半导体黄光发光二极管新材料新器件新设备

在可见光范围内,半导体发光二极管(LED)发展很不平衡,黄光LED光效(光功率效率)长期远低于其他颜色光效.本文基于GaN/Si体系,从材料生长、芯片制造、器件物理和专用装备等方面进行了系统研究,解决了外延膜龟裂、位错过多、量子阱应力过大、InGaN黄光阱材料相分离、空穴浓度不足、阱材料生长温度过低、衬底吸光、电极挡光等问题,率先实现了高光效黄光LED关键性突破.所研制的黄光LED器件,在20 A/cm~2驱动下波长565 nm黄光LED光效达26.7%,对应164 lm/W;在1 A/cm~2驱动下波长577 nm黄光LED光效达42.8%,对应248 lm/W.基于高光效黄光LED,开发了无荧光粉、多基色LED照明新光源,实现了纯LED照明光源在路灯、氛围灯等方面应用.     

Effects of Hydrogen Treatment in Barrier on the Electroluminescence of Green InGaN/GaN Single-Quantum-Well Light-Emitting Diodes with V-Shaped Pits Grown on Si Substrates

Effect of hydrogen(H_2) treatment during the GaN barrier growth on the electroluminescence performance of green In GaN/GaN single-quantum-well light-emitting diodes(LEDs) grown on Si substrates is experimentally investigated. We prepare two LED samples with different carrier gas compositions during the growth of GaN barrier. In the H_2 free LED, the GaN barrier is grown in full nitrogen(N_2) atmosphere. For the other H_2 treated LED, a mixture of N_2 and H_2 was used as the carrier gas. It is observed that V-shaped pits decrease in size after H_2 treatment by means of the scanning electron microscope. Due to the fact that the p–n junction interface would be closer to the p-GaN as a result of smaller V-shaped pits, the tunneling barrier for holes to inject into the In GaN quantum well would become thicker after H_2 treatment. Hence, the external quantum efficiency of the H_2 treated LED is lower compared to the H_2 free LED. However, LEDs would exhibit a better leakage behavior after H_2 treatment during the GaN barrier growth because of more effective blocking of the threading dislocations as a result of the H_2 etching at V-shaped pits.     

ITU-R修正模式建立大气剖面

无线电波大气折射修正的关键是在于获取实时有效的大气剖面。本文参照ITU—R给出的大气参考模型，提出了修正的大气模式算法。在此基础上，结合国内某站点五年的实测探空剖面数据，统计出适合该地大气环境特性的气象参数，并与ITU—R参考值进行了比较。     

铁路围岩分类专家系统中的不确定性推理问题

本文将专家的经验分类标准与需要评判的围岩用模糊数学中择近原则的方法进行模糊模式识别,对专家评判中有关因素采用因素关系图描述,将被评定的围岩视为论域上的一个模糊子集,把推理过程抽象为多维论域上确定隶属度的过程,进而提出用连续隶属函数进行围岩类别的模糊推理。最后,以隶属度的形式,给出评判的分类结果。     

一道解析几何题的探究与思考

<正>~~     

基于NLS的MIMO雷达方向图综合

与传统相控阵雷达方向图综合不同,MIMO雷达通过优化发射波形的协方差矩阵来实现发射方向图综合,从而实现数字阵列雷达的多功能特性。该文通过数学变换,把传统相控阵雷达非线性最小二乘方向图综合法推广到MIMO雷达方向图综合。首先对发射波形的协方差矩阵进行分解,然后构造非线性最小二乘法代价函数优化分解因子,从而使综合方向图最大限度地逼近期望方向图。与现有MIMO雷达方向图综合方法相比,文中方法能通过罚函数,灵活调节综合方向图的过渡带宽度和主瓣波动幅度,且具有更小的均方误差,仿真实验验证了方法的有效性。     

等离子体有源透镜天线的特性分析

应用高功率微波大气传输机理和等离子体物理理论,提出了一种新概念天线-等离子体有源透镜天线。简要概述了其实现方法,并对其反射、透射、吸收、工作带宽和最佳工作频率等特性参数进行了分析与计算。该天线根据需要可聚束ＨＰＭ工作波,也可将外来入侵的ＨＰＭ波聚束后发送回原处,可形成空间有源滤波等器件。     

通道声码器的话音质量

速率为2400bit/s的数字声码器,在窄带数字语言通信中,具有很重要的意义。本文提出用多个8085微处理器及部分专用硬件构成的通道声码器。它修改设计方便,为提高合成语言质量提供了灵活的实验手段。
文为了提高合成语言质量,提出了用全通滤波器改善激励函数特性,用调整数字滤波器带宽和相邻滤波器间的搭接方式来改善合成频响曲线和相位特性,并对汉语特征参量编解码提出了有效方法。所有这些都在合成语言的可懂度试验中得到证实。     

Ni/CaO-SiO2对流化床反应器中甲烷转化制合成气的催化性能

用浸渍法制备了Ni／SiO2和Ni／CaO—SiO2催化剂．研究了流化床反应器中用CaO改性微球硅胶载体对催化性能的影响,考察了Ni／CaO—SiO2催化剂上甲烷部分氧化与甲烷二氧化碳重整耦合制合成气反应中Ca负载量、反应温度、空速和原料气中的O2／CO2比对活性与选择性以及产物H2／CO比的影响。并用XRD、TEM、H2-TPR和CO2-TPD等测试手段对催化剂进行了表征。结果表明,经过氧化钙改性的微球硅胶能够将“自由态”的镍物种转变为“束缚态”。使镍物种达到高度分散状态。引入10(wt)％Ca助剂所制备的催化剂具有很好的活性和稳定性,因而具有较好的工业应用前景。     

区间偏最小二乘结合差分进化算法应用于鱼粉近红外光谱波长筛选

蛋白质含量是评价鱼粉质量的重要指标,该文采用近红外(NIR)光谱分析技术结合特征筛选方法建立了鱼粉蛋白质含量的快速定量分析模型,并结合区间偏最小二乘(iPLS)和二进制变异策略的差分进化(DE)算法建立了区间偏最小二乘差分进化(iPLS-DE)的波长筛选优化模式,对鱼粉NIR光谱数据进行特征波长筛选。iPLS-DE通过调试iPLS中等分子区间的数量,优选出9个最优特征波段,再采用二进制变异策略的DE算法在最优特征波段内筛选离散特征波长组合,最后根据模型的评价指标确定iPLS-DE优选模型并与iPLS优选模型进行比较。结果表明,将鱼粉全谱等分为5个子区间时,iPLS-DE筛选出50个离散特征波长建立的优选模型对测试集样品的预测均方根误差和相对分析误差分别为1.033%和4.058,而iPLS优选模型对测试集样品的预测均方根误差和相对分析误差分别为1.131%和3.855。表明iPLS-DE方法能够有效地提高NIR光谱分析模型对鱼粉蛋白质定量检测的预测能力。