《IBS—300型》离子束溅射装置

由于离子束溅射法可以在高真空条件下成膜,能够精确地控制膜的生长过程,生长出理想的合金和化合物,而且可在室温附近成膜。因此可用以生长出所有无机材料和各种结晶构造的膜。但是,由于装置的构造复杂,价格高,成膜速度缓慢,成膜面积受到限制等问题,现在成膜的例子大部分还处于研究开发阶段。最近,由于研制成输出束流大的离子枪,因而大幅度地提高了成膜速度,使这种技术向实用化的方向迈进了一大步。     

在GaAs和InP晶片上用PECVD法淀积Si_3N_4膜

本文报导用PECVD法成功地在GaAs和InP晶片上制作了Si_3N_4膜。文中给出了不同射频功率、淀积温度及Si/N比条件下所得到的淀积速率、薄膜折射率及腐蚀速率等主要实验数据。首次报导直接利用椭圆偏振光测厚仪测量GaAs和InP衬底上所淀积的Si_3N_4膜,同时用红外透射光谱分析了Si_3N_4膜。     

晶体管模拟电感串谐回路的计算机分析及在收录机音调控制部分的电路设计

一种由晶体管模拟电感组成的新的串谐电路,目前已用于国外引进的高保真立体声声频设备中。本文从理论上分析了这种电路的原理、推导了回路阻抗函数及谐振频率函数表示式、编制计算机程序,绘制了音调控制器设计的诺模图,用实验方法验证了其特性、探讨了线路的优化设计方案。文中所推得的理论公式和诺模图在设计中有一定的实用价值。     

车载信息终端及关键器件的现状与展望

最近上市的高级轿车中,应用了100个以上的电子工作模块,这些模块构成了典型的ASV(Advanced Safety Vehicle)系统.ASV是实现安全舒适交通生活的关键技术,也是实现智能交通非常重要的技术之一.     

Effects of Helium Implantation and Subsequent Electron Irradiation on Microstructures of Fe-11 wt.% Cr Model Alloy

Helium effects on dislocation and cavity formation of Fe-11 wt.% Cr model alloy are investigated. Single-beam(electron) and dual-beam(He~+/e~-) irradiations are performed at 350℃ and 400℃ using an ultra-high voltage electron microscope combined with ion accelerators. In-situ observation shows that the growth rate of dislocation loops is reduced in the helium pre-injected specimen. The mean size of cavities decreased in the helium preinjected specimen. The possible mechanisms are discussed.     

小型直喷式柴油机燃烧室内喷雾碰壁的试验研究

本文采用透射光衰减法研究了小型直喷式柴油机燃烧室内喷雾碰壁特性，并与大气开放条件下和定容燃烧模型室内的研究结果进行了比较。在喷雾碰壁前后，当量喷雾锥角突然增大，然后减小。在正常涡流比条件下，燃烧室内涡流显著地影响壁面油柬的扩展，但未碰壁油束的弯曲量很小。着火前，在燃烧室内喷嘴附近混合气最不均匀。     

模拟/数字电路的协调设计

设备厂家正在应付有关模拟性在设备设计中发挥作用,这就是模 模拟性质的故障指的是电路中质的各种问题:为了抑制噪声而支 拟/ 数字电路协调设计—对于噪声模拟性质的行为所引发的电磁辐射付的元器件费用激增;购买的集成引发的故障等防患于未然。而且, 噪声、信号完整性、电源的抖动等电路达不到技术规格标明的性能避免芯片“黑盒子”化并发挥其性问题。在很短的开发周期内,设计等。在这当中,新型的设备设计工 能,削减开发成本又缩短开发周工程师要利用有限的成本制定出解程师正在成为模拟技术和数字技术…     

信号处理降低成本和功耗是处理器的发展方向

在信号处理方面，有关如何降低功耗、缩小芯片面积的演讲成为此次专题研讨会的重点。比如，为了降低基于UWB的高速通信及H．264／MPEG-4AVC的HDTV图像解码处理等复杂的信号处理芯片的成本和功耗，必须提高在电路、算法及系统各方面的开发能力。