NiFe/Ag/NiFe纳米结自旋晶体管研究

利用直流磁控溅射工艺和掩膜技术研制出新型NiFe/Ag/NiFe全金属自旋晶体管试样。该薄膜磁阻系数ΔR/R≥9%,全金属自旋晶体管试样集电极电流变化MC>587%(常温),且其性能随基极Ag层厚度减小而增强。全金属自旋晶体管具有电流放大、存贮及逻辑电路等功能,,有望替代现有的晶体管而应用于半导体大规模集成电路。     

Room-Temperature Ferromagnetism of Co-Doped CeO2 Thin Films on Si（111） substrates

Using Co2O3 as the Co source, doped cerium oxide thin films with the composition of Ce0.97C00.03O2-δ （CCO） are deposited on Si（111） and glass substrates by pulse laser deposition technique. X-ray diffraction reveals that CCO films with （111） preferential orientation are grown on Si, while the fihn on glass is polycrystalline with nanocrystal. X-ray photoelectron spectroscopy shows that the （Jo displaces the （;e atom and exists in high spin state rather than low spin state, which contributes to the room-temperature ferromagnetism confirmed by vibration sample magnetometer. I~ilms on Si and glass are different in ferromagnetism, which is believed to be induced by different film microstructures. Based on these results, the possible ferromagnetism in this insulating film is discussed. Anyway, successful fabrication of CCO films with room-temperature ferromagnetism on Si substrates is of great importance in both technological and theoretical aspects.     

自旋晶体管的最新研究进展

自旋晶体管是指利用电子自旋自由度构建的在结构上类似于传统半导体晶体管的三端自旋器件。对基于自旋劈裂的磁双极型自旋晶体管、基于热电子输运的自旋晶体管和基于Rashba效应的自旋晶体管的最新研究动态进行了评述,并对其发展前景做了展望。     

光子晶体在宽频天线中的应用

本文提出了一种应用于宽频螺旋天线的类蜂窝结构的光子晶体平面反射腔,相较于普通的吸收式反射腔,蜂窝光子晶格单元光子晶体反射腔体的反射效果虽不是很稳定,但是在一定频段里取得了较好的反射效果,可获得较大的增益,在某些频段可实现大于10dbi 的增益值。     

一种新型无芯PCB 平面电感器研究

本文主要介绍了在印制板上制作无芯电感的方法，分析了其结构和性能，并采用数值计算方法建立了平面电感计算模型，为设计电感提供了一条切实可行的途径。采用现代化的印制板技术，可以精确地控制电感器的绕线宽度、线间距，克服了机器绕线一致性差的缺点，并使电感从三维向两维发展，为器件的表面贴装打下了基础。     

非均匀晶化Bi和Ba代替DyIG膜的法拉第效应研究

报道了快速循环晶化Ｂｉ和Ｂａ代替ＤｙＩＧ磁光膜的实验结果，发现在累加退火时间小于３分钟时（温度６５０～６８０℃）膜内部存在非晶区域和沿厚度晶化不均匀现象。导出晶相与非晶相界面法拉第角计算公式。计算结果表明，界面效应导致膜整体法拉第效应减弱。     

磁阻传感器的多相滤波模型

提出了一种新颖的倾斜多相滤波(SMPF)磁阻器件设计模型,采用这种SMPF模型设计的磁阻传感器,可以滤去n(n=2,3,4…[V])次谐波;倾斜相角Δθ=2π/3时,波形畸变最小;具有正弦输出的编码器被研制,实验发现当倾角φ=5°[p=0.8mm,l=3mm,Δθ=2π/3]时输出为正弦波,与SMPF理论值φ=4.904°相吻合,这一结果可以广泛于磁阻传感器领域。     

偏压对溅射ITO膜载流子浓度和迁移率的影响

研究了基体偏压对 ITO 膜载流子浓度和迁移率影响的机理,并就载流子浓度和迁移率随偏压变化的实验结果与理论结果作了比较,两者基本吻合。获得了n_e=3.2×10~(20)cm~(-3),U_H=50cm~2V~(-1)s~(-1)的 ITO 膜。     

Coupled THz Waveguide Utilizing Surface Plasmon Polaritons on Thin Dielectric Slab Sandwiched between Two Corrugated Metallic Claddings

We present a comprehensive experimental study of terahertz （THz） wave propagation utilizing surface plasmon polaritons （SPPs） on the interfaces of a thin dielectric core layer sandwiched between two corrugated metallic claddings. THz wave impinges on the structured surfaces at normal incidence. Long-lasting oscillation propagation features are observed in the temporal waveform after traveling through the periodic arrays. The enhanced THz transmission can be achieved due to the coupling between incident waves to SPPs at the bottom and top interfaces. The finite element method is used to simulate the field distribution and the transmission mode in the waveguide. The hybrid waveguide with low absorption has great potential applications in THz integrated devices.     

制备工艺对PZT/NiCuZn复合材料电磁性能的影响

采用sol-gel法、固相反应法和掺杂的sol-gel法三种制备工艺,制备了PZT与NiCuZn质量比为3:7和4:6的两种铁电/铁磁复合材料。研究了不同制备工艺对低温烧结复合材料显微结构和电磁性能的影响。结果表明:三种制备工艺都能很好地实现900℃低温烧结,且所制复合材料的ρv大于5.2g·cm–3,μi大于19,Q值大于265,ε′大于45。相对而言,掺杂的sol-gel法所制材料性能最好,其次是固相反应法,再次是sol-gel法。但是,从适于批量生产以及降低成本的角度考虑,固相反应法更符合实际。