用多孔硅作牺牲层制备硅基电容式微传声器

提出了一种新的硅基电容式微传声器的制备方法，即采用多孔硅牺牲层技术制备声学孔，采用聚酰亚胺膜作声学振膜，采用该方法制备出的电容式微传声器器件，开路灵敏度为107．8dB，在400～10kHz之间，频率响应较为平坦，可以实现语音通信。