一种新的模拟电路多故障诊断方法

本文提出了一种新的模拟电路多故障诊断方法——组合优化模拟退火法。该方法采用组合优化的思想,综合参数辨识法与故障验证法这两类故障诊断方法的优势,提出了解决测试端口个数小于元件参数个数的诊断方程欠定问题的目标函数,通过模拟退火优化算法对目标函数寻优,可定出故障元件值及非故障元件的容差值,并保证所得解收敛于全局最优。     

立足通信业 创新物联网应用模式

精彩观点集锦:◆物联网是未来工业化和信息化融合结合点,是未来社会发展的非常重要的信息管理控制的手段。◆我们要研究物联网应用的模式。任何一个技术的发展都需要靠应用来推动,如果没有应用的推动,是不可能有技术的更进一步的发展的。     

含环金属铱配合物高分子材料的制备及其氧气传感性能

通过含乙烯键的三联吡啶单体与甲基丙烯甲酯单体的共聚,制备了含配体的线性共聚物（P（MMA-co-TPY））。该共聚物继续与环金属铱二氯桥中间体反应,最终制备出含环金属铱配合物的高分子材料P（MMA-co-TPYIr）。用傅里叶变换红外光谱（FTIR）表征了材料的结构,并用紫外-可见光谱仪、荧光光谱仪研究了材料的光物理性能,最后研究了材料在溶液中的氧气传感性能。结果表明,环金属铱配合物已共价连接到高分子链上,固态下为纯红光发射,波长为638 nm,量子效率为0.035。该材料表现出了较好的氧气传感性能,并且在DMF中的效果最好,纯氮气和纯氧气氛围下的发光强度比为6,氧气检测限能达到0.34%。     

从考研数学阅卷来分析考生的学习质量及应对策略

通过2014年考研数学阅卷,分析考研数学试卷的质量,分析考生的学习质量.通过28年的考研数学题目可以看出,考研数学的题型和难度已经比较稳定.事实告诉考生,不要过分追求那些技巧性的偏题与怪题,要真正把教材内容理解透彻,这就要求准备考研的同学更要打好基础.在掌握基本的概念,性质、定理、公式,方法、知识点后,更要善于把知识融会贯通,熟练运用所掌握的概念,知识,综合运用,并要求有一定的计算能力,才能取得高分.     

大口径锥度光纤SBS种子注入的熔石英棒布里渊放大器特性

使用重复频率为400 Hz的Nd∶YAG单纵模主振荡器功率放大(MOPA)激光器作为光源,大口径锥度光纤作为受激布里渊散射(SBS)种子池产生SBS种子光,固体熔石英棒作为SBS放大池,对反向注入的SBS种子光在熔石英棒中呈现不同增益,也即不同抽运功率条件下的布里渊放大行为从功率、时间和空间三个大的方面进行了详细的实验研究,包括放大的SBS输出功率、注入SBS种子光放大倍率、总的SBS反射率、熔石英棒布里渊放大器提取效率以及脉冲宽度和光束质量随SBS种子注入功率的变化情况等。获得了最高输出15.5 W的放大SBS输出、70倍的SBS种子光放大倍率、大于50%的总反射率以及52%的能量提取效率;观察到脉冲展宽以及布里渊放大器中的增益导引两种现象。实验结果表明,在小信号SBS种子光和大信号SBS种子光注入情况下,熔石英棒布里渊放大器具有不同的放大特性。另外,在实验过程中还发现,SBS种子光和抽运光的空间重合程度以及熔石英棒中抽运功率密度的大小是影响SBS放大输出功率的两个重要方面。     

二嗪类有机光电功能材料的应用进展

在过去的几十年里,有机电子学作为一个新兴领域迅猛发展,为科学技术的进步作出了巨大的贡献.有机材料被应用在各种电子器件中,并取得了卓越的成效.作为使用在电子器件中最基本的组分,有机光电材料更是备受瞩目.二嗪类化合物具有优异的光电性能,是光电材料领域最活跃的研究方向之一.两个N原子相对位置的不同,可以构成三种异构体,分别为哒嗪(1,2-二嗪)、嘧啶(1,3-二嗪)和吡嗪(1,4-二嗪),从而有效地调控材料的电子结构,且可以影响二嗪化合物不同位置的修饰,从而得到了广泛关注.本文对近年来二嗪类化合物在光伏材料、薄膜半导体材料、液晶材料、传感材料和电致发光材料等领域的研究进展进行了较全面的总结和评述,指出目前基于二嗪类化合物的光电材料所面临的困难以及未来的发展方向,最后展望了二嗪类化合物作为杂环类有机光电功能材料的应用前景.     

W／O型乳液的稳定性和水St—DVB乳液悬浮聚合白球的孔结构研究

研究了乳化剂PAG和SPAN复配比例以及某些二价金属离子对W/O型乳液稳定性的影响,同时也研究了St—DVB水乳液的悬浮聚合条件和白球的孔结构。结果表明,水相中存在微量的Mg~(2+)或Zn~(2+),并用适当比例的PAG和SPAN80配制的W/O型乳液具有较好的稳定性;St—DVB水乳液通过悬浮聚合制得的白球部份地具有类似田垄状的孔道结构。     

MOCVD生长的InGaN薄膜中的相分离

利用X射线衍射(XRD)测量用MOCVD生长的InGaN样品,观察到InN相.通过X射线衍射理论,计算得到InN相在InGaN中的含量.通过退火和变化生长条件发现InN相在InGaN薄膜中的含量与生长时N2载气流量、反应室压力和薄膜中存在的应力有关.进一步的分析表明InGaN合金中出现InN相的主要原因是相分离.