Na_2CaSiO_4:Sm~(3+),Eu~(3+)荧光粉的发光特性和能量传递

利用高温固相法合成Na_2CaSiO_4:Sm~(3+),Eu~(3+)系列荧光粉末,研究了Sm~(3+)和Eu~(3+)掺杂对Na_2CaSiO_4晶体结构的影响、材料发光特性以及存在的能量传递现象.X射线衍射结果表明Sm~(3+)和Eu~(3+)单掺及共掺样品均为单相的Na_2CaSiO_4结构,晶体结构没有改变.Na_2CaSiO_4:Sm~(3+)荧光样品在404 nm激发波长下呈现峰峰值为602 nm的橙红色荧光,来源于~4G_(5/2)→~6H_(7/2)跃迁.Na_2CaSiO_4:Eu~(3+)荧光样品在395 nm激发波长下发射出峰峰值为613 nm的红色荧光.对光谱和荧光寿命的测试和分析结果表明Sm~(3+)与Eu~(3+)之间存在能量传递,通过理论计算得到Sm~(3+)和Eu~(3+)之间的能量传递临界距离为1.36 nm,相互作用形式为电四极-电四极相互作用.随着Eu~(3+)掺杂浓度的增加,能量传递效率也逐渐提高至20.6%.     

MOS电容的热载流子损伤及其与电离辐射损伤的关系

通过对国产加固 N型 MOS电容进行衬底热电子高场注入 ( SHE)及 γ总剂量辐照实验 ,特别是进行总剂量辐射损伤后的热载流子损伤叠加实验 ,从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度研究比较了 MOS结构热载流子损伤特性及与电离辐射损伤的关系。     

PMOS剂量计的退火特性

研究了 PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐照退火表现 .结果表明 :温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素 ,较高退火温度下 ,退火速率高 ,幅度大 ;相同退火温度下 ,正偏置与负偏置相比有加速退火的作用 ,其退火幅度也较大 .在 1 80℃ ,零偏条件下获得了最快的 1 0 0 %的退火效果 ;用模型讨论了实验结果     

油田石油管道油垢厚度测量的实验测量与模拟对比

用实际管道和油垢进行油垢的小角度散射测厚实验,并用MCNP程序在与实际实验相同的几何条件下进行模拟运算来观察在不同的小角度散射情况下,观察散射计数与油垢厚度之间的关系.结果表明:实验与模拟结果符合的良好,特别是在45°入射情况下,实验和模拟的结果中的R2基本上大于0.99,表明45°入射角对于垢厚和散射光子数之间的线性关系是个较好的选择.小角度法测垢是可行的.     

聚四氟乙烯毛细管在线富集分离痕量钌(Ⅲ)及荧光测定

利用碱性条件下聚四氟乙烯毛细管(PTFEtube)对钌-邻菲罗啉具有富集作用,建立了单道流动注射在线富集分离及检测痕量钌的荧光分析法。本方法考察了毛细管壁、流速、pH值、温度及掩蔽剂EDTA、干扰离子等因素对富集效果的影响。当浓缩液pH值为11.8,邻菲罗啉浓度为1×10-4mol/L,浓缩和洗脱速度为3.8mL/min及EDTA的浓度为2×10-2mol/L时,获得最佳结果。在优化的实验条件下,该方法在0~50ng/L范围内呈良好的线性关系,检出限为0.8ng/L(S/N=3);RSD=2.1%(n=3)。     

高灵敏复合光波导在检测臭氧的应用研究

介绍利用高灵敏复合光波导元件检测臭氧的一种新方法以及实验装置和臭氧的响应特征。通过在K^＋交换玻璃光波导表面形成高折射率TiO2（两端带斜坡带状）膜并在其表面上固定色素铜化酞箐（Coppertetra-（t-buthyl）phthalocyanine,TBPcCu）而制成高灵敏度的复合光波导元件。臭氧存在时TBPcCu薄膜被氧化而退色,由此减弱TBPcCu膜对633nm的导波光的吸收。本元件具有响应速度快,灵敏度高和检测极限在0．02mg/m^3等特点。     

