量子棒中极化子声子平均数的温度依赖性

采用Huybrechts线性组合算符和Lee-Low-Pines变分法,研究了温度对量子棒中强耦合极化子平均声子数和振动频率的影响。结果表明,量子棒中强耦合极化子的平均声子数N-和振动频率λ随量子棒纵横比e′、温度T的增加而减小,随电子-声子耦合强度α和受限强度Ω∥的增加而增大。温度对平均声子数N-和振动频率λ的影响只是在温度较高(γ<1.0)时较显著,而在温度较低(γ>1.0)下并不显著。     

含尿嘧啶结构单元二肽衍生物的设计、合成及生物活性研究

为探索新型抗糖尿病分子,设计了含有尿嘧啶结构单元的二肽衍生物.以尿嘧啶、多聚甲醛和半胱氨酸为原料,经过两步反应获得关键中间体S-胸腺嘧啶-L-半胱氨酸(IM-2),再经氨基保护、羧基酯化和氨基酸偶联,顺利合成了16个二肽衍生物.所得目标化合物均经1HNMR、13CNMR和HRMS进行结构确认,并开展了过氧化物酶体增殖物受体反应元件(PPRE)激动活性、α-葡萄糖苷酶-rat抑制活性、二肽基肽酶-4 (DPP-4)抑制活性筛选.生物活性结果显示,这些二肽衍生物的PPRE相对激动活性、α-葡萄糖苷酶和DPP-4抑制活性都很弱;同时发现,该类分子的α-葡萄糖苷酶抑制活性变化趋势与PPRE激动活性、DPP-4抑制活性变化趋势相反,这为新型多肽多靶点药物的设计提供了新思路.     

白光LED用硅酸盐基质发光粉的制备及其封装特性

在还原气氛下采用高温固相法合成了Eu²⁺激活的硅酸盐基质白光LED用发光粉,运用扫描电子显微镜和荧光分光光度计分别对发光粉的形貌和激发、发射光谱进行了表征,并对其与YAG发光粉的封装特性进行了对比研究。结果表明,合成的硅酸盐基质白光LED用发光粉其激发光谱覆盖范围宽。采用不同波段的LED芯片进行封装时,和YAG发光粉相比,其色坐标、显色指数和流明效率波动不大,尤其是流明效率波动仅在8%左右,而且其老化性能也和YAG发光粉差别不大。对其和YAG LED的相对发射光谱研究表明,硅酸盐更适合暖白光LED的封装,硅酸盐发光粉粒径与封装流明效率规律变化的研究结果表明,较大粒径的硅酸盐发光粉有可能在大功率LED上有潜在的应用前景。     

连续辉光放电波导型远红外氘化氰激光器输出性能优化

简要介绍了EAST 装置远红外激光干涉仪光源--DCN 激光器的工作原理、结构和相关改进。DCN 激光器采用He、CD₄、D₂ 和N₂ 4 种工作气体。实验过程中,通过调节气体压强和阴极电流、改变各种工作气体配比等手段优化DCN 激光器输出功率。实验结果显示：输出功率随电流的增大会达到饱和,在电流为1.0A 输出功率达到最大;输出功率随压强先增大后减小,在压强为32Pa 时达到最大值;工作气体的最佳配比为He: CD₄: D₂: N₂=2: 3: 5: 3。     

高深宽比倾斜沟槽的深硅刻蚀技术

针对微电子机械系统(MEMS)行业对3D加工日益增长的需求,提出了一种结合法拉第笼和倾斜衬底支架,利用改进的BOSCH工艺进行任意角度深硅刻蚀的创新工艺方案。首先通过仿真计算对法拉第笼的特征尺寸进行了优化,进一步采用法拉第笼和用于制备倾角的衬底支架,对BOSCH工艺参数进行了调整,最终获得了倾角为30°、深度超过25μm、深宽比高达7.9∶1的倾斜沟槽。结果表明利用法拉第笼和倾斜衬底支架,采用深硅刻蚀工艺可以制备高深宽比的倾斜沟槽,而且沟槽角度可以通过加工不同倾角的支架实现。结合法拉第笼和倾斜衬底支架进行等离子体刻蚀可为其他倾斜结构的制备工艺提供参考。     

具源项的波动方程的非古典对称

给出了具源项的波动方程的非古典对称的完全分类和相应源项的所有可能的具体表达式.除了古典对称对应的巳知源项外,获得了允许非古典对称的新源项,其中包括著名的演化方程,如线性(齐次和非齐次)波动方程,双曲Liouville方程和Klein-Gordon方程等.这些结果解答了Clarkson在2001年中提出的关于波方程非古典对称的公开问题.同时,用分类中得到的对称,通过求不变解构造了以上演化方程的一些新的精确解.     

时间监控双离子束溅射沉积制备荧光滤光片

文章对中心波长为488nm、520nm、560nm和600nm的专用滤光片进行了研制,为保证通带高透过率的要求和对背景光的高效抑制,采用单基片进行膜系叠加的方法进行了组合带通滤光片的设计,并采用时间监控膜厚的双离子束溅射沉积薄膜技术进行了镀制,成功的制备出供生化仪使用的一系列荧光栅滤光片。     

极性晶体中极化子效应对界面强耦合激子性质的影响

在Huybrechts关于强耦合极化子的模型基础上,采用LLP变分法研究了极性晶体中激子与IO声子强耦合、与LO声子弱耦合体系的基态能量,推导出了激子的自陷能和诱生势的表达式,并以AgCl/AgBr晶体为例进行了数值计算,结果表明,激子的自陷能不仅与激子的坐标z有关,而且电子-空穴间距离ρ对激子自陷能的影响也十分显著;激子的诱生势不仅与电子-空穴间距离ρ有关,而且激子距离晶体界面的位置z对诱生势的影响也十分显著.     

二维强耦合磁双极化子的自旋极化基态性质

基于Lee-Low-Pines变分法研究了抛物量子点中二维强耦合磁双极化子的自旋极化基态性质,推导出磁双极化子的基态能量E0和声子平均数珡N随量子点受限强度ω0、介电常数比η、电子-声子耦合强度α和磁场的回旋频率ωc的变化规律。结果表明,磁双极化子的声子平均数珡N随α、ω0和ωc的增加而增大;磁双极化子的基态能量由两电子的单粒子能量Ee、两电子间库伦相互作用能Ec、电子自旋与磁场相互作用能ES、电子-声子相互作用能Ee-ph四部分组成;电子-声子相互作用能Ee-ph总是小于零,其绝对值随α、ω0和ωc的增加而增大,它是束缚态磁双极化子形成的有力因素;限定势和电子之间的库伦排斥能的存在不利于束缚态磁双极化子的形成;电子自旋-磁场相互作用的效应ES导致基态能级的"精细结构"。     

Improvement of carrier distribution in dual wavelength light-emitting diodes

The effect of different barriers between green and blue light regions in dual wavelength light emitting diodes was studied.Compared with a traditional sample,electroluminescence and photoluminescence spectra of the newly designed samples showed peak intensity improvements and smaller blue-shifts with increasing injection current level,and the bottom quantum-wells light emitting is enhanced.All these phenomena can be ascribed to reduced barrier thickness and indium doping in the quantum-barrier influencing electric fields and more holes injecting into the bottom QWs.