Polarization Induced High A1 Composition A1GaN p-n Junction Grown on Silicon Substrates

Wide bandgap Alx Ga1-x N （x = 0.7-1） p-n junction is realized on a silicon substrate through polarization induced doping. Polarization induced positive charge field is produced by linearly grading from A1N to Al0.7Ga0.3N, and negative charge field is generated by an inverted grading from A10.7Ga0.3N to A1N. The polarization charge field induced hole density is on the order of 10^18 cm^-3 in the graded AIxGaI-xN：Be （x = 0.7-1） p-n junction. Polarization doping provides a feasible way to mass produce lll-nitride devices on silicon substrates.     

叶片双层冷却单元的修正一维模型

本文针对单排冲击冷却和气膜冷却组成的单元结构进行了三维和一维数值研究。通过三维耦合计算分析了双层冷却单元的金属温度分布特性,提出热流比作为修正参数,并将气膜神经网络预测方法引入一维程序。结果表明,神经网络预测对于近孔区域气膜冷却预测更合理;内冷结构换热面积比较大时内外热流比是一维预测的重要参数;校验后的一维程序对单元冷却结构预测较好。     

La_(2/3)Ca_(1/3)Mn_(1-x)Fe_xO_3电磁输运性质和电子自旋共振谱的研究

用固相合成法制备了La2/3Ca1/3Mn1-xFexO3(x=0、0.1、0.2)材料,通过X射线衍射、磁化强度-温度曲线、电子自旋共振谱线,研究了Fe替代部分的Mn对La2/3Ca1/3Mn1-xFexO3电磁性质的影响.结果表明:Fe离子掺杂对晶体结构影响较小;对电磁输运性质和磁结构影响较大,体系在低温区域较宽的温度范围内显示出巨磁电阻效应;ESR的测量结果也表明Fe离子掺杂形成反铁磁的交换作用,阻塞了铁磁Mn3+-O-Mn4+双交换通道,降低了体系的铁磁性.     

带有一般线性耗散项的p-方程组解的衰减估计

该文主要研究带有一般的线性耗散项的p-方程组Cauchy问题解的衰减性.该文采用Fourier变换的方法,利用基本解方法构造Cauchy问题的解,证明了当初始值有紧支集、耗散项系数满足一定条件时p-方程组Cauchy问题的解任意阶导数具有衰减性.该文的讨论可以推广到更加一般的2×2带耗散项的双曲型方程组的情形.     

1616MHz微波介质滤波器的设计及制作

提出了一种利用Ansoft-HFSS软件辅助设计微波介质带通滤波器的设计方法。通过公式初步计算出器件结构参数,再利用软件建立器件模型,仿真优化,最终提取准确的结构参数,并采用传统的电子陶瓷生产工艺制备样品。结果表明,样品的中心频率为1 616.7 MHz,3 dB带宽为23 MHz,插入损耗为1.48 dB,电压驻波比小于1.23,带内纹波小于0.1 dB。测试结果与仿真结果相吻合,验证了该设计方法的可行性和正确性。     

Coldfire内核的MCU通用工业控制平台

为了解决我国中小企业高效、低成本通用控制平台的需求,设计了基于Freescale公司推出的MCF5225x系列MCU作为控制核心的工业控制板卡,采用了模块化思想,实现了以太网接口、USB接口、隔离数字量输入／输出、RS485接口。在该控制板卡的基础上,采用MQX实时操作系统平台,根据具体对象的控制要求,编写了相应的应用程序。     

GSM网络设备搬迁调整方案总结

从介绍GSM网络存在的问题（包括网络结构、设备和运维）入手,给出了GSM网络设备搬迁调整目标和原则,最后对某省搬迁调整方案进行了说明与总结,为后期该类方案的实施提供了参考。     

美军空海一体战作战行动概念及其对未来电子战的技术挑战

空海一体战是美军针对中国反进入/区域拒止(A2/AD)战略而提出的一种全新作战行动概念。在简要分析美军空海一体战作战行动概念及其可能采取的作战方案基础上,重点分析了空海一体战威胁环境的技术发展特点、未来电子战所面临的空海一体战主要威胁对象以及空海一体战对未来电子战的主要技术挑战,希冀能够为感兴趣的读者提供一定参考,以展宽未来电子战技术和装备转型发展思路。     

一种低带隙平面分子结构的聚合物合成

合成了一种给-受体型平面分子结构的低带隙共轭聚合物QP-1(聚[2,6-4,8-双十二烷氧基苯并[1,2-b;3,4-b’]二噻吩-4,7-二[2,5-噻吩]-5,6-二烷氧基-2,1,3苯并噻二唑)),研究了其热学、光物理和光伏性质。由电化学测试得到聚合物的带隙为1.79eV,最高分子占有轨道HOMO和最低分子未占轨道LUMO值分别为-5.47 eV和-3.49 eV。与富勒烯的衍生物PCBM有较为理想的能级匹配水平。使用聚合物/PC71BM共混物作为活性层构筑了本体异质结聚合物太阳能电池。光伏电池的能量转换效率为1.01%,开路电压为0.58 V,短路电流为4.25 mA/cm2,填充因子ff值为0.33。X射线粉末衍射(XRD)结果显示平面主链间的距离为0.365nm,具有较好的结晶性。