基于深度学习的电力巡检图像实时处理与识别算法研究

应用人工智能技术对航拍采集的巡检图像进行目标检测和缺陷识别已成为现代电力巡检的发展趋势。文中基于深度学习技术提出了一种改进的识别算法,通过改进Faster-RCNN模型,结合HSI颜色特征提取,实现图像实时处理与输电线路的各类常规故障识别。将航拍图片归一化处理,RGB颜色模型转化为HSI颜色模型,遍历HSI空间的每个像素点,根据图片颜色特征判断像素点是否发生故障;建立Dense Net网络,将RoI Align层与预测层连接,应用改进Faster-RCNN目标检测模型对巡检线路训练数据集进行目标缺陷识别。实验分析结果表明,文中所提方法的故障缺陷识别精确率可达92.54%,具有实时性强、识别精度高等特点。     

背面通孔工艺对砷化镓滤波器性能的影响

滤波器作为微波系统中的无源器件,在现代电子通信中具有非常重要的应用.采用砷化镓无源器件集成工艺制作了滤波器,在制作工艺中重点研究了背面通孔工艺对滤波器性能的影响.首先讲述了IPD工艺,然后通过分析背面通孔不同位置的侧向蚀刻,经过测试数据的分析对比,进而说明侧向蚀刻对滤波器性能的影响.通过以上的分析结果,为后续滤波器工艺...     

红外成像和倾斜摄影三维融合在建筑检测中的应用

针对建筑病害缺乏有效和高精度无损检测手段,同时传统人工检测受建筑围护结构饰面层病害区域的高度、面积等方面的限制,提出一种红外成像和倾斜摄影三维融合并建立含有建筑病害信息的三维模型电子档案的方法。本文以学校某教学楼为例,以红外技术为主,倾斜摄影技术为辅的采集方案,采用同位空间坐标匹配法,经过坐标转换和2种异源空间数据融合,获取含有建筑病害信息的精细化三维模型电子档案,并完成数据融合前后的模型精度对比评估。结果表明：此方法得到的融合模型精度高,点位误差小,能快速、精准获取建筑病害空间位置,为建筑无损检测技术的实际应用提供新的思路,对建立建筑信息化监、修、管一体化运维体系具有研究价值和实际应用意义。     

应用平行因子分析和三维荧光分析法分辨萘、1-萘酚和2-萘酚

首次利用三维荧光分析法与RARAFAC算法相结合,在激发波长为220-300nm2(2nm为间隔）,发射波长为325-600nm(5nm为间隔）对萘、1-萘酚和2-萘酚体系进行了分辨研究,分辨结果与真实结果一致。该方法分辨速度快,易于编程实现,且分辨率高,解决了三者同时分辨难的问题,充分地说明了化学计量学在环境化学中具有广阔的应用前景。     

碲锌镉体单晶的Raman—PL光谱的分析

文章对碲锌镉（CZT）（111）取向的拉曼光谱和光荧光谱作了分析。在拉曼光谱中,用正斯托克斯测量检测无峰,而反斯托克斯（Anti-Stokes）测出了它的拉曼光谱。其中在（－125cm^-1）处是横声子振动（TO）,（－142cm^-1）处是纵声子振动（LO）。由于晶体的各向异性,在一个平面上,同一晶粒旋转不同方向TO／LO比值与（111）平面等能面截面图相符。另它的PL光谱在807nm(1.535eV),FWHM为30nm(0.057eV),旋转方向对PL光谱无影响。故在生长HgCdTe单晶薄膜时,要注意衬底CZT的晶体摆放位置 。     

新型多功能厘米波频率合成器设计

该文介绍了一种新型多功能厘米波频率合成器,利用锁相倍频的方式,首次将直接数字频率合成器(DDS)输出的连续波(步进1 MHz)、常规脉冲、重频抖动、重频参差、双脉冲、捷变频信号、组变信号、二相编码和线性调频等信号搬移至0.8~18 GHz频段,外形尺寸为76 mm×70 mm×10 mm,体积约为传统类似频率综合器项目的1/20,具有工作频带宽、频率高、体积小等优点。     

开展联合巡航执法 整治水上电波秩序

<正>2023年2月,广西海事局联合自治区工业和信息化厅、自治区农业农村厅、交通运输部南海航海保障中心,启动了以“树牢安全发展理念高水平共建西部陆海新通道”为主题的联合巡航执法行动。联合巡航执法行动按照广西水域特点,分为沿海、内河两组同时推进。沿海组自2月6日至9日,由“海巡1001”轮、“海巡1005”轮、“海巡10352”轮等6艘执法巡逻船组成,从北海港出发,经铁山港、钦州港、北部湾石油钻井平台水域,最终到达防城港。此次巡航历时3天,巡航里程548海里,巡航范围涵盖广西沿海主要港区、航道、运输航线及桂粤交界水域。     

半导体黄光发光二极管新材料新器件新设备

在可见光范围内,半导体发光二极管(LED)发展很不平衡,黄光LED光效(光功率效率)长期远低于其他颜色光效.本文基于GaN/Si体系,从材料生长、芯片制造、器件物理和专用装备等方面进行了系统研究,解决了外延膜龟裂、位错过多、量子阱应力过大、InGaN黄光阱材料相分离、空穴浓度不足、阱材料生长温度过低、衬底吸光、电极挡光等问题,率先实现了高光效黄光LED关键性突破.所研制的黄光LED器件,在20 A/cm~2驱动下波长565 nm黄光LED光效达26.7%,对应164 lm/W;在1 A/cm~2驱动下波长577 nm黄光LED光效达42.8%,对应248 lm/W.基于高光效黄光LED,开发了无荧光粉、多基色LED照明新光源,实现了纯LED照明光源在路灯、氛围灯等方面应用.     

Effects of Hydrogen Treatment in Barrier on the Electroluminescence of Green InGaN/GaN Single-Quantum-Well Light-Emitting Diodes with V-Shaped Pits Grown on Si Substrates

Effect of hydrogen(H_2) treatment during the GaN barrier growth on the electroluminescence performance of green In GaN/GaN single-quantum-well light-emitting diodes(LEDs) grown on Si substrates is experimentally investigated. We prepare two LED samples with different carrier gas compositions during the growth of GaN barrier. In the H_2 free LED, the GaN barrier is grown in full nitrogen(N_2) atmosphere. For the other H_2 treated LED, a mixture of N_2 and H_2 was used as the carrier gas. It is observed that V-shaped pits decrease in size after H_2 treatment by means of the scanning electron microscope. Due to the fact that the p–n junction interface would be closer to the p-GaN as a result of smaller V-shaped pits, the tunneling barrier for holes to inject into the In GaN quantum well would become thicker after H_2 treatment. Hence, the external quantum efficiency of the H_2 treated LED is lower compared to the H_2 free LED. However, LEDs would exhibit a better leakage behavior after H_2 treatment during the GaN barrier growth because of more effective blocking of the threading dislocations as a result of the H_2 etching at V-shaped pits.