多层金属圆柱线中量子输运的表面和界面散射效应

考虑了量子尺寸效应以及来自杂质、粗糙表面和粗糙界面三方面的散射,运用量子统计的格林函数方法和久保公式,计算多层金属圆柱线中的各种散射电导率.计算结果表明,在杂质、表面和界面的弱散射极限下,系统总电导率等于各个子能级通道的电导率之和,而各子能级通道中杂质、表面和界面产生的散射率是可相加的. 关键词：     

正常金属-绝缘层-无序层-s波超导结中的微分电导与散粒噪声

考虑到无序层中的体杂质散射以及绝缘界面层的粗糙散射,运用Bogoliubov-de Genner(BdG)方程和Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论模型,计算正常金属－绝缘层－无序层－s波超导隧道结系统的微分电导,平均电流和散粒噪声功率,研究表明,无序层中的杂质散射和粗糙界面散射都能抑制系统的微分电导,平均电流和散粒噪声功率。     

量子顺电EuTiO_3材料基态磁性的第一性原理研究

EuTiO_3是钙钛矿结构的量子顺电体,实验发现其基态具有平面各向异性G类反铁磁结构,本文运用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了EuTiO_3处于量子顺电相和应力作用下处于铁电四方相时可能的自旋取向和自旋交换耦合作用,分析了自旋耦合作用的路径,探讨了应力对磁性交换路径的作用,结果发现:当体系自由时,EuTiO_3具有自旋沿[110]方向平面内单轴各向异性的G类反铁磁结构,该结构下Eu离子4f电子自旋通过处于面心位置的O 2p实现自旋反铁磁性的超交换耦合,而在外加应力诱导的铁电四方结构下,由于自旋交换路径中Eu—O—Eu键角改变,Eu 4f电子自旋实现了[110]方向的铁磁交换耦合。     

塞曼效应对正常金属/d波超导结中微分电导的影响

通过外加塞曼磁场在d波超导中,研究磁场对d波超导及其正常金属/d波超导结中隧道谱的影响。研究表明(1)塞曼磁场能使能隙变小,且随着磁场变大,超导态会变为正常态,产生一级相变;(2)塞曼磁场可导致零偏压电导峰劈裂,劈裂宽度为2h0(h0为塞曼能)。     

铁磁/铁磁/超导结中的量子干涉效应对准粒子输运的影响

通过求解Bogoliubov-deGennes方程,利用推广的Bonder-Tinklam-Klapwijk方法,计算铁磁/绝缘层/铁磁/绝缘层/超导结构中的微分电导(G)和散粒噪声(S)。研究发现系统中的微分电导和散粒噪声都随中间铁磁层厚度作两种不同周斯的振荡,其中通过增强铁磁材料中的交换劈裂和铁磁/超导界面的势垒强度,短周期分量可从长周期中分离出来,反之通过降低铁磁层中的交换劈裂和铁磁/超导界面的势垒强度,长周期分量可从短周期中分离出来,这一结果表明G和S中的两种不同周期的振荡分量分别来自入射电子与铁磁/超导界面处的Andreev反射和正常电子反射的量子干涉效应。     

磁性半导体/磁性d波超导结中的自旋极化输运

通过求解磁性d波超导中的能隙与磁交换能的自恰方程,利用推广的Blonder-Tinkham-Klapwijk 理论研究磁性半导体/磁性d波超导结中自旋极化准粒子输运系数与微分电导. 计算表明： 1) 磁性d波超导结中的磁交换能h₀可导致零偏压电导峰与能隙电导峰劈裂,劈裂的宽度为2h₀;2) 磁性半导体中的磁交换能h_FS可使零偏压电导峰劈裂的峰值变低. 而由能隙电导峰劈裂的两个子峰,当两种磁性材料的磁 关键词： 磁性半导体 磁性d波超导体 自旋极化输运     

磁性d波超导/铁磁/磁性d波超导结中的约瑟夫森效应

通过求解磁性d波超导中的能隙和磁交换能的自洽方程, 研究磁性d波超导/铁磁/磁性d波超导结中的约瑟夫森电流. 计算结果表明: 1)临界电流随中间的铁磁层厚度呈现出两种不同周期的振荡混合, 通过增强铁磁层中的磁交换能q₀和铁磁/磁性d波超导界面处的势垒强度z₀, 短周期分量可从长周期中分离出来, 反之, 通过降低q₀和z₀, 长周期分量可从短周期中分离出来; 2)在两边磁性d波超导的磁化方向取平行时, 在取一些特定的铁磁层厚度下, 磁性d波超导中的磁交换能可增强系统的临界电流. 关键词： 磁性d波超导体 铁磁体 约瑟夫森电流     

d(x2-y2)+idxy混合波正常金属/绝缘层/超导体结中的隧道谱

考虑界面粗糙散射,在Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论框架下,通过求解Bogoliubov-de-Gennes(BdG)方程,分别计算T=0K和有限温度下,d_(x²-y²)+id_xy混合波正常金属绝缘层超导体结中的准粒子输运系数和隧道谱.研究表明:隧道谱中的电导峰的劈裂程度强烈地依赖于d_xy波分量的强度、超导体的晶轴方位和界面粗糙强度,而温度的升高能压低电导峰. 关键词： NIS结 (x²-y²)+id_xy混合波超导体')" href="#">d_(x²-y²)+id_xy混合波超导体 隧道谱     

s/FI/d超导结的直流Josephson电流

在 s波超导体 /铁磁绝缘层 / d波超导体 Josephson结 (s/ FI/ d)中 ,考虑结界面铁磁绝缘层的磁散射和粗糙散射情况下 ,运用 Bd G方程和 FT的电流公式计算准粒子的输运系数及 s/ FI/ d结的直流 Josephson电流与温度 T、结两侧的相位差之间的关系。研究表明 :结界面的磁散射和粗造散射均抑制结中准粒子的 Andreev反射 ,降低了流过 s/ FI/ d结的直流 Josephson电流 ,直流Josephson电流 I随温度 T、相位差φ的变化曲线强烈地依赖于 d波超导体的晶轴方位     

铁磁-d波超导结中的粗糙界面散射和自旋反转效应对隧道谱的影响

考虑到铁磁层中的自旋极化效应、以及界面的粗糙散射和自旋反转效应,利用推广了的Blonder Tinkham Klapwijk理论模型,计算铁磁d波超导结中的自旋极化隧道谱.研究表明1)自旋反转效应能使零偏压电导峰变得尖锐;2)粗糙的界面散射除了能压低零偏压电导峰的高度,还能使零偏压凹陷处感应出一中心峰.结果能定性地解释最近的两篇关于La_2/3Ba_1/3 MnO₃/DyBa₂Cu₃O_{7关键词： 自旋极化效应 自旋反转效应 粗糙界面散射效应 隧道谱}