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411.
新信息题成为高考试题改革的一个新亮点,它创设了全新的问题情境,主要考察学生独立提取信息,加工信息的能力.要求考生在阅读理解的基础上,抓住关键信息,实现信息转化,达到灵活解题的目的.这类题目突出“新”这个特点,但不等于没内涵、没背景,一些题目别开生面,给人印象深刻,具有较高的开发、应用价值.若对其理性分析,深入研究,可以挖掘出更多、更好的东西,加以改造就会形成新的创新背景与题目.  相似文献   
412.
We design and experimentally demonstrate a broadband metamaterial absorber in the terahertz(THz) band based on a periodic array of aluminum(Al) squares with two different sizes. A thin silicon dioxide(SiO2) film rather than a conventional polyimide(PI) layer is used as a dielectric spacer to separate Al squares from the platinum(Pt) ground plane in our design, which significantly improves the design precision and the feasibility of the device fabrication. The combination of different sizes of Al squares gives rise to an absorption bandwidth of over 210 GHz with an absorption of over 90%. Our results also show that our device is almost polarization-insensitive. It works very well for all azimuthal angles with an absorption of beyond 80%.  相似文献   
413.
笔者有幸担任了2013年和2014年山东省高考数学阅卷工作的质检员,觉得收获颇丰.现将质检工作的收获,做一些解读与思考.希望通过高考阅卷质检过程的切身体会,让大家了解高考阅卷的程序和细节,分析学生失分的原因及应对策略,给对课堂教学以启示.呈现如下,供大家在教学中参考.一、高考阅卷的基本情况简介1.阅卷流程阅卷流程是评卷、仲裁、质检,采用“双评”加“仲裁”最后是“质检”的三重保险的阅卷模式.每份答卷至少由  相似文献   
414.
采用机械球磨法成功制备Ag3PO4/MoS2纳米片复合催化剂。运用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见漫反射光谱(UV-Vis)和荧光发射光谱(PL)对复合催化剂的结构和形貌进行了表征。结果表明,Ag3PO4纳米粒子均匀地附着在MoS2纳米片层结构上,两者形成紧密结合。以亚甲基蓝为模拟污染物,研究复合催化剂在可见光照射下的光催化特性;通过循环实验考察复合催化剂的稳定性。结果显示,含有1%的MoS2纳米片与Ag3PO4形成的复合催化剂在30 min内对亚甲基蓝的降解率为95%,其降解动力学常数是纯相Ag3PO4的2倍。经过5次循环实验后复合催化剂对于亚甲基蓝的降解率为84%,而纯Ag3PO4对于亚甲基蓝的降解率仅为35%。Ag3PO4/MoS2纳米片复合催化剂具有优良的光催化活性和高稳定性,主要归因于二硫化钼纳米片与磷酸银形成异质结,磷酸银激发的电子和二硫化钼纳米片产生的空穴直接复合,从而促使光生电子从磷酸银晶体表面快速分离,减轻了磷酸银的光电子腐蚀,同时也提高了复合物的光催化活性。  相似文献   
415.
kW级高功率激光柔性传输是激光清洗、激光焊接、激光刻蚀等高功率激光加工领域中必备的环节,而实现高功率激光低损耗传输的光纤是其关键器件。目前高功率激光传输光纤采用大芯径传能光纤,仍然存在着弯曲损耗大、柔性差等问题,并且使用过程中要经常维护。华南师范大学特种光纤研究中心提出一种大芯径空气包层微结构光纤,利用包层的空气孔可以极大降低激光泄露的风险,降低光纤制备过程中对耐高温涂敷层的严苛要求,实验结果证实该光纤在室温无制冷条件下可实现kW级激光传输,从而为10 kW级高功率激光柔性传输奠定基础。  相似文献   
416.
利用外延片压焊和湿法腐蚀技术将硅衬底上生长的InGaN多量子阱发光二极管(LED)薄膜材料转移到了新衬底上. 研究结果表明, 转移后的LED薄膜中GaN层受到的张应力变小,InGaN层受的压应力变大. 去除转移后LED薄膜中过渡层后,GaN层受到的张应力变大,而铟镓氮层受到的压应力基本不变. 将转移后的薄膜做成垂直结构的LED芯片后,其光电性能明显改善. 关键词: GaN 发光二极管 硅衬底 应力  相似文献   
417.
本文提出了光量子在光电转换中的能昔效率的表示方法,给出了太阳电池光电转换的理论效率极限,以及太阳电池的理论最佳带隙和最佳截止波长,最后,讨论了光电转换的驱动力,分析了光电跃迁的有效能的不可逆损失和熵增,给出了太阳电池中激发电子的有效能的表达式.  相似文献   
418.
对中低分辨率CMOS闪烁型模数转换器的四个主要模块的折中设计进行了研究.这些折中考虑包括基准电压的非理想因素、前置放大器的折中六边形思考、再生比较器的滞回作用、误差更正电路.在模块折中设计研究的基础上,CMOS闪烁型模数转换器可达到高性能和低功耗.根据这种设计考虑,采用TSMC 0.25 μm CMOS 单层多晶硅五层金属工艺实现了一个4 bit 65 MHz的高转换率的闪烁型模数转换器.  相似文献   
419.
阐述分布式光伏电源的特点,分布式光伏并网对配电网的影响和应对策略,包括电网运行控制质量下降、供电质量下降、主辅电网不同步问题的解决策略。  相似文献   
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