
  2000年   73篇
  1999年   60篇
  1998年   76篇
  1997年   77篇
  1996年   65篇
  1995年   61篇
  1994年   65篇
  1993年   62篇
  1992年   63篇
  1991年   48篇
  1990年   42篇
  1989年   53篇
  1988年   30篇
  1987年   31篇
  1986年   17篇
  1985年   15篇
  1984年   18篇
  1983年   9篇
  1982年   17篇
  1981年   16篇
  1980年   18篇
  1979年   5篇
  1978年   4篇
  1977年   3篇
  1963年   3篇
  1957年   2篇
排序方式: 共有3247条查询结果,搜索用时 0 毫秒
11.
紫外写入光纤光栅用特种光纤的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文详细地介绍了如何加强用于制做紫外写入光纤光栅所需的特种光纤的高光敏性、温度不敏感性以及对包层模的高度抑制性等。  相似文献   
12.
彩话业务(CTS)是继彩铃业务之后电信运营商推出的又一语音增值业务,包括普通彩话业务(oCTS)和变声彩话业务(dCTS)两种.本文首先简要介绍了dCTS的概念及业务属性,然后从系统架构和业务流程两个方面介绍了基于智能网的dCTS的设计和实现方案,最后对本业务的商用前景及局限性进行了讨论.  相似文献   
13.
给出了一种判断一维光子晶体禁带位置的相位图,利用扩展相位图可方便地描述光子晶体的禁带位置和禁带特征.研究发现,当光子晶体为1/4波片层堆时,光子晶体的禁带最宽;若要进一步展宽禁带,需提高构成周期单元的两种介质的折射率比.对于一般的光子晶体,若周期单元中两种介质的光学厚度不等,则其禁带中心将偏离中心频率的整数倍.此外还研究了禁带中心区的透射率,给出了中心频率附近透射率的一级近似解析解,并由此定性讨论了Fabry-Perot腔的谱线宽度和品质因子.  相似文献   
14.
为了表征典型卫星表面材料的近红外偏振特性,基于微面元模型并综合考虑镜面散射及漫散射来描述目标表面的反射特性,引入镜面系数及漫反射率来明确两种反射对偏振度的影响,并考虑实际粗糙材料表面存在的遮蔽效应,建立一种更完善的多参量偏振双向反射分布函数模型,进而推导出适用于粗糙材料表面的光学反射偏振度表达式.对典型卫星表面材料进行近红外偏振实验,采用遗传算法从实验数据中反演卫星表面材料的多参量数值,进而得到偏振信息仿真曲线.结果 表明,该多参量偏振双向反射分布函数的仿真值与实验测试值能够较好的吻合,不同卫星表面材料的近红外偏振特性有较大分布差异.  相似文献   
15.
四、石墨乳吸光材料和导电涂料[39—43]石墨乳是 CPT 的一项重要材料。在 CPT五个部位,使用着五种不同牌号的石墨乳,详见图6、表3所示。它被涂复在玻璃的表面作为导电材料具有很大的灵活性,使用方便,连接了由阳极帽到荧光屏铝膜、荫罩及由阳极帽到电子枪上的高压通路,可以减少管内  相似文献   
16.
报道了激光二极管泵浦高效NdS-VAP激光器输出特性的研究结果。激光晶体掺钕浓度为~3%,厚度为2.6mm,基横模输出功率为233.0mW,斜率效率为42.2%  相似文献   
17.
军用电子装备故障智能诊断与维修   总被引:3,自引:0,他引:3  
论述了电子装备故障的智能诊断和维修技术,并以具体诊断设备配合理论分析,对智能诊断和维修技术进行展望.  相似文献   
18.
在30%酒石酸铵溶液中用恒定阳极电流测定阴极箔的计时电压(E-t)曲线,根据曲线转折电压E转判断表面氧化膜相对厚度,发现膜厚与电容量有很好对应关系。用pH=2磷酸钝化液处理的箔在刚生产出来时表面氧化膜很薄,随时间增厚,容量下降幅度大。改用pH=3.4磷酸钝化液,形成的氧化膜较厚,较稳定,容量下降得到改善。对此作了分析探讨。  相似文献   
19.
SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,因此高质量、大直径SiC单晶的生长一直是材料研究领域的热点课题。目前美国的Cree公司在SiC单晶生长领域研发方面起步早、投入大,SiC单晶的直径达到4英寸,处于领先地位。我国在“十五”期间投入了一定的人力、物力进行了SiC单晶生长的研究,在生长2英寸SiC单晶的工作中取得了一定的成绩[1],但更大直径的SiC单晶生长技术进展缓慢,至今未见国内报道。而对…  相似文献   
20.
6H-SiC衬底片的表面处理   总被引:1,自引:0,他引:1  
相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底.本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响.用显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、卢瑟福背散射谱表征了衬底表面.结果表明经过两步化学机械抛光后提高了表面质量.经第二步化学机械抛光后的衬底具有优异的表面形貌、高透射率和极小的损伤层,其表面粗糙度RMS是0.12nm.在该衬底上用MOCVD方法长出了高质量的GaN外延膜.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号