氧化镍-铁酸锌复合薄膜/锡掺杂玻璃光波导传感元件的制备及其对硫化氢气体的气敏性

用溶胶-凝胶法制成了NiO掺杂的ZnFe2O4溶胶,并用浸渍提拉法将其固定在锡掺杂玻璃光波导表面,研制了NiO-ZnFe2O4复合薄膜/锡掺杂玻璃光波导气敏元件,并对无机有毒气体进行了检测。 实验结果表明,在室温下,该传感元件对H2S气体具有一定的选择性响应,而对相同浓度的其它无机气体的响应相对较小,能够检测到1.0×10-9（体积比）的H2S气体,其响应和恢复时间分别是6和8 s。 该元件具有灵敏度高、响应-恢复快、可逆性和重复性好、容易制备,在室温下便于操作等特点。     

天然方钠石的近红外发光特性

采用高温固相法制备了天然方钠石近红外发光材料.测定了荧光粉的X射线衍射(X Ray Diffraction,XRD)谱以及室温下的光致近红外发射光谱和激发光谱.在600nm可见光的激发下,天然方钠石粉末中的Mn5+离子(3A2-1E跃迁)发射了主发射峰位于1200 nm的近红外光谱.在500 nm可见光的激发下,该粉末中的Fe2+离子(3T1-5E)发射了主发射峰位于1000 nm的近红外光谱.这种现象对于提高硅太阳能电池的效率可能具有积极意义.     

FOS-μSIA-LOV荧光猝灭法测定头孢拉定胶囊的含量

建立FOS-μSIA-LOV光谱在线过程分析,实现自动化含量测定头孢拉定(RAD)。通过程序编写,元件智能控制,优化实验条件,考察了RAD中的辅料,载液,进样体积等因素。优选条件为:载液吸入体积为500μL;RAD吸入体积为100μL;打出体积的流速为150μL·s~(-1),RAD质量浓度c与ΔF的线性关系为ΔF=812.6c+284(0.05~0.5mg·mL~(-1),r=0.999 5),RSD为4.4%,回收率为101%~103%。通过FOS-μSIA-LOV系统和设定特定检测程序,实现自动化在线过程分析,具有重现性好、节约试剂、省时省力的优点。     

In0.53Ga0.47As/InP量子阱与体材料的1 MeV电子束辐照光致发光谱研究

为获得对In_0.53Ga_0.47As/InP材料在电子束辐照下的光致发光谱变化规律, 开展了1 MeV电子束辐照试验, 注量为 5×10¹²-9×10¹⁴ cm^-2. 样品选取量子阱材料和体材料, 在辐照前后, 进行了光致发光谱测试, 得到了不同结构In_0.53Ga_0.47As/InP材料在1 MeV电子束辐照下的不同变化规律; 对比分析了参数退化的物理机理. 结果显示: 试验样品的光致发光峰强度随着辐照剂量增大而显著退化. 体材料最先出现快速退化, 而五层量子阱在注量达到6×10¹⁴ cm^-2时, 就已经退化至辐照前的9%. 经分析认为原因有: 1)电子束进入样品后, 与材料晶格发生能量传递, 破坏晶格完整性, 致使产生的激子数量减少, 光致发光强度降低; 电子束辐照在材料中引入缺陷, 增加了非辐射复合中心密度, 导致载流子迁移率降低. 2)量子阱的二维限制作用使载流子运动受限, 从而能够降低载流子与非辐射复合中心的复合概率; 敏感区域截面积相同条件下, 体材料比量子阱材料辐射损伤更为严重. 3)量子阱的层数越多, 则异质结界面数越多, 相应的产生的界面缺陷数量也随之增多, 辐射损伤越严重.