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151.
An internal Brewster guided-mode resonance (GMR) filter is designed. For this kind of GMR filter, the Brewster reflection occurs at the interface of grating/waveguide layers rather than at the interface of air/grating layers. At Brewster angle of 60~, the GMR filter owns almost 100% reflection at the resonance wavelength of 800 nm with the full-width at half-maximum (FWHM) of 0.2 nm. Its angle response changing with the fabrication deviation is also discussed. 相似文献
152.
电子束蒸发镀膜速率控制 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了电子束蒸发镀膜速率控制的基本原理和方法,选取实际生产中大量使用且蒸发特性较难控制的SiO2和HfO2,对两者的电子束蒸发速率控制分别进行了实验研究.采用比例积分微分(PID)闭环反馈控制,通过Ziegler-Nichols工程经验公式进行原始参最整定,并在实验的基础上对控制器的原始参量进行调整以及对积分作用和微分作用进行分区处理,速率控制的实验结果表明,采用该参量整定方法并结合工艺流程的改进,能获得良好的速率控制.针对速率控制中存在的难点问题进行了分析,并提出改进措施:将速率控制和电子枪扫描控制相结合能进一步改善速率控制. 相似文献
153.
计算了适用于193nm增透膜设计与制备的基底与薄膜材料的光学常数,并在此基础上对193nm增透膜进行了设计、制备与性能分析.发现基底材料的吸收损耗对增透膜元件的影响很大,超过一定值时,增透膜元件的设计透过率将达不到理想水平.对单面增透膜的设计与制备结果表明,当吸收损耗降低到一定程度,散射损耗成为不可忽略的因素.采用热舟蒸发方法实现了性能良好的193 nm减反射膜,剩余反射率在0.2%以下.
关键词:
193nm
增透膜
光学损耗
剩余反射率 相似文献
154.
155.
156.
1064 nm倍频波长分离膜的制备与性能研究 总被引:3,自引:4,他引:3
通过对主膜系添加匹配层并借助计算机对膜系进行优化,设计出结构规整、性能优良的1064ilm倍频波长分离膜。用电子束蒸发及光电极值监控技术在K9玻璃基底上沉积薄膜,将样品置于空气中在260℃温度下进行3h热退火处理。然后用Lambda 900分光光度计测量了样品的光谱性能;用表面热透镜(STL)技术测量了样品的弱吸收值;用调Q脉冲激光装置测试了样品的抗激光损伤阈值(LIDT)。实验结果发现,样品的实验光谱性能与理论光谱性能有很好的一致性。退火前后其光谱性能几乎没有发生温漂,说明薄膜的温度稳定性好;同时退火使样品的弱吸收减小,从而其激光损伤阈值提高。理论和实验结果均表明,对主膜系添加匹配层的方法是1064nm倍频波长分离膜设计的较好方法。 相似文献
157.
LBO晶体上1064 nm,532 nm二倍频增透膜的设计及误差分析 总被引:5,自引:2,他引:5
采用矢量合成法设计了LiB3O5(LBO)晶体上1064 nm,532 nm二倍频增透膜,在1064 nm处的反射率为0.0014%,532 nm处的反射率为0.0004%。根据误差分析,薄膜制备时沉积速率精度控制在 6.5%时,1064 nm处的反射率增加至0.22%,532 nm处增加至0.87%。材料折射率的变化控制在 3%时,1064 nm处的反射率达0.24%,532 nm处达0.22%。沉积速率和折射率控制的负变化不增大特定波长处的剩余反射率。与膜层折射率相比,薄膜物理厚度对剩余反射率的影响小。低折射率膜层的厚度变化对特定波长处的剩余反射率影响最明显,即为该膜系的敏感层。为改善膜基之间的附着力,选择Y2O3或SiO2作为过渡层,从过渡层的厚度匹配和膜层的折射率匹配两方面进行了相应的膜系匹配设计。 相似文献
158.
193nm的ArF准分子激光光刻可将特征线宽推进到0.10μm。重点介绍了193nm薄膜的研究进展及影响薄膜性能的主要因素,并对具体的研究方向进行了总结。 相似文献
159.
对表面热透镜技术测量光学薄膜弱吸收低频调制时不同基底对测量的影响进行了理论分析。用Lambda—900分光光度计测量了K9和石英基底的Ti3O5单层膜的吸收值,将该组样品作为定标片;用表面热透镜装置分别测量了BK7和石英空白基底及HfO2,ZnO两组不同基底不同厚度单层膜样品的吸收。通过分析比较同一工艺条件下镀制的不同基底薄膜样品用与其同种和不同种基底定标片定标测量的结果,表明在低频测量时需要用与测量样品同种基底的定标片定标;不同厚度样品的测量结果表明,在不能严格满足热薄条件时,测量结果需引入修正值。 相似文献
160.