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随着新兴光学设备对微型化、一体化、智能化光学变焦系统的需求与日俱增,大大促进了纳米光电子学的迅猛发展。超构透镜是由具有特殊电磁属性的人造元素按照一定的排列方式组成的具有透镜功能的二维平面结构,其最大优点就是:轻薄和易于集成。然而,集成在超构透镜上的微纳结构一旦制备完成,便难以再改变其形貌或者尺寸,因而无法对其聚焦性能进行实时调控,限制了其功能及应用范围的进一步扩展。近年来,科学家们探索了实现超构透镜聚焦性能实时调控的多种途径,其中最引人注目的是将智能材料与超构透镜相结合。本文首先回顾了可调谐超构透镜的最新进展,分别详细阐述和分析了它们的调节原理和器件性能。最后,归纳分析了当前阻碍可调谐超构透镜发展的主要问题,并进一步对未来可调谐超构透镜的发展趋势做出了展望。 相似文献
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通过变磁场霍耳测量研究了MBE生长的Hg0.80Mg0.20Te薄膜在15 —250K温度范围内的输运特性.采用迁移率谱(MS)和多载流子拟合过程(MCF)相结合的方法对 实验数据进行了分析,由该方法获得的结果和Shubnikov de Hass(SdH)振荡测量的结果都证 明材料中存在二维(2D)电子和三维(3D)电子.其中2D电子主要来自于Hg1-xMgxTe-CdTe的界面积累层或Hg1-x 关键词:
变磁场霍耳测量
界面积累层
二维电子气
1-xMgxTe')" href="#">Hg1-xMgxTe 相似文献
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通过低温和强磁场下的磁输运测量研究了Al0.22Ga0.78N/GaN调制掺杂异质结构中2DEG的子带占据性质和子带输运性质.在该异质结构的磁阻振荡中观察到了双子带占据现象,并发现2DEG的总浓度随第二子带浓度的变化呈线性关系.得到了该异质结构中第二子带被2DEG占据的阈值电子浓度为7.3×1012cm-2.采用迁移率谱技术得到了不同样品的分别对应于第一和第二子带的输运迁移率.发现当样品产生应变弛豫时第一子带的电子迁移
关键词:
AlGaN/GaN异质结
二维电子气
子带占据
输运迁移率 相似文献
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Magnetointersubband Oscillations of the Two-Dimensional Electron Gas in AlxGa1-xN/GaN Heterostructures
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Shubnikov-de Haas (SdH) measurements are performed over a temperature range of 1.5-20 K in Al0.22 Ga0.78N/GaN heterostructures with two subbands occupied. In addition to an intermodulation between two sets of SdH oscillations from the first and second subbands, a beating in oscillatory magnetoresistance at 12K is observed, due to the mixing of the first subband SdH oscillations and ‘magnetointersubband‘ (MIS) oscillations. A phase shift of π between the SdH and MIS oscillations is also clearly identified. Our experimental results, i.e. that the SdH oscillations dominate at low temperature and MIS oscillations dominate at high temperature, fully comply with the expected behaviour of MIS oscillations. 相似文献
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通过低温和强磁场下的磁输运测量研究了Al0.22Ga0.78N/GaN调制掺杂异质结构中2DEG的子带占据性质和子带输运性质.在该异质结构的磁阻振荡中观察到了双子带占据现象,并发现2DEG的总浓度随第二子带浓度的变化呈线性关系.得到了该异质结构中第二子带被2DEG占据的阈值电子浓度为7.3×1012cm-2.采用迁移率谱技术得到了不同样品的分别对应于第一和第二子带的输运迁移率.发现当样品产生应变弛豫时第一子带的电子迁移率骤然下降,而且第二子带的电子迁移率远大于第一子带的电子迁移率.用电子波函数分布和应变弛豫时的失配位错散射解释了上述现象.同时进一步说明了界面粗糙散射和合金无序散射是决定AlxGa1-xN/GaN异质结构中2DEG迁移率的主要散射机理. 相似文献
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报道了MBE外延生长的GaxIn1-xAs ySb1-y四元混晶的拉曼散射谱与远红外反射谱,并从拉曼散射谱中观察到了G axIn1-xAsySb1-y四元混晶的晶格振动四模行为;从实验中还观察到低于180cm-1的若干散射峰,提出它们可能是与次近邻原子间相互作用的晶格振动模式有关;从拉曼散射谱和红外反射谱中观察到了与GaxIn1-xAs ySb1-y四元混晶多声子吸收过程的有关的现象. 相似文献