生长温度对ZnO薄膜性能的影响

采用常压金属有机化学气相沉积技术在Al2O3(0001)衬底上生长出高质量的ZnO薄膜.用X射线双晶衍射ω和θ-2θ扫描、室温光致发光研究了不同生长温度对ZnO薄膜的结构、发光性能的影响.结果表明,随着生长温度的升高,ZnO薄膜的c轴晶格常数逐渐增大,a轴晶格常数逐渐变小,同时带隙相应逐渐增大.     

工信部无管局局长谢飞波一行到山西无管局检查指导工作

2014年7月15日下午，工业和信息化部无线电管理局局长谢飞波及副局长阚润田、程建军等一行4人到山西省无线电管理局检查指导工作。     

全面防杀ARP木马欺骗打造安全政务网络

目前,从2005年4月份以来,以现象为"arp欺骗"的各种木马在互联网上泛滥,很多局域网、个人电脑深受其害。本文从先Arp病毒主机中毒现象入手,分析了Arp欺骗木马的形成原理,并给出了Arp欺骗木马病毒主机的定位方法,最后给出了几种解决预防Arp木马病毒的方法,从而形成一套完整的病毒解决方案。     

大数据时代亟需强化数据清洗环节的规范和标准

海量数据的不断剧增形成大数据时代的显著特征。而大数据的生产和交易的重要前提之一是数据的清洗。目前,我国已经形成了基本的数据清洗产业格局,但因各自利益的追求,导致仍存在不少问题。因此,我国未来应重点强化数据清洗环节的规范和标准,推动大数据产业的健康发展。     

反应修饰剂ZnSO4和预处理对苯选择加氢制环己烯Ru-Zn催化剂性能的影响

共沉淀法制备了Ru-Zn催化剂,考察了反应修饰剂ZnSO₄和预处理对苯选择加氢制环己烯Ru-Zn催化剂性能的影响。结果表明,反应修饰剂ZnSO₄可以与Ru-Zn催化剂中助剂ZnO反应生成（Zn（OH）₂）₃（ZnSO₄）（H₂O）盐。随反应修饰剂ZnSO₄浓度增加,（Zn（OH）₂）₃（ZnSO₄）（H₂O）盐量的逐渐增加,Ru-Zn催化剂活性逐渐降低,环己烯选择性逐渐升高。因为（Zn（OH）₂）₃（ZnSO₄）（H₂O）盐中的Zn²⁺可以使Ru变为有利环己烯生成的缺电子的Ru^δ+物种,而且还可以占据不适宜环己烯生成的强Ru活性位。但当反应修饰剂ZnSO₄浓度高于0.41 mol·L^-1后,继续增加ZnSO₄浓度,由于Zn²⁺水解浆液酸性太强,可以溶解部分（Zn（OH）₂）₃（ZnSO₄）（H₂O）盐,Ru-Zn催化剂活性升高,环己烯选择性降低。但环己烯选择性却略微降低,这是由于ZnSO₄溶液中大量的Zn²⁺可以与生成的环己烯形成配合物,稳定生成的环己烯,抑制生成的环己烯再吸附到催化剂表面并加氢生成环己烷。在ZnSO₄最佳浓度0.61 mol·L^-1下对Ru-Zn催化剂预处理15 h,Ru-Zn催化剂中助剂ZnO可以与ZnSO₄完全反应生成（Zn（OH）₂）₃（ZnSO₄）（H₂O）盐,在该催化剂上25 min苯转化68.2%时环己烯选择性和收率分别为80.2%和54.7%。而且该催化剂具有良好的稳定性和重复使用性能。     

药物青蒿素与溶菌酶相互作用研究

应用荧光光谱、紫外-可见光谱法研究了青蒿素与溶菌酶的相互作用,发现青蒿素对溶菌酶荧光有猝灭作用。以Lineweaver-Burk双倒数方程和能量传递原理分别计算了二者反应的结合常数(K25℃=646.4L/mol,K35℃=518.8L/mol)和作用距离(r=3.08nm)。实验表明,随着温度升高,溶菌酶与青蒿素的猝灭曲线斜率降低,证明了二者的相互结合作用为单一的静态猝灭过程,其作用机制属能量转移机制。通过测定热力学参数,判断了青蒿素和溶菌酶之间的作用力类型,青蒿素与溶菌酶以疏水作用力相结合,导致溶菌酶内源荧光的静态猝灭。通过青蒿素与溶菌酶的结合反应,探讨了药物青蒿素在生物体内与蛋白酶的相互作用机理。     

