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SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,因此高质量、大直径SiC单晶的生长一直是材料研究领域的热点课题。目前美国的Cree公司在SiC单晶生长领域研发方面起步早、投入大,SiC单晶的直径达到4英寸,处于领先地位。我国在“十五”期间投入了一定的人力、物力进行了SiC单晶生长的研究,在生长2英寸SiC单晶的工作中取得了一定的成绩[1],但更大直径的SiC单晶生长技术进展缓慢,至今未见国内报道。而对… 相似文献
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6H-SiC衬底片的表面处理 总被引:1,自引:0,他引:1
相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底.本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响.用显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、卢瑟福背散射谱表征了衬底表面.结果表明经过两步化学机械抛光后提高了表面质量.经第二步化学机械抛光后的衬底具有优异的表面形貌、高透射率和极小的损伤层,其表面粗糙度RMS是0.12nm.在该衬底上用MOCVD方法长出了高质量的GaN外延膜. 相似文献
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彩色电视的发展至今已有六十多年的历史了,一直到五十年代初,由于荫罩式彩色显像管的出现才完成了由机械式向电子式扫描的过渡。1951年,美国在国内试播全电子武彩色电视获得成功。当时采用的是RCA、GE和SYLVANIA三个公司制造的三枪三束、荫罩式、圆形屏、金属锥彩色显像管,这就是彩色显像管发展的起点。从1950年到1957年间,荫罩式彩色显像管得到了巨大的发展,同时做了许多根本性的改进。其中低熔点玻璃封接技术是最重要的改进之一,它开创了全玻璃结构的彩色显像管的新时代。这种利用结晶性低熔点焊料玻璃,将两件屏、锥封接到一起的方法,经 相似文献
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自从上个世纪发明阴极射线管以来,至今已发展了十多种涂复方法。在Werner Espe的《高真空技术材料》第三卷中,列举了喷涂、旋涂、沉淀、浸涂、刷涂、洒粉(干法)、蒸发、静电沉积、印贴法等,还有新发展的涂复技术如气相沉积、溅射、等离子喷涂、化学镀 相似文献
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为满足用户在农村区域可以使用WCDMA网络的迫切需求,需在原有的GSM覆盖区域进行U900的网络的叠加覆盖,验证U900开通后对现网G900的干扰影响、话务量吸收情况以及用户感知度的影响,对U900和G900的实际覆盖范围进行对比分析,对网络运行指标的动态变化进行分析,制定科学合理的干扰、互操作等优化调整方案,并探讨其可行性。 相似文献
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