网秦飞流演双簧 流氓软件欺诈用户

截止2011年1月,我国手机用户已达8．7亿,如此庞大的市场规模,使很多不法公司开始将黑手伸向了用户的手机。目前手机市场里中充斥着大量的水货手机,大多是英文版操作系统,为了便于在国内销售,要安装中文系统,业内称之为“刷机”。2011年央视3·15晚会中,便曝光了网秦杀毒软件和飞流下载软件“演双簧”,共同欺骗消费者谋取不法收益的黑幕。网秦、飞流等软件商通过刷机将自己的软件内置到手机,一个造毒一个杀毒,一唱一和掏空消费者的口袋。     

信号源复反射系数测量技术研究

详细研究了基于功率技术的信号源复反射系数测量方法。此方法采用相对功率,通过插入不同的二 端口网络得到不同的方程以求解信号源的复反射系数,测量不确定度大大降低。以测量功率计50MHz 参考信号源 和安捷伦8267D 为例采用精确方程和图解近似方法详细分析了此测量过程。这一方法可以运用到其他信号源反射 系数测量中。     

浅谈降低通信基站项目施工成本费用的措施

随着经济社会的发展,人们对信息的需求越来越大,迫使运营商不断加强基础网络建设,施工环境的不断恶化、物价水平的提高、人工成本的上涨,都加剧了施工成本的增加。     

间隙对金属锡爆轰加载过程的影响

采用高能炸药透过钢板对锡样品开展爆轰加载实验,并通过数值模拟对实验结果进行验证,分析不同间隙对爆轰加载过程的影响。研究结果表明:亚毫米级别的样品间隙能对实验结果会产生显著影响;一方面锡样品与钢层间的间隙将导致冲击波在间隙表面发生强反射,反射稀疏波在钢层与炸药界面再次反射形成较强的后续压缩冲击波,进而导致锡样品的加载压力显著升高,另一方面,金属层间与炸药间的间隙将导致加载压力降低;相较于金属层间与炸药间的间隙,锡样品与钢层间的间隙对加载影响更严重,并且随着间隙尺寸变化,两种情况中间隙影响的变化趋势也有所差异。     

一种低暗电流高响度InGaAs/InP pin光电探测器

分析了InGaAs/InP pin光电探测器暗电流和响应度的影响因素,并对MOCVD外延工艺以及器件结构进行优化,从而提高器件响应度和降低暗电流。采用低压金属有机化学气相沉积设备(LP-MOCVD)成功制备了InGaAs/InP pin光电探测器,得到了高质量的晶体材料,InGaAs吸收层的背景浓度低于4×1014 cm-3。利用扩Zn工艺制作出感光区直径为70μm的平面光电探测器。测量结果显示,在反偏电压为5 V时,暗电流小于0.05 nA,电容约为0.4 pF。此外,在1 310 nm激光的辐照下,器件的响应度可达0.96 A/W以上。     

脉动喷注噪声与稳态喷注噪声的关系

在假设气流脉动基本不影响湍流性质的基础上,求得了脉动喷注噪声的声压级公式(90°方向,1m远)。稳态喷注噪声的声压级,相当于脉动频率为零的特例,从而将脉动喷注噪声和稳态喷注噪声统一了起来,实验结果与理论符合。     

两步化学沉积法制备ZnO薄膜及其场发射特性

在低温常压条件下,以ITO玻璃为衬底,采用电化学法与湿化学法结合的两步化学沉积法制备了团簇状ZnO薄膜。利用XRD,SEM分析了薄膜结构和表面形貌,并采用二极管结构在高真空条件下对薄膜进行了场发射性能测试。稳定发射后,开启电场为3.0 V/μm。当电场为5.8 V/μm时,电流密度为583.3 μA/cm²。研究表明:两步化学沉积法低温制备ZnO薄膜是可行的,且该薄膜具有良好的场发射性能。     

燃烧室声槽等效深度的有限元分析

本文讨论了开腔振动问题的有限元计算中边界条件的处理。用有限元方法讨论了燃烧室声槽的等效深度,并给出了带进口声槽与直声槽的等效关系。     

彩色显像管内金属材料高温放气性能的测试方法

彩色显像管内的金属材料,在真空状态下高温放气性能是一项非常重要的考核技术指标。当显像管工作时,管内零件的温度升高,放出各种不同量的残余气体,成为一个慢性“放气源”,结果使管内的真空度降低,影响管子的技术性能,缩短了使用寿命。一、基本原理对于测定材料的放气量,可以采用很多种方法,例如静态法和动态法。在本实验中,用B—A规和电离规测定具有固定流导的小孔两侧压力差的办法。此法的计算公式如下:Q=u∫_0~τPdt VP_τ式中:Q—在放气时间τ内的累积放气量(乇升/克);P_τ—放气时间为τ时的静压强(乇);V—系统的容积(升)。实际上,取放气时间为τ(大约3分钟)时,P_τ很小,可以认为上式中最后一项为零,这样便可得到:     

混合模式线性移位寄存器的混淆概率分析

1 概述随着现代集成电路的规模不断变大,内建自测试的方法成为近十年来最为成功的方法之一。一个很好的例子就是Intel 80386微处理器,它包含4个PLA电路的内测试电路,使用线性移位寄存器作为测试图形发生器和并行特征分析器。