二氧化钒薄膜低温制备及其太赫兹调制特性研究

针对二氧化钒(VO2)薄膜在可调谐太赫兹功能器件中的应用,利用低温磁控溅射技术,在太赫兹和光学频段透明的BK7玻璃上制备出高质量的VO2薄膜.晶体结构和微观形貌分析显示薄膜为单相VO2单斜金红石结构,具有明显的(011)晶面择优取向,结构致密,表面平整.利用四探针技术和太赫兹时域光谱系统分析了薄膜的绝缘体-金属相变特性,发现相变过程中薄膜电阻率变化达到4个数量级,同时对太赫兹透射强度具有强烈的调制作用,调制深度高达89％.通过电学相变和太赫兹光学相变特性的对比研究,证实薄膜的电阻率突变主要与逾渗通路的形成有关,而太赫兹幅度的调制则来源于薄膜中载流子浓度的变化.该薄膜制备简单,成膜质量高,太赫兹调制性能优异,可应用于太赫兹开关和调制器等集成式太赫兹功能器件.     

基于圆台结构的超宽带极化不敏感太赫兹吸收器

本文提出一种基于圆台形吸收单元的超宽带、极化不敏感的超材料太赫兹吸收器. 该超材料吸收器采用金属薄膜金和介质层二氧化硅交替叠加的多层结构. 采用商业软件CST Studio Suite 2009时域求解器计算了其在0–10 THz波段内的吸收率A（ω）,在2–10 THz之间实现了对入射太赫兹波的超宽频带强吸收. 仿真结果表明,由于其圆台形单元结构,在器件垂直方向上形成一系列不同尺寸的微型吸收器,产生了吸收频点相连的多频吸收峰. 利用不同吸收峰的耦合叠加效应,获得超过8 THz的超宽带太赫兹波吸收,吸收强度达到92.3%以上. 这一结构具有超宽带强吸收,360°极化不敏感以及易于加工等优越特性,因而在太赫兹波探测器、光谱成像以及隐身技术方面具有潜在的应用. 关键词： 太赫兹波 超材料吸收器 圆台结构 超宽带     

微波集成隔离器的仿真与设计

通过在旋磁基片上集成结环行器和TaN功率薄膜负载,设计出了小型化的微波隔离器.利用电磁场仿真软件HFSS对设计进行建模、分析和改进,得到在8～9 GHz内,隔离度大于20 dB,插入损耗小于0.5dB,电压驻波比小于1.25的集成化隔离器.设计所得的微波隔离器达到了应用的指标,且符合微波通信器件小型化和集成化的发展要求.     

基于科赫分形的新型超材料双频吸收器

本文提出了一种基于科赫(Koch)分形结构的新型超材料双频吸收器,其由二阶科赫分形阵列、介质层和金属背板三部分组成.通过利用分形结构的空间填充性,其单元尺寸在相同吸收频率下相对于具有正方形谐振结构的传统吸收器有近17.5%的尺寸缩减.与传统实现多频工作的组合法、层叠法不同,该型吸收器的双频特性来源于科赫分形曲线在电磁波激励下呈现出的两种不同的谐振模式.而且由于结构上具有旋转对称性,该型吸收器对入射波的极化方向不敏感,在横电波、横磁波大角度入射时仍能保持较高的吸收率.文中采用等效介质理论对该型吸收器进行了分析,测量结果与仿真结果取得了较好的一致性.     

