小型化高温超导微带天线研究

利用“阶梯阻抗”变换设计了一种小型化微带天线，采用在ＬａＡｌＯ３基片上外延生长的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ＹＢＣＯ）薄膜制作成功小型化高温超导微带天线，其效率是相同结构金天线的９．１９倍。     

电子照相印刷领先于非击打式行式-印刷机工艺

据IBM沃森研究中心的格兰特博士在84年6月7日子旧金山召开的信息显示学会讨论会上的一次讲演中谈到，电子照相印刷的速度、分辨率和优质印刷能力继续打消了人们对其复杂性和可靠性的担心。她评述了电子照相印刷法和可以保证它在工艺方面继续占据重要位置的新近研究和发展领域。     

短/中波双色碲镉汞红外焦平面探测器研究

报道了基于分子束外延碲镉汞短/中波双色材料、器件的最新研究进展。采用分子束外延方法制备出了高质量的短/中波双色碲镉汞材料,并优化了材料的质量,材料表面缺陷密度控制在500个/cm-2以内,通过扫描电子显微镜可以看出各层之间界面陡峭,使用傅里叶红外变换光谱仪(FTIR)、X射线衍射(XRD)等方法对材料进行了表征,基于此材料制备出了短/中波碲镉汞双色器件,器件测试性能良好。     

海上通信技术发展与研究综述

随着海上活动日益频繁,海上通信技术的发展有着重要的战略地位。但海上环境复杂多变、通信系统标准不统一等因素导致海上通信发展明显滞后。首先,根据通信方式的不同,将海上通信分为基于空域、陆地、海域和跨域协同4个主要组成部分,从工业界和学术界两个方向概述了全球范围内海上通信的发展进程和研究现状;然后,针对不同系统之间的联系和区别,分析了目前海上通信存在的主要问题;最后,具体阐述了新一代海上通信系统发展所面临的技术挑战,包括海浪运动模型学习、海上信道建模、大气波导效应和微波散射效应。     

微带线法测量介质材料的高温介电常数

微波介质材料的电磁参数决定了其在各领域的应用性能。为探索高温条件下介电常数的变化趋势,文章讨论了设有空气隔热层时的微带线法测量原理,分析了微带线法测量不确定度的影响因素。完成了介质材料1~40 GHz的常温、高温介电常数测量,并对测量结果的不确定度进行评估。测量结果表明:20 GHz以上,介电常数的相对不确定度略有增加,微带线法的测量结果较为准确。     

聚乙烯亚胺-钴络合物对氧还原电流的影响

研究了聚乙烯亚胺 钴络合物 (PEI Co)在电解质溶液中的氧可逆结合特性及对氧还原电流的影响 .PEI Co络合物溶解于电解质的水溶液中 ,在氧气气氛中络合物与氧结合 ,UV Vis光谱在 310nm处出现了新的吸收峰 ,并在 2 80nm处观察到等吸光点 .PEI Co络合物与氧结合平衡曲线服从Langmuir行为 ,络合物与氧结合的亲和力 (p50 )为 0 6 6 7kPa .氧与PEI Co加成物的解离反应表观速率常数为 1 1× 10 5s- 1 ,表明络合物具有快速、可逆的氧结合特性 .在PEI Co络合物存在下 ,氧电极的还原电流显著增加 ,并且随PEI Co络合物的浓度以及气氛中氧浓度的增加而增加 .[PEI链节 ] [Co]=5 1时 ,氧还原电流达到极大值 ,说明PEI Co络合物与氧形成了结构为 [N5CoⅢ O2 CoⅢ N5]的加成物 .     

NIH 3T3细胞中钙离子在间期内增加

本文利用钙离子荧光指示剂Fluo-3和结合DNA的荧光染料Hoechst33342对NIH3T3活细胞进行染色,并用显微荧光分光光度计测定单个细胞中DNA含量和细胞内钙离子浓度,测定出细胞从G_1期经S期到G_2期,细胞内钙离子浓度几乎增加了一倍,每个细胞周期时相中的细胞钙离子浓度是非均一的,但S和G_2期细胞中钙离子浓度从不低于G_1和S期细胞中钙离子的一定浓度,G_0期细胞中钙离子浓度也是非均一的,其中一些G_0期细胞低于G_1期细胞中的钙离子浓度,这种钙离子浓度在细胞周期中的变化可能与细胞周期的调控有关。     

嵌入式微处理器IP core设计与分析

本文在对传统微控制器进行系统分析的基础上,提出了一种较好的改进设计方法。回避了传统微控制器基于累加器的ALU结构及算术逻辑指令;并在指令执行时序上尽量减少指令执行所需的时钟周期。通过仿真验证证明该设计方法提高了指令的执行效率和微控制器的运行效率,同时避免了通常采用并行处理设计中多级流水线设计带来的内部复杂的控制逻辑设计。     

Spin transport in epitaxial Fe3O4/GaAs lateral structured devices

Research in the spintronics community has been intensively stimulated by the proposal of the spin field-effect transistor (SFET), which has the potential for combining the data storage and process in a single device. Here we report the spin dependent transport on a Fe₃O₄/GaAs based lateral structured device. Parallel and antiparallel states of two Fe₃O₄ electrodes are achieved. A clear MR loop shows the perfect butterfly shape at room temperature, of which the intensity decreases with the reducing current, showing the strong bias dependence. Understanding the spin-dependent transport properties in this architecture has strong implication in further development of the spintronic devices for room-temperature SFETs.