广义Hénon映射的滑模变结构控制同步

基于可线性化的非线性离散变结构跟踪控制方法实现了广义Hénon映射混沌系统的同步.广义Hénon映射的混沌吸引子比Hénon映射的混沌吸引子要复杂得多,对于保密通信来说,这种复杂性正是所期望的.提出的同步方法允许参数有适当的失配程度,这对工程实现是非常有利的,理论分析和仿真结果证实了该方法的有效性 关键词： 广义Hénon映射 混沌 同步 变结构控制     

32OH场强仪检修一例

故障现象:在以下各频段频率显示如下: FM 90M—120M 正常值85M—117M; VHF(LOW) 56M—220M 正常值45M—178M; VHF(H1GH) 440M—660M 正常值153M—455M; UHF 660M—980M 正常值449M—863M。与正常值相差甚远,且在FM、VHF(LOW)、VHF(H1GH)、UHF的任一段,不论40dB、20dB衰减开关是否打开,表头总有停在中间段的指示,扬声器总有噪声。 检查维修:打开机壳,取出机芯,可以见到除电解电容、按键开关、电位器、高频头等     

深亚微米CMOS的功耗分析

一、历史回顾 在集成电路家族中,目前CMOS是绝对的望族,占到90%以上,数字集成电路几乎百分之百由CMOS工艺实现.CMOS以互补为特征,包括两方面含义:一是器件极性的互补,所用MOSFET包含N、P两种极性;另一是电路结构的互补,NMOS与相对应PMOS的串、并联接方式互补,这就产生了CMOS集成电路最佳的输出特性和极低的功率消耗.CMOS的输出电平可以达到电源电压VDD和地电平GND,这是TTL、甚至NMOS(即E/D MOS)不可比拟的;CMOS的输出驱动能力虽比不上TTL,但优于NMOS是不成问题的.     

打造IDM 注重设计属性——建言我国IC产业发展

在最近关于IC产业发展趋势的讨论中,有些文章把IDM和Foundry看作是芯片制造业的两种不同运作模式.这种看法有一定道理,但不够全面,实际上IDM和Foundry在芯片设计方面的差别可能更大.单就IDM的设计水平而言,特别是结合工艺的设计优化水平,已是Foundry Fabless难以达到.因此有必要注重IDM的设计属性,以利于对IDM做更深入的理解,为在我国打造IDM做些准备.……     

ULSI中的铜互连线RC延迟

随着ULSI向深亚微米特征尺寸发展，互连引线成为ULSI向更高性能发展的主要限制因素。由互连引线引起的串扰噪音及RC延迟限制了ULSI的频率性能的提高，同时考虑到电迁移和功率损耗，人们开始寻找新的互连材料；低电阻率的铜互连材料和低介电常数介质的结合可以有效地发送互连线的性能，主要讨论了互连延迟的重要性以及发送和计算延迟的方法。     

高功率微波脉冲压缩储能谐振腔的测量与调试

储能谐振腔是高功率微波脉冲压缩系统实验的核心部件，精确测量有关储能腔参数，修正谐振腔尺寸，调整实验系统的微波参数，使储能阶段H—T的泄漏最小、谐振腔的储能效率达到最大是非常关键和必要的。介绍了L波段高功率微波（HPM）脉冲压缩谐振腔的微波参数的测量，并根据微波参数测量的结果对谐振腔进行了调整，使谐振腔的储能效果明显改善；分析了不同气体成分及充气气压与本征频率之间的关系及其抗击穿性，作为工作介质，SF6含量为30％-50％，SF6-N2混合气体综合性能较好的。     

振动系统的模态分析实验设计

利用模态分析原理和简单试验仪器，得到了直观的悬臂梁和圆盘前4阶模态振型，使学生熟悉了模态分析原理和测试方法，有利于学生对振动规律的理解．     

两条直线位置关系的判定与有关量的计算公式

空间两条异面直线的距离的求法及其公垂线的位置的确定 ,《数学通报》、《数学通讯》曾登载不少研究文章 .本文利用一个模型 ,给出空间两条直线位置关系的一个判定定理 ,并给出与空间两条直线有关的量的计算公式 .图 1　空间两直线如图 1,a,b是空间两条直线 ,A,B∈ a,AC⊥ b,BD