不同温度下半导体硅势垒的正向I-V特性曲线的汇聚特性

以正向电压为自变量,以正向电流的对数为应变量,以温度为参数得到的p-n结的I-V-(T)特性曲线在第一象限中近似汇聚于一点.汇聚点对应的电压近似等于半导体材料的禁带宽度.汇聚点可以用来获取任意温度下的I-V特性曲线.     

用ΔV_(be)法对双极晶体管结温不均匀性的测量

考虑到结温分布不均匀的情况 ,对用 ΔVbe法测量双极型晶体管的结温进行了研究 .当结温分布均匀时 ,测得的结温与测试电流无关 ;当结温分布不均匀时 ,小测试电流测得的结温高 ,大测试电流测得的结温低 ,测得结温随测试电流的变化范围随结温分布不均匀度的增加而增大 .这一现象可用来判别双极晶体管结温分布的不均匀性 .     

半导体功率器件结温的实时测量和在线测量

克服了器件在大电流测试时温度系数测不准的难题,帮助国际标准完善了实时测量和在线测量结温的方法,即在加热的同时,不改变加热状况的情况下,直接把加热电流当作测量电流,借助于校准曲线从而测量出晶体管的结温.     

晶体管红外热像图的热谱分析方法

使用自编的分析软件,根据比色法对所摄取的晶体管红外热像图进行了热谱分析,给出了晶体管发射区热谱和发射区一维温度分布曲线.一维温度分布曲线给出了整个发射区的结温分布情况,并可直接读取发射区的峰值结温和最低结温,还可以计算出平均结温.晶体管热谱是表示晶体管结温不均匀性的一种与热像图不同的新方法.