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21.
22.
纳米晶材料SrMgxTi1-xO3的合成与表征 总被引:2,自引:1,他引:2
采用硬脂酸法合成纳米晶SrMgxTi1-xO3(x=0.1~0.5)材料.用DTA,TG,XRD,IR,XPS和TEM进行表征.结果表明,粉末粒径d随SrMgxTi1-xO3中镁含量、烧结温度和烧结时间的改变而变化;烧结所产生的粉末粒度分布均匀、大小适中;Mg2+部分替代SrTiO3的Ti4+后,O的1s光谱随着Mg2+含量的不同而发生变化. 相似文献
23.
利用智能手机和小木盒构建的数字图像比色法(DIC)完成了水中六价铬浓度的快速检测。利用智能手机能够同时对显色溶液进行照明、图像采集和数据处理,可以快速定量检测六价铬。在六价铬0.05~0.80mg/L浓度内有良好的线性范围,线性方程为y=127.939x+73.181,相关系数为0.994;考察了方法的重现性,对2种质量浓度样品进行检测,其相对标准偏差(RSD)为1.5%~5.5%,测定结果和分光光度法对水样进行测定的结果基本一致,证明了方法的可靠性及准确性。 相似文献
24.
25.
This paper studies the equilibrium structure parameters and the dependences of the elastic properties on pressure for rutile TiO2 by using the Cambridge Serial Total Energy Package (CASTEP) program in the frame of density functional theory. The obtained equilibrium structure parameters, bulk modulus B0 and its pressure derivative B′0 are in good agreement with experiments and the theoretical results. The six independent elastic constants of rutile TiO2 under pressure are theoretically investigated for the first time. It is found that, as pressure increases, the elastic constants C11, C33, C66, C12 and C13 increase, The variation of elastic constant C44 is not obvious and the anisotropy will weaken. 相似文献
26.
星识别算法是空间飞行器自主姿态确定系统的核心部分。而星图作为算法的操作对象及验证工具,在评估各种算法以及软件调试中都有很重要的意义。本文介绍一种利用计算机模拟CMOS拍摄的星图的方法。 相似文献
27.
无约束连续最优控制问题的离散序列二次规划方法 总被引:1,自引:1,他引:0
其中f_0:R~n×R~m×R→R,g_0:R~n→R,f:R~n×R~m×R→R~n关于它们各自变量二次连续可微。终端时间T固定,初始状态已知,x(t)为状态变量,u(t)为控制变量,问题要求选择适当的 u(t)使目标函数(1.1)达到极小。 求解此类问题的一种途径是通过离散时间函数x(t),u(t)将它转化成传统的数学规划问题,然后,利用数学规划中已有的方法求得原问题的近似解。Cullum,Budak等在[1]和 相似文献
28.
办公自动化条件下电子文件管理的非电子技术措施 总被引:1,自引:0,他引:1
针对电子文件的特性及办公自动化过程中电子文件产生和管理中存在的问题,提出了办公自动化条件下电子文件管理的若干非电子技术管理措施。 相似文献
29.
金超罗克菊杨显双向越 《理化检验(化学分册)》2022,(7):825-829
提出了均相液液萃取-数字成像比色法测定水中痕量六价铬的方法。取2.5 mL水样,依次加入0.125 mL十二烷基硫酸钠溶液(20 g·L^(-1))、0.3 mL硫酸溶液(0.5 mol·L^(-1))和0.125 mL含0.04 mol·L^(-1)二苯碳酰二肼的丙酮溶液,摇匀,反应5 min。再用60μL邻苯二甲酸二甲酯和400μL异丙醇的混合液进行萃取,涡旋,离心,通过智能手机比色装置中的Color Grab软件读取萃取层的绿(G)值。结果显示:六价铬标准曲线的线性范围为4~60μg·L^(-1),检出限(3s/k)为1μg·L^(-1);对实际水样进行加标回收试验,本方法所得六价铬测定值与国家标准方法GB 7467-1987的基本一致,回收率为87.8%~109%,测定值的相对标准偏差(n=6)为2.4%~3.7%。 相似文献
30.
文章将ICP刻蚀技术应用于刻蚀HgCdTe,使用微区X射线光电子光谱学(XPS) 、扫描电子显微镜( SEM)等表面分析技术研究了ICP各工艺参数,包括ICP功率、气体成分与配比、腔体压力等对刻蚀表面形貌、刻蚀后表面成分、聚合物形成的影响。XPS分析结果发现,使用光刻胶作掩模时,刻蚀气体CH4 会与光刻胶发生反应,生成物可能为C6H5 (CH3 ) 。如果腔体压力较高,生成物不能及时被带走,就会附着在样品表面上,使样品表面发黑;当腔体压力较低时,生成物被及时带走,则样品表面光亮,无聚合物残留。光刻胶也会与H2 发生反应,生成多种含C有机物。SiO2 作掩模时,在一定的条件下, CH4 会与SiO2 或者真空硅脂发生反应,生成聚脂薄膜。 相似文献