实时直接分析高分辨质谱技术研究碳硼烷类化合物

该文运用高分辨质谱技术对实时直接分析(Direct analysis in real time,DART)离子化条件下碳硼烷化合物的质谱行为进行了研究,对碳硼烷化合物DART高分辨质谱中所得到的同位素峰簇进行了表征与归属。研究结果表明,选取的碳硼烷化合物在DART负离子条件下均能得到较好的质谱信号,这可能与硼笼结构的“缺电性”有关。含10个B原子的碳硼烷化合物形成的离子同位素峰簇信号中,通常情况下相对丰度最高的同位素峰中含2个10B以及8个11B。将碳硼烷化合物高分辨质谱分析的精确m/z数据信息与图谱中同位素峰轮廓分析相结合,是碳硼烷化合物有效的质谱定性分析与表征策略。     

ZnO/A1lN/Si(111)薄膜的外延生长和性能研究

用常压金属化学气相沉积法(MOCVD)在Si(111)衬底上制备了马赛克结构ZnO单晶薄膜.引入低温AlN缓冲层以阻止衬底氧化、缓解热失配和晶格失配.薄膜双晶X射线衍射2θ/ω联动扫描只出现了Si(111)、ZnO(000l)及AlN(000l)的衍射峰.ZnO/AlN/Si(111)薄膜C方向晶格常量为0.5195 nm,表明在面方向处于张应力状态;其对称(0002)面和斜对称(1012)面的双晶X射线衍ω摇摆曲线半峰全宽分别为460"和1105";干涉显微镜观察其表面有微裂纹,裂纹密度为20 cm-1;3 μm×3μm范围的原子力显微镜均方根粗糙度为1.5 nm激光实时监测曲线表明薄膜为准二维生长,生长速率4.3μm/h.低温10 K光致发光光谱观察到了薄膜的自由激子、束缚激子发射及它们的声子伴线.所有结果表明,采用金属化学气相沉积法并引入AlN为缓冲层能有效提高Si(111)衬底上ZnO薄膜的质量.     

常压化学气相沉积技术生长ZnO:H薄膜的光学性质

采用常压金属有机物化学气相沉积技术(AP-MOCVD),以二乙基锌(DEZn)为Zn源,去离子水(H2O)为氧源,N2作载气,在外延ZnO薄膜的反应气氛中通入少量氢气,在c-Al2O3衬底上生长出了ZnO∶H薄膜。用X射线双晶衍射和光致发光谱对ZnO∶H薄膜的结晶性能和光学性质进行表征。结果表明,ZnO∶H薄膜(002)和(102)面的Ω扫描半峰全宽分别为46.1 mrad和81.4 mrad,表明该薄膜具有良好的结晶性能;室温下,ZnO∶H薄膜具有较强的紫外光发射(380 nm),在低温10 K光致发光谱中观测到位于3.3630 eV处与氢相关的中性施主束缚激子峰(I4)及其位于3.331 eV处的双电子卫星峰(TES)。采用退火的方法,通过观测I4峰的强度变化,研究了氢在ZnO∶H薄膜中的热稳定性。发现随着退火温度的升高,I4峰的强度逐渐减弱,表明在高温下退火,氢会从ZnO薄膜中逸出。     

多维校正辅助激发-发射矩阵荧光法快速定量及动力学分析土壤中9-羟基芴

9-羟基芴(9-OHF)是一种常见的多环芳烃类环境有机污染物.本文提出了一种基于交替惩罚三线性分解(APTLD)和交替惩罚四线性分解(APQLD)的多维校正与三维荧光技术相结合的新策略,用于快速定量和动力学分析土壤样中9-OHF.选取因子数(F)为5和6,采用基于APTLD的三维校正方法分析拓展的三维数阵,所得土壤样中9-OHF平均回收率分别为(117.6±5.6)%和(111.1±5.1)%,半衰期分别为126.0和111.8 min,但T检验表明其预测值存在显著性差异.接着,采用基于APQLD的四维校正方法解析四维数阵.选取F=5和6,所得土壤样中9-OHF平均回收率分别为(107.8±10.6)%和(104.5±10.3)%,半衰期分别为121.6和105.0 min, T检验表明其预测结果准确可靠.此外, APQLD还给出了较好的选择性和更低的检测下限.结果表明基于APQLD的四维校正方法具有“高阶优势”,通过对四维数阵的唯一性分解,可提供准确可靠的结果,为研究复杂体系分析物的动力学过程提供了一种很有潜力的分析手段.