人尿中氟含量的测定及其意义

采用氟离子选择电子法对右江民族医学院28名≥19岁的成年健康学生(其中男生18名,女生10名)早上和晚上尿样分别进行了氟含量测定。结果表明,早上和晚上尿样尿氟含量有一定差异,而早上尿样中的氟含量小于晚上尿样。可认为从早到晚的时段内,人体从食物、水源或其它途径摄入了氟,从而出现了差异;样品氟含量的最大值0.959 mg/L在百色地区正常人尿氟百分位数法(P25～P97.5)正常值范围0.589～2.268 mg/L内,可认为右江民族医学院的人员未出现氟中毒,处于一个氟安全的地区。     

量子垒生长速率对InGaN基绿光LED性能的影响

利用MOCVD技术在图形化Si(111)衬底上生长了InGaN/GaN绿光LED外延材料。在GaN量子垒的生长过程中,保持NH3流量不变,通过调节三乙基镓(TEGa)源的流量来改变垒生长速率,研究了量子垒生长速率对LED性能的影响。使用二次离子质谱仪(SIMS)和荧光显微镜(FLM)分别对量子阱的阱垒界面及晶体质量进行了表征,使用电致发光测试系统对LED光电性能进行了表征。实验结果表明,垒慢速生长,在整个测试电流密度范围内,外量子效率(EQE)明显提升。我们认为,小电流密度下,EQE的提升归结为量子阱晶体质量的改善;而大电流密度下,EQE的提升则归结为阱垒界面陡峭程度的提升。     

超高效液相色谱-串联四极杆静电场轨道阱高分辨质谱法测定豆类中的硒代蛋氨酸

该研究利用超高效液相色谱-串联四极杆静电场轨道阱高分辨质谱(UHPLC/ESI-Q-Orbitrap)技术,对硒代蛋氨酸(SeMet)的色谱信息、分子离子质荷比和碎裂片段的质荷比进行采集,并对特征离子碎裂途径进行解析,建立了豆类中硒代蛋氨酸的检测方法。样品用三羟甲基氨基甲烷-盐酸(Tris-HCl)缓冲溶液溶解后,涡旋混匀,超声提取,在恒温水浴条件下酶解,离心后取上清液过0.22μm滤膜后上机检测。采用Hypersil GOLD HILIC(50 mm×2.1 mm,1.9μm)色谱柱进行分离,以0.2%(体积分数,下同)甲酸6 mmol/L甲酸铵水溶液和0.2%甲酸6 mmol/L甲酸铵乙腈溶液为流动相梯度洗脱,采用电喷雾正离子模式电离,在全扫描/数据依赖扫描模式(Full MS/dd-MS2)下进行检测,基质匹配标准校正法定量。结果表明,硒代蛋氨酸的基质效应为15.75%,在0.05~0.5 mg/L范围内线性关系良好,相关系数(r²)为0.9976,方法检出限(LOD)为0.015 mg/kg,定量下限(LOQ)为0.05 mg/kg;空白样品在0.1、0.2、0.4 mg/kg 3个加标水平下的平均回收率为77.6%~83.2%,日内相对标准偏差(RSDr)为2.8%~4.8%,日间相对标准偏差(RSD_R)为4.1%~6.5%。将方法应用于实际样品的检测,得富硒黑豆、富硒红豆、富硒绿豆中硒代蛋氨酸的含量分别为0.252、0.163、0.184 mg/kg。该方法具有前处理操作简单、结果准确、重复性好等优点,适用于豆类中硒代蛋氨酸的检测。     

Ag_3PO_4/MoS_2纳米片复合催化剂制备及可见光催化性能

采用机械球磨法成功制备Ag_3PO_4/MoS_2纳米片复合催化剂。运用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见漫反射光谱(UV-Vis)和荧光发射光谱(PL)对复合催化剂的结构和形貌进行了表征。结果表明,Ag_3PO_4纳米粒子均匀地附着在MoS_2纳米片层结构上,两者形成紧密结合。以亚甲基蓝为模拟污染物,研究复合催化剂在可见光照射下的光催化特性;通过循环实验考察复合催化剂的稳定性。结果显示,含有1%的MoS_2纳米片与Ag_3PO_4形成的复合催化剂在30 min内对亚甲基蓝的降解率为95%,其降解动力学常数是纯相Ag_3PO_4的2倍。经过5次循环实验后复合催化剂对于亚甲基蓝的降解率为84%,而纯Ag_3PO_4对于亚甲基蓝的降解率仅为35%。Ag_3PO_4/MoS_2纳米片复合催化剂具有优良的光催化活性和高稳定性,主要归因于二硫化钼纳米片与磷酸银形成异质结,磷酸银激发的电子和二硫化钼纳米片产生的空穴直接复合,从而促使光生电子从磷酸银晶体表面快速分离,减轻了磷酸银的光电子腐蚀,同时也提高了复合物的光催化活性。     

