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21.
血糖近红外光谱分析的Savitzky-Golay平滑模式与偏最小二乘法因子数的联合优选 总被引:8,自引:1,他引:7
利用偏最小二乘法(PLS)和光谱Savitzky-Golay(SG)平滑方法,建立血清葡萄糖近红外光谱分析的优化模型。基于最优单波数模型的预测效果,提出划分校正集和验证集的一种新方法。采用10000~5300cm-1和4920~4160cm-1的组合波段,光谱经过SG平滑处理,利用PLS方法建立定标预测模型。将平滑点数扩充为5,7,…,87(奇数),多项式次数扩充为n=2,3,4,5,6,得到包含582个平滑模式的14个平滑系数表。对所有平滑模式和PLS因子数(1~40)分别建立PLS模型。按照预测效果进行优选,得到最优SG平滑模式为1阶导数平滑,3、4次多项式类型,SG平滑点数为53,最优PLS因子数为7,最优RMSEP达到0.376mmol/L。所采用的划分校正集和验证集的方法、SG平滑模式的扩充、SG平滑模式和PLS因子数的联合大范围筛选能够有效地应用于近红外光谱分析的模型优化。 相似文献
22.
本文设计了一个适用于X 波段的大功率行波管输能系统的阶梯波导变换器,编写了Matlab 程序,用电磁仿真软件HFSS 对计算结果进行了仿真,结合文献资料比较了理论计算结果,证明其正确性。在设计方面,编写了节数从1 至6 皆可使用的多段阻抗变换器的程序,在仿真建模方面力求通用快捷。 相似文献
23.
从2009年5月开始的"首届时代民芯杯电子设计大赛"随着一年期满正式落幕.在落幕的同时,第二届时代民芯电子设计大赛也正式开始,与第一届采用8位MCU开发有所不同,第二届大赛将采用32位MCU进行设计,我们似乎也看到国内设计公司正在稳定成长的脚步. 相似文献
24.
文章用提拉法生长出Li6Gd(BO3)3:Ce晶体,并对其光谱性能与发光过程进行了探索. 借助于真空紫外-紫外透过光谱测试,发现晶体的透过光谱中存在Ce3+离子和Gd3+的特征吸收峰,同时还存在与Ce4+离子相关的电荷迁移带. 对晶体的真空紫外-紫外激发发射光谱进行研究发现,在晶体存在着Ce3+离子的5d→4f辐射跃迁发光与Gd3+离子的4f→4f辐射跃迁发光,而且存在着Gd3+→Ce3+之间的能量传递. 对Li6Gd(BO3)3:Ce晶体的X射线与γ射线激发发射光谱研究可知,晶体在高能射线激发下的闪烁光主要是Ce3+离子的发光.
关键词:
6Gd(BO3)3:Ce晶体')" href="#">Li6Gd(BO3)3:Ce晶体
真空紫外-紫外透过光谱
真空紫外-紫外激发发射光谱
能量传递 相似文献
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虚拟显示器投入应用需要全色VGA分辨率。本文阐述了基于LED的虚拟显示技术的新发展,其性能已达到所需的要求。该技术的进步在于采用了GaN和AlGaAsLED复合阵列,并将GaNLED阵列和开关控制的彩色光栅结合使用,利用光栅分别从单个LED阵列获得蓝色和绿色图像组份。讨论了新的VGA显示器设计以推动该产品早日问世。 相似文献
26.
求新,求变,已经成为时下各手机厂商“求生守则”的第一条,在中国市场打拼多年的LG更是深谙此道。继进军GSM市场的G7030于前不久推出后,LG在自己擅长的CDMA市场上继续跟进,又推出了一款专为年轻时尚女性量身定做的6360。 相似文献
27.
在使用基于高频开关变换充电技术的充电机对脉冲电源充电时,由于充电回路中分布电感的存在,在高频电流充电过程中,会在充电机T型保护回路两端产生高于充电电压的过电压,存在损坏T型保护回路半导体功率器件的风险;为解决此问题建立充电机及脉冲电源回路仿真模型,通过仿真分析得到充电回路分布感变化对T型保护回路影响的初步规律,然后通过实验进一步验证该规律。为了减少充电回路分布电感对T型保护回路影响,针对性地提出了减少充电回路的分布电感解决方案,主要方法是改变输出线缆类型、长度等措施,并通过仿真与实验来验证该方案的有效性,为脉冲电源工程化应用提供可靠的参考依据。 相似文献
28.
有网民对王建宙做了一条很精辟的总结,那就是"言必称iPhone"。10月24日,中国移动董事长王建宙高调放话:"尽管未与苹果签署协议,但中国移动已有1000万iPhone用户。"如果笔者没有记错,这已是王建宙连续多次露面并对外公布中国移动的iPhone用户数。从2007年iPhone上市以来,中国移动与苹果合作的传言一直十分暧昧,让人们觉得似乎要瓜熟蒂落时,王建宙忙着出面否认, 相似文献
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一九八○年以来,各公司在国际固体电路会议上发表了256k动态随机存储器(DRAM)样品。大量生产256k是否有可能,首先要推断出它的芯片尺寸。如果采用300密尔的双列直插式封装,长边就为9mm、短边就在5mm以下,最大芯片面积只能是45mm~2左右。另外,还受芯片成本的限制。每块大圆片上的芯片数与芯片面积成反比。决定芯片好坏的缺陷在每块单位面积的缺陷密度相同的情况下则与芯片面积成正比。因 相似文献
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