NiAl中空位迁移机制的计算机模拟

运用分子动力学方法采用F-S多体势函数从原子尺度上模拟了NiAl金属间化合物中单空位的迁移运动行为，认为空位随成分的变化而采取不同的迁移方式：成分在理想化合比附近空位迁移主要以六步循环方式进行，其中V_Al主要以直型［100］六步循环方式迁移，V_Ni以［110］型六步循环方式占优势；当成分偏离时在富Ni一侧空位迁移则以ASB方式占很大的优势.计算所得NiAl金属间化合物中单空位迁移激活能与实验值相符，从微观上合理地解释了NiAl金属间化合物淬火实验中较高淬火温度对 关键词：     

谈谈温度的概念

本文基于对温度概念新的教学要求，阐述了温度概念的建立及其物理意义，并以现代的观点对温度概念的延伸作了初浅的讨论．     

绒面掺铝氧化锌透明导电薄膜研究进展

绒面掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜由于电阻率低、在可见光区域透过率高、绒面结构能有效散射入射光,提高太阳电池光电转换效率,被广泛应用于太阳电池前电极。概述了绒面AZO薄膜的制备方法,重点介绍了磁控溅射技术沉积AZO薄膜后再进行湿法刻蚀制绒面方法,制备的样品呈现"坑状"或"类月球地貌"的绒面,并讨论了工艺对薄膜结构、光电性能和刻蚀行为的影响,最后介绍了绒面AZO薄膜在硅薄膜太阳电池中的应用,进一步降低生产成本和实现大规模产业化生产是绒面AZO薄膜的发展趋势。     

基于新型GaN高功率器件的功率模块设计

设计和实现一种基于新型氮化镓高功率器件的功率模块,该模块发挥了GaN器件高峰值功率、高功率密度的优势,提高了高功率发射系统的可靠性、设备工程化程度及设备集成度,降低了设备成本,为超高峰值功率发射系统研制打下了坚实基础,为其他类似产品的研制提供了重要的技术参考。     

基于对比度调制法对条纹管激光雷达距离像的去噪方法

激光雷达的距离像是雷达成像系统区别于其他的成像系统（如红外成像系统、可见光成像系统）所特有的信息,它是对目标精确识别、打击的基础。如何对距离像去噪直接决定了下一步目标定位、识别的精确性。针对雷达距离像的特点,提出了一种基于对比度调制方法对条纹管激光雷达的距离像去噪方法,通过提取距离像噪声的对比度信息,用其调制未经过去噪的距离像,从而得到距离像中的噪声图像,最后用未经过处理的距离像减去噪声图像,得到图像即为去噪后距离像。研究表明该方法去噪效果明显,在去噪的同时很好地保持了距离像的边缘信息,去噪后图像的信噪比明显提高,距离像的属性也没有改变,这是其他方法对距离像去噪所不具有的优点。     

锯齿槽闪耀光栅制作误差对衍射效率的影响

与矩形槽和正弦槽光栅相比,锯齿槽光栅具有高的衍射效率,可采用全息离子束刻蚀和单点金刚石车削两种方法制造。首先,介绍了这两种方法的制造误差。然后,分析了这些制造误差对用于可见近红外和长波红外成像光谱仪的光栅衍射效率的影响,指出闪耀角误差、槽顶角误差和刻刀圆弧半径是影响锯齿槽光栅衍射效率的关键因素。为制作高质量成像光谱仪用光栅奠定了理论基础和指导。     

PLC和变频器在空压机节能改造中的应用

针对空压机能耗大，噪音大，自动化程度低等缺点，提出利用可编程控制器和变频嚣实现对螺杆式空压机的节能改造方案。实验结果表明，该方案自动化程度高，节能效果明显，具有很大的实用价值。     

冰雪中有机污染物的环境光化学行为

冰雪是一类重要且普遍的环境介质,冰雪环境光化学是一门新兴的学科,相关研究方兴未艾.冰雪中有机污染物的光化学行为被广泛关注,其转化动力学、影响因素、转化产物等研究水平持续提升,模型化合物的种类数量和复杂程度也在增加.本文通过总结冰雪环境光化学最新进展,介绍了冰雪中典型有机污染物的光化学转化动力学与反应路径,评述了溶解性物...     

紫外光固化自修复剂的微胶囊化及智能防腐蚀涂层的制备

利用在水相中原位生成的聚脲甲醛沉淀吸附在可见紫外光固化组份构成的油相表面,制备了包覆自修复剂的脲醛树脂（PUF）微胶囊. 光学显微镜及SEM表明,PUF微胶囊尺寸为118-663 μm,与PUF 形成过程中的搅拌速度有关. 在中等搅拌速度（600 r/min）时,可以得到最高的包覆率（97.52wt%）和产率（65.23wt%）. 将此微胶囊掺入水性聚氨酯乳胶中制成的涂层表面受损后,在紫外光照射下可以进行自修复,具有优异的金属防腐蚀性能.     

FeS2多晶薄膜电子结构的实验研究

用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2.采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构.结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe 3d态密度存在,同时,在价带谱中2-10eV处有强度较大的S 3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2.1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2.4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2.8eV.