P_2O_5-Bi_2O_3掺杂对NiCuZn/PZT电磁性能的影响

首先用sol-gel法制得Pb0.95Sr0.05(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)纳米粉料,然后用固相法制备NiCuZn/PZT铁氧体/陶瓷复合材料,研究了P2O5-Bi2O3复合掺杂对复合材料微观结构及电磁性能的影响。结果表明:当w(Bi2O3)=2.5%时,引入适量的P2O5,不仅可使品质因数Q值提高到55,同时起始磁导率和烧结体密度分别提高到19和6.01g/cm3,介质损耗下降到0.025。其电磁性能满足电容器和电感器件的制作要求,有望成为用于叠片式滤波器的电感、电容复合双性材料。     

二阶非线性光学聚酰亚胺的合成及性能

以1,2,4-苯三酸酐（TMA）、间氨基苯甲（ABA）为原料,经溶液聚合、化学亚胺化后,得到双羟基封端的聚酰亚胺（Ⅱ）,使其与分散红19（DR-19）发生酯化反应,制备了一种侧链上含DR-19结构的聚酰亚胺非线性光学材料。该聚合物的玻璃化温度（Tg）为155℃,耐热温度超过285℃,在室温下放置7d序列参数能保持初值的97．5％,具有良好的耐热性能与取向稳定性。     

一种双耦合双混频中频信号功率反馈电路

在自动电平控制系统中,常用功率反馈电路存在一个主要限制:调幅动态范围受限于电平检波器和相关电路,使其远远低于线性调制器的功率可变范围。文中介绍了一种双耦合双混频中频信号功率反馈电路,使检波器只需检测固定中频信号的功率大小即可反馈调节射频输出信号的功率幅度。经测试,电路射频输入信号在24 GHz变化时,得到的中频信号频率固定不变,等于晶振信号54 MHz。线性调制器的衰减量在031.5 dB变化时,中频信号功率与射频输出信号功率成良好的线性关系,满足预期的设计要求。     

Fe-Doped Polycrystalline CeO2 as Terahertz Optical Material

Fe-doped CeO2 is synthesized by ceramic method and the effects of Fe doping on the structure and properties are characterized by ordinary methods and terahertz-time domain spectrometer （THz-TDS） technique. Our results show that pure CeO2 only has a small dielectric constant ε of 4, while a smell amount of Fe （0.9 at.%） doping into CeO2 promotes densification and induces a large e of 23. From the THz spectroscopy, it is found that for undoped CeO2 both the power absorption and the index of refraction increase with frequency, while for Fe-doped CeO2 we measure a remarkable transparency together with a fiat index curve. The absorption coefficient of Fe-doped CeO2 at frequency ranging from 0.2 to 1.8 THz is less than 0.35 cm-1, implying that Fe-doped CeO2 is a potential THz optical material.     

实用化静磁表面波带通滤波器研究

根据静磁表面波的基本理论建立了静磁表面波带通滤波器的设计模型 ,以实用化的静磁表面波带通滤波器为目标 ,重点考虑了静磁表面波带通滤波器的中心频率与带宽控制问题 .依据模型对滤波器进行了设计、制作和测试 .实际制作的滤波器性能指标为 :中心频率调谐范围为 4 .2～ 5 .2GHz、3dB带宽 180MHz± 6MHz、插损 11dB左右、带外抑制大于 30dB ,与理论设计结果基本一致 ,从而得到了实用化静磁表面波静磁波带通滤波器的原形 .进一步提高器件的中心调谐频率 ,在毫米波段将有广阔的发展前景 .     

64 单元X 波段高增益圆极化微带阵列天线设计

采用双层矩形贴片加切角的结构设计圆极化单元,并将其组成应用于X 波段64 单元高增益圆极化微带阵列天线。天线基板采用Taconic-TRF,介电常数4. 5,厚度0. 81mm,损耗角正切0. 0035。利用Ansoft HF-SS 软件对单元及阵列模型进行仿真优化。通过实际测试,64 单元阵列天线轴比AR<6dB 的带宽500MHz,增益达到21. 2dB,S11 <-10dB 的相对阻抗带宽达到6. 9%,天线具有良好的圆极化和阻抗匹配特性。圆极化天线具有较强的抗干扰能力,可很好地应用于电子侦察、电子对抗等领域。设计的圆极化微带阵列天线为组成更大阵列的天线以及构建相控阵天线提供了单元基础。