CdZnTe晶体缺陷的交流阻抗谱研究

宽禁带II-VI族半导体化合物碲锌镉(CdZnTe)晶体是制备室温X和γ射线探测器的理想半导体材料,但其晶体缺陷特性对探测器性能有重要的影响,一直是人们研究的热点与难点。文中采用垂直布里奇曼法生长了CdZnTe晶锭,XRD测试表明晶片呈现(111)取向。通过测试样品不同温度下的交流阻抗谱,研究了晶体缺陷的阻抗特性。结果表明,制备的CdZnTe单晶具有负温度系数效应,化学法制备的Au电极与晶片之间形成了欧姆接触,没有出现电极界面和晶界对阻抗谱曲线影响,晶粒导电机制占主导。利用Arrhenius方程拟合曲线获得晶体缺陷的激活能为0.48 eV,表明晶体缺陷以Cd空位为主。     

使用超声波传感器的楼道照明灯控制装置

为了节省电力、避免无谓的浪费,目前在楼道照明控制装置中大多是采用声控方式和手控方式。本文介绍一种使用超声波传感器的楼道照明灯控制装置。该装置向外发射出40kHz的超声波,当周围的物体是静止的时候,反射到超声波接收器的超声波是恒定的,接收器输出的信号幅度也恒定不变照明灯不变。但是,当周围物体移动时,反射波就不再是恒定不变的了。接收器的输出幅度也就随之发生变化,用检测电路将输出幅度的变化取出、加以放大,使照明灯点亮。 点灯时间可在7～345秒间随意调整。为了使该装     

烟雾报警器的制作

通常用于烟雾报警器和检测空气中烟雾、尘埃微粒的方法有光电式透过型、光电式反射型和半导体式等三种。其中以光电式反射型的检测灵敏度最高,用它制成的烟雾报警器可以对非常稀薄的烟雾作出反应。     

光MOS继电器的交流特性

一、光MOS继电器的特点光MOS继电器的内部结构如图1所示。由图可知光MOS继电器的内部结构与一般的光耦合器件非常相似。其外部开关与封装也与一般的光耦合器件一模一样(照片1)。由发光二极管发射的光经太阳能电池转换成电压,构成MOS场效应管的栅极偏置电压,控制MOS场效应管的通断。输出端用两个MOS场效应管串联连接,可以控制交流信号的通断。与机械触点式继电器相比,光MOS继电器具有     

全场效应管完全对称式输出阻抗可调的功率放大器

完全对称型功率放大器最早应用于真空管直流放大器中,因为对真空管来说不存在互补放大器件,所以用真空管构成SEPP输出级时,只能设计出这种完全对称型的输出级电路。 完全对称型输出级电路不仅仅能在真空管器中应用,在半导体放大器中同样也可以应用。输出级以不加电压反馈的源极接地或者发射极接地方式组成;所以     

采用对称差动放大级的线路放大器

本文向读者介绍一款电路简洁、抑制噪声措施完善的线路放大器。该放大器的信号处理部分由两部分组成,前级为一级对称差动放大级,输出级为两只晶体三管组成的SEPP输出电路。该线路放大器为了有效地抑制各种噪声、在电源电路设计和放大器安装方面的均采取了抑制噪声的措施。此外对直流放大器而言,通常所用的管子均需     

连线通断检测装置的制作

对无线电爱好者来说总免不了要检测印刷电路板上连线的通断状况,此时用蜂鸣检测器要比用万用表的欧姆挡来检测要方便得多。但是当印刷电路板上焊接有集成电路时,使用简单的蜂鸣检测器往往很难对连线的通断状况作出正确的判断,这是因为集成电路所呈现的内阻有时也较小,构成电流通路导致蜂鸣器鸣叫。当然在此种情况下可以改用万用表,通过测量电阻值来判断连线到底是否连通。但操作者