Cd3Al2Ge3O12:Mn2+磷光体的发光和长余辉性能

采用传统的高温固相法合成了Cd₃Al₂Ge₃O₁₂:Mn²⁺长余辉发光材料,利用X射线粉末衍射仪、荧光光谱仪、热释光谱计量仪等手段对粉末样品进行了表征。研究了以Zr⁴⁺离子作为辅助激活剂离子,对发光材料Cd₃Al₂Ge₃O₁₂:Mn²⁺余辉性能的影响。分析结果表明,样品位于500~700 nm的黄光宽带发射峰源于Mn²⁺的⁴T₁(⁴G)→⁶A₁(⁶S)跃迁发射结果。并且观察到了由Cd₃Al₂Ge₃O₁₂基质向激活剂离子Mn²⁺的能量传递。共掺杂Zr⁴⁺离子后样品发射峰位没有明显变化,但是余辉亮度衰减曲线表明适量的Zr⁴⁺离子掺杂可延长Cd₃Al₂Ge₃O₁₂:Mn²⁺的余辉时间。通过对热释光谱的分析,解释了双掺杂荧光粉余辉性能增强的原因,Zr⁴⁺的掺杂在材料中引入了深度更为合适的缺陷陷阱,可有效存储光能,增强余辉的时间和强度。     

Cd3Al2Ge3O12: Mn2+磷光体的发光和长余辉性能

采用传统的高温固相法合成了Cd₃Al₂Ge₃O₁₂: Mn²⁺长余辉发光材料, 利用X射线粉末衍射仪、荧光光谱仪、热释光谱计量仪等手段对粉末样品进行了表征。研究了以Zr⁴⁺离子作为辅助激活剂离子, 对发光材料Cd₃Al₂Ge₃O₁₂: Mn²⁺余辉性能的影响。分析结果表明, 样品位于500~700 nm的黄光宽带发射峰源于Mn²⁺的⁴T₁(⁴G)→⁶A₁(⁶S)跃迁发射结果。并且观察到了由Cd₃Al₂Ge₃O₁₂基质向激活剂离子Mn²⁺的能量传递。共掺杂Zr⁴⁺离子后样品发射峰位没有明显变化, 但是余辉亮度衰减曲线表明适量的Zr⁴⁺离子掺杂可延长Cd₃Al₂Ge₃O₁₂: Mn²⁺的余辉时间。通过对热释光谱的分析, 解释了双掺杂荧光粉余辉性能增强的原因, Zr⁴⁺的掺杂在材料中引入了深度更为合适的缺陷陷阱, 可有效存储光能, 增强余辉的时间和强度。     

有机铜作为润滑油高温抗氧剂的研究

在高档的润滑油中除了加有主抗氧剂ZnDTP外，还需加入其它助抗氧剂以弥补其高温抗氧性的不足。本研究合成了几种有机铜盐高温抗氧剂，用DTA法评价了它们及一些常用抗氧剂对润滑油的热稳定性的影响，发现铜铜盐的高温抗氧性能比一些常用抗氧剂好，可满足高档油的需求。     

Honeywell高压变频器在矿山运输机上的应用

本文通过对矿井运输机几种驱动方式的比较,得出了变频驱动的优势;结合矿山运输机对电网、驱动、控制的要求,选择了合适的10kV变频器;对单元串联多电平方案的10kV变频驱动方式在矿山运输机上的实际应用做了总结,并对该种变频器在矿山运输机上的推广使用提出了展望。     

航空遥感器姿态像移仿真分析

由于航空遥感器要求的分辨率愈来愈高,因此需要更为精确的像移补偿模型.本文针对拍照时飞机姿态角变化在遥感器像面处所引起的姿态像移,运用光线矢量与坐标系旋转相结合的方法建立遥感器姿态变化过程的数学模型.通过坐标系的旋转表示姿态的变化,根据遥感器姿态变化前后像面上各离散点的光线矢量之差,获得遥感器的姿态像移在像面上的大小与分布特征.运用该像移模型对遥感器姿态像移进行分析,提出减小姿态像移的工程措施.     

2022年物理科学一处评审工作综述

<正>2022年度国家自然科学基金评审工作已经结束,文章对物理科学一处本年度申请和资助项目情况进行了统计分析,将一年来的评审工作结果向科技界汇报。同时,对申请和资助过程中一些新政策、新动向以及碰到的一些新情况、新问题进行归纳和总结,供广大科研人员参考。物理科学一处各项工作得到科技界专家们的大力支持,在此向支持我们工作的专家们表示衷心感谢！     

FMC:基本概念、流行技术与发展策略

阐述了FMC的驱动因素和基本概念,深入剖析了当前多种FMC实施技术．介绍了这些技术的演进和彼此关东,并结合技术标准和现网应用情况,指出发展FMC应该考虑的主要问题。     

小体积长寿命宽温度铝电解电容器的结构件设计

小体积、长寿命、宽温度铝电解电容器的结构件设计是不可忽视的,作者对结构件的结构作了改进,并采取了一些措施,取得了显著效果。     

预滤波式均衡器的原理和实现

提出了一种新的均衡器——预滤波式均衡器。这种均衡器由预滤波器和白适应均衡器组成。它利用高效的相关估计算法，计算出所有多径的时延和幅度，然后使用多径拆分算法，设置预滤波器的参数，使得接收信号经过预滤波之后，畸变得到了改善，进而可由后面的自适应均衡器将残余的码间干扰完全消除。结果表明，在性能上它比传统均衡器有显著提高，可以补偿幅度为0dB的副径。     

n型CuInS2薄膜的制备及特性

将高纯Cu,In和S粉末按1:0.1:1.2(原子个数比)配比混合均匀,热蒸发沉积CuInS2薄膜,再将薄膜进行热处理。研究热处理工艺对薄膜性能和导电类型转换的影响。本研究制备的薄膜经360℃,30 min的热处理,得到n型、黄铜矿结构的CuInS2薄膜,平均晶粒尺寸29.43 nm。经370℃,20 min热处理的CuInS2薄膜也呈n型,平均晶粒尺寸38.23 nm。霍尔效应测试显示上述两种n型CuInS2薄膜的导电性良好,迁移率分别为1.071 cm2/V·s和53.82 cm2/V·s。能谱分析给出,CuInS2薄膜(360℃)体内原子个数比Cu:In:S=1:1.2:1.6,S元素损失较多。CuInS2薄膜(370℃,20 min)的原子个数比为1:0.8:1.4,S和In元素的含量较少;扫描电子显微镜给出薄膜表面呈颗粒状,随热处理温度增加,薄膜表面的致密性变好但粗糙度增大,370℃,30 min热处理后CuInS2的晶相结构不变,导电类型转为p型,迁移率为1.071 cm2/V·s。