飞秒激光诱导掺锰玻璃长磷光和光激励长磷光

报道了掺锰氟铝磷酸盐玻璃在聚焦的800nm飞秒激光作用后产生明显的黄绿色长磷光以及当长磷光完全衰减后，再用365nm的紫外光激发时，飞秒激光照射处的光激励长磷光现象。讨论了该现象产生的机理和在三维超高密度光贮存中的应用。     

ZrO2掺杂及其工艺参数的对AC-PDP介质保护膜结晶取向的影响

在电子束蒸发镀膜工艺条件下,掺杂含量、基板温度和蒸镀速率都会对薄膜的结晶取向产生影响.掺杂含量会影响复合膜层的晶面取向和X射线衍射峰的强度,其中ZrO2掺杂比为0.2时,能获得相对最强的(111)晶面衍射峰.而对于复合介质保护膜的制备工艺,则是较低的基板温度和较高的蒸镀速率条件下,更容易形成(111)的晶面取向;较高的基板温度和较低的蒸镀速率条件下,则更容易形成(200)或(220)的晶面取向.     

富钡第二相对BaTiO_3半导瓷PTC效应的影响

采用SEM、TEM、EDAX、X射线等实验手段研究Ba:Ti物质的量比r(Ba,Ti)>1的BaTiO_3系统的显微结构和相组成,结果表明,富钡第二相的存在对其烧结、PTC效应及有关电性能起着极为重要的作用。根据实验结果及缺陷化学的基本原理,认为在r(Ba,Ti)>1的BaTiO_3系半导瓷中,V_(Ti)””空位是极有可能存在的。     

p(x)-Laplace方程的强极大值原理

本文给出了如下形式的p(x)-Laplace方程 -div(|u|~(p(x)-2)u)+d(x)|u|~q(x)-2)u=0,x∈Ω的一个强极大值原理,其中p(x),q(x),d(x)满足一定的条件。     

铅与meso—四（4—溴苯基）卟啉显色体系的研究及食品中铅的测定

研究了在ｐＨ９．２，βＣＤ存在时，非水溶性试剂ｍｅｓｏ四（４溴苯基）卟啉与铅的显色反应，络合物的最大吸收波长为４６８ｎｍ，组成摩尔比为１∶１，铅含量在０～０．４８ｍｇ／Ｌ范围内有较好的线性，表观摩尔吸光系数为５．４×１０５Ｌ·ｍｏｌ１·ｃｍ１。在混合掩蔽剂存在时，此法用于大米、面粉和皮蛋等食品中痕量铅的测定，结果与ＡＡＳ比较令人满意。     

中频脉冲磁控溅射制备氮化铝薄膜

使用中频脉冲磁控溅射技术分别在Si（111）、玻璃以及高速钢基底上沉积A1N薄膜，利用X射线衍射、X射线光电子谱、扫描电镜、紫外荧光、FTIR、精密阻抗分析仪等研究了薄膜的结构、光学及电学性质，结果表明，生成的（002）取向多晶A1N薄膜在可见光区域平均透过率超过75％，在紫外区域也具有较高的透过经，在低频交流区域具有良好的绝缘性。     

偏光棱镜调制器调制光强扰动的理论分析

以格兰-泰勒棱镜为例，根据实验现象对透射光强随旋转角扰动的原因进行了理论分析。实验中发现，透射光强曲线随着入射角的微小变化而偏离马吕斯定律，出现了周期性扰动。通过格兰-泰勒棱镜的单色偏振光束产生的干涉，再加上晶体-空气隙界面处反射比的因素，使得出射光强依赖于入射角。引入了扰动因子的概念，并系统讨论了扰动因子所造成的影响，从而得出了减小扰动的方法。理论研究结果与实验符合较好。为偏光棱镜的优化设计、生产及使用提供了理论基础。     

模式耦合理论在圆周对称长周期光纤光栅建模中的应用

长周期光纤光栅是不同于光纤Bragg光栅的一种光纤光栅器件 ,根据模式耦合理论 ,长周期光纤光栅表现为前向传播的纤芯导模和同向的各阶次包层模式之间的耦合。分析研究了长周期光纤光栅轴向的模场变化。忽略轴向的模式耦合以及包层模式之间的相互耦合作用 ,并认为折射率指数的调制只存在于纤芯中 ,建立了简化的长周期光纤光栅数学模型。对圆周对称轴向均匀型长周期光纤光栅谱特性进行了仿真 ,其结果与实验结果基本吻合 ,表明了简化的数学模型的合理性     

Ca和Ce双原子复合填充p型CamCenFexCo4－xSb12化合物的合成及热电性能

用高温熔融法合成了Ca和Ce复合填充的单相p型Ca_mCe_nFe_{xCo4-xSb12化合物，探索了两种原子复合填充对其热电性能的影 响规律.研究结果表明，填充分数相同时，Ca和Ce两种原子复合填充的p型CamCe nFexCo4-xSb12化合物的载流子浓度和电 导率介于Ca或Ce一种原子单独填充的化合物之间，且随两种原子填充分数m+n的增加而降低 ；赛贝克系数随两种原子填充总量，尤其是Ce填充分数m的增加以及温度的上升而增加；在 相同填充分数时，两种原子复合填充的p型CamCenFexC o4-xSb12化合物的晶格热导率较Ca或Ce一种原子单独填充的化合物 的晶格热导率低，当总填充分数m+n为0.3左右，且Ca和Ce的填充量大致相等时，化合物的晶 格热导率最低.p型Ca0.18Ce0.12Fe1.45Co2.55Sb12.21化合物的最大热电性能指数ZT值在750K时达到1.17. 关键词： skutterudite化合物 双原子复合填充 合成 热电性能}     

两级差分晶体管功放的制作

本文介绍的功率放大器在输入级和电压放大级采用两级非对称结构的差分电路,放大线性好、频响宽,对温漂和电源波动影响抑制力强,音质甜美,韵味十足,值得一试。一、电路原理简要分析图1为本功率放大器的主放大电路,VT2、VT3构成输入级差分电路,VT1、LED1、R4、R9及C2组成输入级差分电路的恒流源电路。LED1正常发光时其正负端电压差恒定在1.8V～2V之间,噪声小于稳压二极管,常用于功放电路。其正负端的1.9V左右电压差作用于VT1发射结回路,使VT1射一集电流恒定在(1.9V￣0.6V)/680Ω≈1.9mA。在VT2、VT3差分输入电路参数完全对称的情…