MeV能量的重离子辐照GaN的HRXRD研究

分别进行了2.3 MeV20 Ne8+ 离子和5.0 MeV84 Kr19+ 离子辐照GaN样品的实验, 并对实验样品进行了HRXRD的分析。结果发现, 随着这两种离子辐照剂量的增大, GaN的HRXRD谱（0002）衍射峰的峰位出现了向小角侧有规律的移动, 并在较高剂量时衍射峰发生分裂。同时, 对衍射峰的峰位的移动和峰形的变化等现象反映的辐照损伤机制进行了研究, 并探讨了电子能损与核能损各自在晶格损伤中的作用。Irradiation experiments of gallium nitride (GaN) with 2.3 MeV20 Ne8+ and 5.0 MeV84 Kr19+ respectively were performed. The irradiated samples were analyzed using the high\|resolution X\|ray diffraction (HRXRD) spectrometry. It was found that the diffraction peak of GaN (0001) exhibited regular shift to smaller diffraction angles with the increase of ion fluence for the both ions, and the diffraction peak split into a few sub\|peaks at higher irradiation dose. Underlying mechanisms of the observed peak shift and split were investigated, the contributions of different energy losses to the damage accumulation in the irradiated GaN were discussed.     

载能离子辐照的ODS铁素体钢硬化效应的研究

研究了氧化物弥散强化(ODS) 的3 种铁素体钢,包括: 19Cr-3.5Al ODS钢(MA956),16Cr-0.1TiODS和16Cr-0.1Zr ODS铁素体钢,在多能量的氦离子和MeV能量级的Bi、Xe 离子辐照条件下的硬化效应。获得了辐照硬化与原子离位损伤水平(dpa)、He 注入浓度的关系。结果表明,材料的硬度在低剂量范围会随着辐照剂量迅速增加,而在高剂量范围材料的硬度逐渐趋于饱和,可以用1/2 次的幂函数拟合辐照硬化与离位损伤水平之间的关系。不同入射离子——Bi离子和Xe离子都会引起ODS 钢的硬化,而氦离子还会在材料中聚集导致氦泡的形成,造成更加明显的硬化。实验证明,Ti 或Zr 掺杂的16Cr-ODS 铁素体钢较19Cr-3.5AlODS钢具有更强的抗辐照硬化能力,原因可归于其含有更高数密度的细小氧化物粒子——能够有效俘获点缺陷和氦原子,从而有效抑制晶粒内部和晶界出缺陷的长大。The present work investigates the irradiation hardening of ODS ferritic steels after multi-energy Heion implantation, or energetic Bi-ion and Xe-ion irradiation, to get an understanding of dependence of irradiationhardening on atomic displacement damage and gas accumulation. Three kinds of high-Cr ODS ferritic steels including the commercial MA956 (19Cr-3.5Al), the 16Cr-0.1Ti and the 16Cr-0.1Zr ODS ferritic steels were used.The results show that the hardness increases rapidly at the lower doses but tends to saturate at the higher dose.An 1/2-power law dependence on dpa value is obtained. Helium implantation contributes significantly to the irradiation hardening, possibly due to the impediment of the motion dislocations by helium bubbles. 16Cr-ODS (Ti or Zr added) ferritic which contains finer oxide particles in higher number density shows higher resistance to irradiation hardening than the MA056.     

有机电致发光数码显示器件的初步研究

用改进的电子束蒸发系统制作了结构为ＩＴＯ／ＣｕＰｃ／ＴＰＤ／Ａ１ｑ３／ＭｇＡｇ的有机ＥＬ数码显示器件,并对器件进行了实用化封装,测量了器件的Ｂ－Ｖ曲线和电致发光光谱。研究了使用直汉方式和交流方式驱动下器件的性能,证明了使用交流方式驱动的有机电致发光器件较直流昔使用寿命得以大大提高。     

微波电视高增益圆极化天线的设计

本文介绍了采用低剖面螺旋天线作为馈源来设计并最终获得微波电视用的高增益圆极化天线。     

基于Jacobi方法的Hermitian矩阵特征分解算法

对一个Hermitian矩阵进行特征分解,通常都是把矩阵转化为实对称矩阵,这样运算量比较大。为了解决运算量的问题,提出基于Jacobi方法的Hermitian矩阵特征分解算法,该算法减少了运算量,能满足实际中的实时性要求。     

一种大功率半导体激光治疗仪的设计

本文介绍了一种大功率半导体激光治疗仪的光路、电流源及保护电路和恒温控制单元。仪器采用980nm激光作为治疗光束,最大连续输出功率2W,以670nm激光作为瞄准光束。系统由单片机控制,实现了安全、稳定、可靠的运行。     

MOCVD方法在Cu/Si(111)基板上生长ZnO薄膜

采用常压MOCVD方法在Cu／Si（111）基板上生长ZnO薄膜,研究了缓冲层的生长温度对ZnO外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨X射线衍射仪、光致发光谱仪对样品的表面形貌、晶体结构以及发光性能进行了分析。实验结果表明：ZnO／Cu／Si（111）外延膜的性能与缓冲层的生长温度有一定关系。当缓冲层温度控制在400℃附近时ZnO外延膜C轴取向较为明显、晶粒大小较均匀、结构也更为致密,并且PL光谱中与缺陷有关的深能级发射峰也相对较弱。     

嵌入式微处理器IP core设计与分析

本文在对传统微控制器进行系统分析的基础上,提出了一种较好的改进设计方法。回避了传统微控制器基于累加器的ALU结构及算术逻辑指令;并在指令执行时序上尽量减少指令执行所需的时钟周期。通过仿真验证证明该设计方法提高了指令的执行效率和微控制器的运行效率,同时避免了通常采用并行处理设计中多级流水线设计带来的内部复杂的控制逻辑设计。     

硅衬底GaN基LED的研究进展

与蓝宝石衬底相比，硅衬底具有低成本、大面积、高质量、导电导热性能好等优点，普遍认为使用Si片作GaN薄膜衬底有可能实现光电子和微电子的集成，因此Si基GaN的研究受到了广泛关注。本文回顾了Si衬底GaN基LED的研究进展，同时简要介绍了在Si衬底上制备GaN基LED的实验结果，及研制出工作电压为3．6V、串联电阻为31Ω、输出功率近1mW的Si衬底GaN基蓝光LED。     

液相法电沉积类金刚石薄膜的结构分析

采用脉冲直流电源,以甲醇有机溶液作为碳源,在低温(60 ℃～70 ℃)常压条件下,在(100)硅片上沉积了类金刚石薄膜.用扫描电镜、透射电镜、电子衍射谱和拉曼光谱表征了薄膜的表面形貌和结构.结果表明:类金刚石薄膜致密均匀,表面粗糙度小;Raman光谱在1 332 cm-1附近有一强峰,与金刚石的特征峰接近;电子衍射谱的分析结果表明薄膜中含有多晶金刚石和石墨碳相.