PMOS剂量计的稳定性研究

在室温条件下 ,研究了辐照偏置、总剂量和剂量率对 PMOS剂量计辐照剂量记录 -阈电压的稳定性影响 ,观察了辐照后阈电压在不同栅偏条件下的变化趋势和幅度。分析认为慢界面陷阱中电荷的“充放电”是造成不稳定的首要原因。结果表明 ,该种由慢界面态造成的阈电压变化在每次开机测量下具有重复性。讨论了在 PMOS剂量计中提高稳定性的办法。     

MOSFET的热载流子损伤及其退火

对国内常规54HC工艺制作的PMOSFET进行了F-N热载流子注入损伤实验,研究了MOSFET跨导、阈电压等参数随热载流子注入的退化规律,特别是从微观氧化物电荷和界面态变化对阈电压影响角度,对国内外较少见报道的MOSFET热载流子损伤在室温和高温(100°C)下的退火特性进行了研究,并从该角度探讨了MOSFET热载流子注入产生氧化物电荷和界面态的特性。     

维吾尔语四音节元音和谐词的共振峰模式研究

维吾尔语属阿尔泰语系突厥语族,其共振峰频率参数是语音识别和语音合成的重要依据。首次运用实验语音学的基本理论和方法,在“维吾尔语语音声学参数数据库”的办公环境语料条件下,对维吾尔语四音节元音和谐词进行了统计分析,给出了维吾尔语元音共振峰频率参数和分布规律,并通过四音节元音和谐词实验结果,用实验数据验证了其共振峰频率分布的口耳之学规律。为参数式或波形拼接式语音合成系统中调整合成前的元音和谐问题提供了重要的参考依据。     

双极晶体管的低剂量率电离辐射效应

通过对npn管和pnp管进行不同剂量率的电离辐射实验,研究了双极晶体管的低剂量率辐射效应.结果表明,双极晶体管在低剂量率辐照下电流增益下降更为显著,这是由于低剂量率辐照在氧化层中感生了更多的净氧化物正电荷浓度,致使低剂量率下过量基极电流明显增大.而辐照后npn管比pnp管具有更大的有效表面复合面积,致使前者比后者有更大的表面复合电流,从而导致了在各种剂量率辐照下,npn管比pnp管对电离辐射都更为敏感.     

双极晶体管的低剂量率电离辐射效应

通过对 npn 管和 pnp 管进行不同剂量率的电离辐射实验,研究了双极晶体管的低剂量率辐射效应.结果表明,双极晶体管在低剂量率辐照下电流增益下降更为显著,这是由于低剂量率辐照在氧化层中感生了更多的净氧化物正电荷浓度,致使低剂量率下过量基极电流明显增大.而辐照后npn管比pnp管具有更大的有效表面复合面积,致使前者比后者有更大的表面复合电流,从而导致了在各种剂量率辐照下,npn管比pnp管对电离辐射都更为敏感.     

基于规则的维吾尔地名识别

总结了维吾尔地名结构及其特点,并结合维吾尔地名内部结构特征,手动建立了基于新疆维吾尔自治区的地名词典库、首词库、中间词库和特征词库,研究了基于规则的维吾尔语地名识别方法和技术。以包含地名的较大规模维吾尔文本作为测试样本,利用地名内部结构和相邻词信息,通过匹配算法进行了地名识别,并用Visual C＋＋编程工具实现了维吾尔语地名识别算法。最后,给出了实验结果,并分析了出错原因及相应的对策。     

预先老化对注F nMOS器件辐射可靠性的影响

对注F和未注F CC4007器件在100℃高温老化后的Co60辐照特性进行了研究.研究发现辐照前的高温老化减少了注F器件在辐照中的界面态陷阱电荷的积累,但是普通器件辐照前的高温老化在减少辐照中界面态积累的同时却增加了氧化物电荷的积累,损害了器件的可靠性.可见,栅介质中F离子的引入可以明显提高器件的可靠性.     

完全图Kronecker积的一些点脆弱性参数(英文)

设G1和G2是两个图.G1和G2的Kronecker积G1×G2具有顶点集V(G1×G2)=V(G1)×V(G2),边集为E(G1×G2)={(u1,v1)(u2,v2):u1u2∈E(G1)且u1u2∈E(G1)}.在本文中,我们确定了两个完全图的Kronecker积Km×Kn(n≥m≥2且n≥3)的一些点脆弱性参数.     

双极器件和电路的不同剂量率的辐射效应研究

对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究。结果表明:在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且NPN管比PNP管明显。双极运算放大器的研究结果显示:不同电路间的辐照响应差异很大,对有些电路而言,剂量率越低,损伤越大。有些电路虽有不同剂量率的辐照损伤差异,但这种差异可通过室温退火得到消除,因而只是时间相关的效应。文中对引起双极器件辐照损伤差异的机理进行了探讨。