Co掺杂对YBa2 Cu3 O7-δ电阻率与塞贝克系数的影响

用固态反应法制备了YBa2Cu3-xCoxO7-δ(x=0.0,0.1,0.2,0.5)样品,研究了Co掺杂对YBa2Cu3O7-δ高温区的电阻率和塞贝克系数的影响。随着Co含量的增加,样品的电阻率和塞贝克系数逐渐增大,从金属性导电转变为p型半导体导电。x=0.2和0.5样品的电导活化能在500K处发生突变,高温区的活化能大于低温区的活化能。通过塞贝克系数与温度的关系,计算出x=0.2和0.5样品的费米能级分别为0.02和0.12 eV。当温度高于650-700K时,氧脱附显著影响样品的电输运性质,导致电阻率和塞贝克系数随温度增加而增大。     

啮齿类实验动物手术隔离器内气流分布影响因素研究

以啮齿类实验动物手术隔离器为研究对象,采用CFD模拟软件模拟分析不同送风方式和换气次数下手术隔离器内的气流分布情况,寻求最佳送风方式和换气次数。综合分析温度场、速度场及洁净度,研究结果表明：相同换气次数下,矢流方式优于上送上排方式,更有利于污染物及时排出,有效提高隔离器内环境的洁净度;同时为避免隔离器内风速过大或存在静止区,影响动物的舒适性,推荐换气次数60次/h,饲养笼盒放置远离隔离器排风口,隔离器内笼盒放置距底面<0.4 m。     

2005年我国LED显示屏产业发展综述

文章总结了2005年国内LED显示屏产业发展总体情况,对LED显示屏产业和市场发展进行了分析,介绍了LED显示屏产业技术和标准化进展,展望了LED显示屏产业的未来发展趋势。     

PECVD淀积介质层对MOSFET性能的影响

通过对nMOS器件随天线比增加的阈值电压漂移、跨导变化,MOS电容在TDDB测试后的QBD退化分析来评估在RIE（Reactive Ion Etching）金属前PECVD-TEOS预淀积保护介质层的保护作用,实验结果表明此介质层没有起到足够的保护作用,反而会由于更长的等离子体工艺时间产生更严重的损伤问题。传统的电荷在硅片表面积累理论不足以解释此现象,本文从高能电子隧穿作用来分析此性能退化的原因。     

深亚微米下芯片电源网络的设计和验证

随着芯片集成度的逐渐提高,芯片单位面积所消耗的功耗也越来越大,因此,可靠的电源网络设计和验证已成为芯片设计成败的关键因素之一。在以往。集成电路（IC）设计工程师往往根据经验来设计电源网络,但工艺到0．18um,这往往会引起芯片功能失效。根据这个问题。本文首先介绍电压降（IR-Drop）和电子迁移率（Electro-migration）现象和对芯片性能的影响;其次,提出一种有效的电源网络设计和验证方法,并在芯片的物理设计初期对电源网络作可靠性估计;最后,经过椭圆曲线加密芯片（ECC＆RSA）的流片,表明采用该方法设计的芯片,工作情况良好。     

基于电力调度生产信息多维数据柔性分析方法的研究与应用

本文主要阐述了基于电力调度生产信息多维数据柔性分析系统的建设思路,发电厂生产调度多维分析系统依靠先进可靠的信息技术、网络技术、实时数据库、大数据及AI技术,按照当前普遍采用的国际与行业标准,实现了实时信息采集、数据处理、分析计算、远程监控、安全报警与紧急处理、数据存储、历史数据情况分析与总结。系统设计采用B/S结构,程序为分布式架构,进行模块化封装,包含模板设计、查询统计设计、计划管理、生产管理等多个模块,主要用于与用户交互,并实现系统的各种功能,如生产报表、报告模板自定义、工作流自定义以及查询统计自定义等。本文包括关键用户需求分析清单、系统整体设计路线、系统设计原则、系统功能架构、系统技术架构、系统安全设计、系统各功能模块的详细设计等方面,详细阐述了生产调度多维分析系统的构建方法和技术。     

重氮偶合反应合成超支化偶氮聚合物的光响应性能研究

利用重氮偶合反应和后重氮偶合反应制备了主链和端基含有不同假芪型偶氮苯生色团的超支化偶氮聚合物.利用氢核磁共振、紫外光谱、红外光谱等分析手段确定了合成聚合物的结构、玻璃化转变温度和光谱特性等.研究了聚合物光致二向色性的性能,此聚合物的取向有序度为0.063.用两束相干的P偏振Ar+激光对聚合物膜进行光加工,得到形状规则的正弦波形表面起伏光栅,末端偶氮苯基团的引入极大地增加了超支化偶氮聚合物的光响应速度.     

一种雷达强杂波区副瓣对消技术

副瓣对消是雷达抗有源干扰的主要手段之一.当雷达在进行低空探测时,由于地杂波的影响,使得副瓣对消性能下降,无法有效对抗有源干扰.针对此问题,本文提出了一种强杂波区副瓣对消技术,降低地杂波对副瓣对消处理的影响.实际测试结果表明该方法可有效降低地杂波对副瓣对消性能的影响,解决雷达在低空探测时无法有效对抗有源干扰的难题.     

多晶硅双栅全耗尽SOI CMOS器件与电路

对多晶硅双栅全耗尽SO I CM O S工艺进行了研究,开发出了1.2μm多晶硅双栅全耗尽SO I CM O S器件及电路工艺,获得了性能良好的器件和电路。NM O S和PM O S的阈值电压绝对值比较接近,且关态漏电流很小,NM O S和PM O S的驱动电流分别为275μA/μm和135μA/μm,NM O S和PM O S的峰值跨导分别为136.85 m S/mm和81.7 m S/mm。在工作电压为3 V时,1.2μm栅长的101级环振的单级延迟仅为66 ps。