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11.
介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术;(3)接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术;(4)大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术;(5)电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术.该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作,实现了20nm线条曝光,研制成功了27n m CMOS器件;进行了50nm单电子器件的演试;并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.  相似文献   
12.
193 nm光刻散射条技术研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了193nm光刻中的散射条技术,并利用标量衍射和傅里叶光学理论,对掩模和光瞳平面上衍射图形的空间频率进行了深入的分析,从理论上解释了散射条的工作原理。通过商用光刻模拟软件PROLITH,对散射条的参数进行了优化,并总结出193nm光刻中孤立线散射条的优化方法。  相似文献   
13.
针对只需单次曝光的菲涅尔波带片器件,给出了结合电子束光刻和热压印光刻进行大规模复制的完整工艺路线,即首先采用电子束光刻制作热压印模版,之后用热压印光刻进行波带片的大规模复制,所制得的波带片图形的最外环宽度为250 nm,直径为196μm,环数为196环.初步实验结果表明,这种方法具有很好的重复性和易用性,且可以进行低成本波带片的精确复制.  相似文献   
14.
纳米压印光刻模版制作技术   总被引:4,自引:0,他引:4  
在下一代光刻技术中,光刻的成本越来越高,这使得工业界开始寻找新的技术。纳米压印作为非光学的下一代光刻技术,具有分辨率高、成本低、产率高等诸多优点,因而可能应用于将来的半导体制造中。同时,纳米压印也可以用于微机电系统(MEMS)和其他纳米结构的图形复制。纳米压印光刻技术主要包括热压印、紫外固化压印和微接触法压印。介绍了在这3种纳米压印光刻技术中,压印模版制作的制作工艺和模版表面的防粘连处理,并且讨论3种压印方法适用的不同领域。  相似文献   
15.
近年来,超宽带(UWB)无线通信成为短距离、高速无线网络最热门的物理层技术之一。许多世界著名的大公司、研究机构、标准化组织都积极投入到超宽带无线通信技术的研究、开发和标准化工作之中。为了使读者对UWB技术有所了解,本讲座将分3期对UWB技术进行介绍:第1期讲述UWB的产生与发展、技术特点、信号成形及调制与多址技术,  相似文献   
16.
介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术;(3)接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术;(4)大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术;(5)电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术.该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作,实现了20nm线条曝光,研制成功了27n m CMOS器件;进行了50nm单电子器件的演试;并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.  相似文献   
17.
采用高温熔融法制备了Tm3+/Er3+/Ho3+共掺的铋硅酸盐50SiO2-40Bi2O3-5AlF3-5BaF2玻璃。研究了在808 nm激光器(Laser Diode)激发下Tm3+/Er3+/Ho3+共掺的铋硅酸盐在2 060 nm处的发光性能,同时测试及分析了该铋硅酸盐玻璃的差热特性、吸收光谱及荧光光谱。根据吸收光谱以及Judd-Oflet理论,计算了Ho3+的Judd-Oflet强度参数Ωtt=2,4,6)以及Tm3+/Er3+/Ho3+相应的吸收截面。铋硅酸盐玻璃中,Tm2O3、Er2O3和Ho2O3掺杂浓度分别为0.75%、1.0%和0.5%时,2 060 nm处Ho3+5I75I8发射峰强度达到最大。对Tm3+/Er3+/Ho3+ 3种离子的光谱性质和离子间可能存在的能量传递也做了分析。Ho3+在1 953 nm处的最大吸收截面σabs为9.08×10-21 cm2,在2 060 nm处的最大发射截面σem为11.68×10-21 cm2,辐射寿命τmea为2.75 ms,具有良好的增益效应σemτ(3.212×10-20 cm-2·ms)。  相似文献   
18.
下一代移动通信系统必须具有更高的传输速率和更好的传输性能,多输入多输出(MIMO)天线技术能够极大提高系统的信道容量从而满足要求.为了提高频率利用率和传输可靠性需要研究MIMO系统中的空时编码技术,文章介绍了目前主要的空时编码技术:空时格状编码和空时分组编码技术,同时指出MIMO系统在天线相关性、接收端复杂性、与单天线系统整合等方面仍存在问题.  相似文献   
19.
本文介绍了一种双音多频编解码板的设计方案及软件编制,并给出了应用实例。  相似文献   
20.
氮杂环丁烷类化合物是一类重要的饱和四元含氮杂环化合物,在药物研发中有着广泛的应用。本文以二苯甲胺和环氧氯丙烷为起始原料,在碱性条件下反应关环构建N-杂环丁烷母核,之后依次发生羟基的氧化、Wittig反应生成环外双键,随后采用硼氢化氧化反应将双键转化为羟甲基,最后氢化脱去二苯甲基得到目标产物3-羟甲基氮杂环丁烷,反应的5步转化总收率为40%。该合成方法操作简单,原料廉价易得,避免了剧毒试剂的使用,具有很好的工业化前景。  相似文献   
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