用脉冲腐蚀制备发光多孔硅

采用脉冲腐蚀方法，研究多孔硅的动态腐蚀过程，测定了动态电流和时间的关系，提出并讨论了动态腐蚀机理．用脉冲腐蚀制备得到发光多孔硅，与直流腐蚀相比较，脉冲腐蚀能得到均匀性更好、发光更强的多孔硅，而且ＰＬ峰位有一定的蓝移，我们认为脉冲腐蚀是一种更优秀的制备方法，并对此作了初步的讨论．     

静电场与非共振脉冲激光电场共同作用下分子取向的机制

本分析了静电场与非共振的线偏振激光脉冲电场共同作用下分子取向的机制，发现如果激光脉冲足够宽，当激光光强确定后，脉冲的形状对分子取向起着决定性的作用。中进一步挖掘了这种现象背后分子取向的机制，得出了获得高效分子取向的必要条件，并建议将所得的结论应用于短脉冲下的‘postpulse orientation’。     

在织构Ni衬底上用电子束蒸发沉积YSZ阻挡层

用轧制及再结晶方法制备了高度立方织构的金属Ni(镍）基带。采用电子束蒸发的方法在几个厘米长的Ni基带表面上生长YSZ（钇稳定二氧化锆）阻挡层。X射线衍射分析表明，YSZ层具有纯c轴取向和良好的平面内取向及立方织要。扫描电镜观察表明，YSZ阻挡层连续致密无裂纹。     

多孔硅的电致发光

９０年代安发展起来的发光多孔硅材料在发光的全色性，电致发光的效率以及稳定性等方面取得不少重要进展。介绍了几种多孔硅发光二极管结构及有关的电致发光机理，从共进展的速度以及目前已达量子效率＞１０＾－＾４的水平来看，其进入实际应用的前景是乐观的。     

低温湿氧氧化提高多孔硅发光的稳定性

用低温湿氧氧化方法对多孔硅进行后处理,获得了光致发光强度强、发光稳定的样品,顺磁共振谱表明这种样品表面的悬挂键密度较小,通过对样品红外光谱的测试和分析,指出SiH(O₃),SiH(SiO₂),SiH₂(O₂)结构的产生是实验中多孔硅稳定性提高的原因. 关键词：     

邮电部电话交换技术专业情报网第21次交流会暨第5次全网大会在成都召开

邮电部电话交换技术专业情报网第２１次交流会暨第５次全网大会在成都召开邮电部电话交换技术专业情报网第２１次交流会暨第５次全网大会于６月２１～２４日在四川省成都市召开，参加会议的代表有部情报所交流处处长孟凡胜、副处长杨青，上海省局科技处处长傅惠霖，部上海...     

圆片处理系统

随着微电子学应用的进一步扩大,半导体集成电路的发展趋势必然是VLSI化。一般说来,提高半导体集成电路的集成度,应开展象图1那样的图形微细化。但是,要实现图形微细化必需克服种种困难。其中最重要的是,正确地形成微细图形和提高检测成品率。     

有关星象函数的一族解析函数

本文分为两部分.第一部分讨论圆|z|<1中的解析函数 gλ(z)=λf(z)+(1—λ)zf′(z),其中0≤λ≤1,而f(z)适合利用Schwarz引理,对于gλ(z)的一些有关数量作了估值.第二部分研究 g(z)=1/2(f(z)+zf′(z))的开始多项式.对于某些星象函数f(z),求得g(z)的开始多项式的单叶半径、星象半径及凸象半径.