口吐莲花

写碟评时间长了,会发觉写手竟然有了口吐莲花的本事,而且能吐出套路来,比如由讣告和八卦新闻入手,其中心无论是切里比达其还是陈宝莲;八股型碟评则由于要迎合唱片商的合理需要,行文即由言叙论入平稳文章,举"书"(〈AUDIOPHILE〉、〈TAS〉)"经"(〈唱片圣经〉)之例,套港台恶捧之套话,洋洋洒洒倒也好看却欠咬头.要么就是阿宝背书,第一首是何是何,接下来如此如此,再其次又是怎样怎样,一张唱片听完文章就出来了,应和了眼下不追求中心思想的小学语文教学思想,也让所有看官产生了非我莫愚的想法.     

正确的色彩还原

电视台演播厅的视频录制系统都是由多台摄像机组成多通道的视频系统。在演播厅中所录制的节目通常都是较重要的大型节目,对图像还原的要求较高,尤其是色彩的还原,且要求各台摄像机的还原保持一致。从对拍摄出的图像画面的主观观感上讲,判断色彩还原正确与否的唯一标准是人的肤色,这是灯光师和调像师工作中要始终注意的。能否得到色彩逼真且合乎技术规范的画面,这是由多方面因素综合决定的,如舞台的布光布景,人员的化妆,摄像机的性能及调整等等。     

硅锗分子束外延层表面形貌的扫描隧道显微镜研究

本文用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）在大气环境中对硅分子束外延生长的一系列样品表面进行了形貌研究．在实空间观测到硅衬底上异质外延生长锗的初期表面形成锗岛，在检测外延生长层表面质量方面对反射式高能电子衍射（ＫＨＥＥＤ）和扫描隧道显微镜进行了比较．     

在自旋极化X_α交换近似下类氦离子振子强度的过渡态计算

本文是文献[1]工作的继续,旨在通过对类氦离子单重态跃迁与三重态跃迁振子强度系统的计算鲜明地体现出自旋极化过渡态X_a方法的优点。表1列出LiII、BeIII、BIV、CV、NVI、OVII等六种轻类氦离子的~1S—~1P、~3S—~3P、~1P—~1D等各类跃迁的振子强度值,结果与Wiese列表值很好地符合:对于表列各种离子,两种结果的平均相对偏离大致在2～10％之间。这再一次表明,过渡态X_a方法超出了弛豫意义本身而部分地计入了关联。我们看到,随着原子序数的增加,这种偏离呈现减小的趋势。     

ORDER ALLOY IN GexSi1-x/Si(100) STRAINED-LAYER SUPERLATFICES

The Ge_xSi_1-x/Si(100) strained-layer superlattices have been investigated by means of the transmission electron microscopy of the cross-sectional specimen (XTEM) and the high resolution electron microscopy (HREM), The order alloy with a period of modulation twice as large as the lattice constant along <100> zone axis has been found in the alloy layers of the superlattices with x≈0.4-0.5. This order struc-ture makes the superlattices inhomogeneously strained. The result of the compuler simulation shows that the order alloy exhibits an altemating stack of 2 monolayers of Ge atoms and 2 monolayers of Si atoms along the <100> zone axis. Thc calculated elastic strain energy of the disorder alloy reported in the litera-ture is very close to that of the order alloy along <100> zone axis. Thus, during the MBE growth of the alloy layers, both the disorder and order alloys can be formed along <100> zone axis.     

InP(100)与(111)面的特征能量损失谱

用能量为300eV的入射电子测量了InP(100)与(111)面的电子能量损失谱,识别了能量损失为15.2eV的峰对应于InP的体等离子体损失,11.7eV和8.7eV 的两个峰分别由In的体和表面等离子体损失所引起.用费米能级以上1.8 eV和 4.0eV处存在两个空态.解释了19.3eV、20.2eV、22.7eV,3.8eV和 6.0eV 几个损失峰分别对应于从In 4d芯能级和价带到上述空态的跃迁.In的体和表面等离子体损失峰的存在说明表面形成了In岛.根据同纯In样品损失谱强度的比较,估计了表面In岛所占的面积.表面In岛是氩离子刻蚀所造成,经过退火,In岛所占面积缩小,但厚度增大.InP(100)表面形成的In岛比(111)表面更不易消除.     

劳勃生的特殊星像函数和特殊凸像函数

<正> 设函数w在单位圆 E_z:|z|<1上是正则的.假如f(z)在 E_z上是单叶的,那末 D_f=f(E_z)是 w 平面上单叶的区域.记这种单叶函数f(z)的全体为 S_p,S_1=S.若 D_f 以原点 w=0 为星形中心,就是说若 w_0∈D_f则缐段■整个地落在区域 D_f 中,称这种函数 f(z)是 E_z 中的星像函数,其特徵是在 E_z     

1957年國際高分子化學討論會

作者等应邀参加了1957年国际高分子化学讨论会。会上所宣读的输文及专题报告牵涉到的范围很广,包括天然和合成有机和无机高分子化合物的化学、物理化学和物理各个方面。作者等僅参加了一部分。下面就一般情况和作者等分别参加的几个组的内容,分四个部分,向读者汇报。     

在水溶液中电化学反应制备大面积聚吡咯膜

以不锈钢为电极,在吡咯水溶液中,经电化学聚合制备了大面积的聚吡咯薄膜。研究了反应电流密度、反应温度、对阴离子种类和浓度等因素对成膜性能及电导率的影响。选择合适的反应条件,可得到电导率为120Scm~(-1)、抗拉强度46MPA、模量为1.75GPA的聚吡咯膜。     

基团贡献法研究环型聚苯乙烯稀溶液流体力学参数

首次采用基团贡献法,根据内聚能、摩尔体积、摩尔吸引常数和临界特性粘数等分别计算并通过实验数据验证了环型和线型聚苯乙烯的溶度参数,特性粘数、摩尔极限粘数函数、临界分子量和Mark-Houwink参数,详细地讨论了计算大环高分子的K_(θ,r)值所取用的临界分子量应具有的理论意义。