镁合金晶体塑性本构模型与非均匀孪生变形分析

微结构演化对镁合金材料力学性能有着显著的影响,为了揭示镁合金宏观塑性各向异性特性与非均匀孪生变形的关系,开展了不同路径下的单轴加载试验以及采用含滑移、孪生机制的晶体塑性本构模型对试验条件下的镁合金变形行为进行数值模拟研究。文中本构模型描述了滑移与孪生变形机制以及晶格转动的机制,同时研究采用三维微结构代表性有限元模型,其包含晶粒尺寸、晶向和晶界倾角等微结构参数。研究结果表明,轧制镁合金具有强烈的宏观塑性各向异性行为,并对这种镁合金塑性各向异性行为的模拟结果以及多晶织构的模拟演化结果与试验测量进行对比,结果都基本吻合。对孪生非均匀变形模拟分析表明,镁合金宏观塑性各向异性行为与滑移、孪生变形机制的不同启动组合紧密相关,同时多晶体内应力的非均匀分布受到孪生变形的严重影响。而不同晶粒尺寸的晶粒所发生的孪生变形有比较大的差异,造成孪晶变体在晶粒内的分布极不均匀。本研究可为通过微结构的合理配置来设计和控制材料的力学性能提供理论依据.     

高压大电流VDMOS研究

本论文主要介绍高压大电流VDMOS功率晶体管的研制。这次研制的VDMOSFET,设计耐压高达600V,导通电流达到8A,导通电阻为1Ω。设计中,按照要求,确定外延层浓度和厚度;芯片元胞结构参数,阱掺杂浓度;器件边缘保护环,场极板参数。在大量参阅国内外资料的基础上,我们提出新的芯片元胞设计方案,由此确定的垂直电流区宽度比以往方案缩小一个数量级,大大节约芯片面积,成功地实现了把大约二万人元胞集成在一块芯片上。同时,在器件边缘终端结保护环设计中提出新思路,提高了器件可靠性,并有效减少芯片面积。     

增益提高型套筒式全差分跨导放大器的设计与分析

提出了一种应用于流水线型模数转换器(ADC)的增益提高型套筒式全差分跨导放大器(OTA)的设计与分析方法.通过ADC的性能要求推导出OTA的设计指标.该设计中OTA的架构由主运放、增益辅助运放及共模反馈电路3部分子电路组成.设计采用SMIC CMOS 0.18mm工艺平台.该设计方法的实验结果表明:1pF负载下,跨导放大器.的直流增益达到145dB,单位增益带宽超过750MHz,相位裕度达到58°.闭环增益为4时,放大器在20ns内稳定到0.05%的精度.     

Si衬底InGaN/GaN多量子阱LED外延材料的微结构

用透射电子显微镜(TEM)和X射线双晶衍射仪(DCXRD)对在Si(111)衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(MQW)LED外延材料的微结构进行了观察和分析.从TEM高分辨像观察到,在Si和AlN界面处未形成SixNy非晶层,在GaN/AlN界面附近的GaN上有堆垛层错存在,多量子阱的阱(InGaN)和垒(GaN)界面明锐、厚度均匀;TEM和DCXRD进一步分析表明MQW附近n型GaN的位错密度为10acm-2量级,其中多数为b=1/3〈112-0〉的刃位错.     

家蝇和大头金蝇在麦麸和猪瘦肉上的产卵选择和发育差异

在中国许多地区,大头金蝇Chrysomya megacephalaF.已侵入过去由家蝇Musca domesticaL.占绝对优势的垃圾生态位,逐渐成为城市蝇类的优势种。为了解单独和混合饲养时食物种类对家蝇和大头金蝇幼虫生长发育的影响,在室内观察了野外大头金蝇和家蝇F1代在湿麦麸、猪瘦肉以及两者混合物上的产卵选择和生活史。结果显示:(1)大头金蝇嗜在含有猪瘦肉的基质上产卵,而家蝇嗜在含有麦麸的基质上产卵;(2)初孵家蝇和大头金蝇幼虫都能在含有瘦肉的食物上发育至成虫。在麦麸上,初孵家蝇幼虫能发育至成虫,而初孵和2龄大头金蝇幼虫在进入下一龄期前全部死亡,但少数3龄大头金蝇幼虫能发育至成虫;(3)等量初孵家蝇与大头金蝇在含有猪瘦肉的食物上共同生长时,与家蝇相比,大头金蝇的发育历期较短、存活率较高。与家蝇在麦麸上共同生长时,与在麦麸上独立生长的同龄大头金蝇相比,大头金蝇的发育历期较短、存活率较高。这些结果表明,共生时家蝇可促进大头金蝇对植物质营养的利用,这也许是大头金蝇能成功侵入家蝇占绝对优势的垃圾生态位的一个重要原因。     

Si衬底MOCVD生长GaN/InGaN多量子阱缺陷TEM研究

用透射电子显微镜对Si衬底生长GaN/InGaN多量子阱材料进行横断面测试,在衬底和缓冲层区域进行高分辨电子显微成像(HRTEM)、电子衍射衬度成像、选区电子衍射成像,在量子阱附近区域进行了双束近似电子衍衬像对其位错特性进行研究;用场发射扫描电子显微镜对饱和KoH溶液腐蚀前后材料成像.结果发现,AIN缓冲层具有多孔结构,高温GaN层位错平均密度达108cm-2,同扫描电子显微镜得到的六角腐蚀坑密度一致,量子阱以下发现大量位错发生90°弯曲,而使穿过量子阱位错密度大大降低.在线位错中,以刃位错居多,其次是混合位错,所观察区域几乎未见螺位错.