MBE InGaAs/GaAs外延层晶胞弛豫直接测量的X射线双晶衍射方法

本文采用了以解理面为衍射基面，直接测量水平弛豫的方法测量了InxGa1-xAs（衬底为GaAs，x～0．1）外延层的应变及其弛豫状态．在以解理面为衍射基面的衍射曲线上清楚地观测到了衬底峰与外延峰的分裂．表明当InGaAs层厚度较厚（～2μm）时，InGaAs外延层与衬底GaAs已处于非共格生长状态，同时发现大失配的InGaAs晶胞并没有完全弛豫恢复到自由状态．其平行于表面法线的晶格参数略大于垂直方向上的晶格参数（△a／a～10-3）．并且晶胞在弛豫过程中产生了切向应变．在考虑了切向应变的基础上准确地确定出了InGaAs层的In组分x．     

微束X射线荧光分析

用能量色散微束X射线荧光分析仪实际测量了微束准直器孔径和X射线强度对微束空间分辨率的影响,在准直器孔径为0.1mm条件下,获得以FWHM定义的空间分辨率最好为0.073mm。通过微束扫描测量出某硫化锰矿微区内的Mn、Fe、Zn、Pb的三维等高线荧光强度分布图和不同小区域内的能谱。     

全国压敏电阻器质量等级集中检测结束

全国压敏电阻器质量等级集中检测结束１９９５年全国氧化锌压敏电阻器质量等级集中检测工作已结束，三个压敏电阻器生产厂四个规格的产品参加了检测。本次检测是由安徽检验所按照电子行业标准ＳＪ／Ｔ１０３４８～１０３４９－９３及ＳＪ电子设备用浪涌抑制型压敏电阻器质...     

吊桥方程非对称周期解的存在性

在本文中,利用Jabri Y和Moussaoui M在最近的文献中得到的一个临界点定理,我们在没有对称性假设的情况下,证明了Lezer A C和McKenna P J吊桥方程周期解的存在性.     

数字电视地面传输标准DTMB浅析

本文通过对比分析,介绍了当前世界其他国家采用的数字电视地面广播传输系统标准,重点分析和介绍了我国DTMB数字电视地面广播传输系统标准的相关内容,旨在为我国数字电视地面传输标准的宣传和推广作出有益尝试。     

测量微波炉功率的简便仪器

本文描述一种可以记录置于微波炉内水负载所吸收的功率的简便仪器,该仪器是由置于酒精温度计面上已校准的滑尺组成,而温度计是嵌在低耗塑料制成的勺形物上。所纪录的典型值比国际电工委员会标准值要小10%,与隔热容器精密法相比较,可获±5%精度的读数。本仪器可用不同负载来测定有效微波瓦数,并可检测市电电压变化和磁控管温度和微波炉功率的变化的关系。这是一则简讯。     

基于单相功率／电能芯片CS5460A的发电机转子阻抗测试仪

文章介绍了以单相功率 /电能芯片CS5 46 0A为核心研制的发电机转子阻抗测试仪 ,对该测试仪的测试原理、硬件组成和软件结构进行了分析。该测试仪通过对发电机转子电压、电流、功率的测量 ,计算出其交流阻抗和功率因数 ,与历史数据进行对比 ,从而可准确判断转子绕组是否存在匝间短路故障。     

多层异质结构GaAs／AlxGa1—xAs的TEM和AES的研究

GaAs/Al_xGa_(1-x)As多层异质结构材料是微波器件、负电子束和如热光电发射体和及其器件、激光器件等新型光电子器件、光电子集成和集成线路的新型半导体材料。对GaAs/Al_xGa_(1-x)As多层异质结构材料的研究,使我们获得了这种高性能新型材料缺陷、界面和横截面的显微结构的信息。在我们的研究中,应用了TEM·AES和SIMS。从TEM的照片之一可见GaAs/Al_xGa_(1-x)As层间界面清晰(图1)。有的也存在缺陷。从AES·SIMS和EM的EDS曲线(图2)显示了这种材料表面,界面的成分分布。TEM照片和AES剖面深度曲线显示了界面的有关特性。从而可以由以上数据和信息来评价材料的有关特性,甚至材料的沉积工艺。这为器件对材料的选择和评价提供了科学的、数量化的信息。     

模拟集成电路测试平台建设

简述了模拟集成电路(IC)测试平台的概念和特点、国内外模拟IC测试平台的发展动态及差距，对模拟IC测试平台的建设与发展提出了建议。     

冻土用的微波加热装置

本专利所涉及的内容为微波加热材料用的微波加热器。将同轴传输线插进材料中,其一端与微波源耦合。同轴线的另一端盖上短路板,沿外导体开许多辐射孔,使用同轴线可避免空心波导中存在的要求最小尺寸的问题,利用同轴线内导体上的弹簧式定位接触装置,使用同轴线可直接与微波发生器的输出探针相耦合。