GaP衬底上分子束外延Si时P偏析的抑制

用Si分子束外延技术在GaP(111)衬底上生长Si时,发现Si外延层表面存在P偏析,根据俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED)在一系列不同实验条件下的结果,本文对P偏析产生的机制、外延层表面再构与P偏析之间的关系作了分析和讨论,得出偏析主要来自外延Si原子与衬底P元素之间的相互交换。在此基础上提出了一种能有效地抑制P偏析同时又改善外延层质量的新的Si/GaP(111)异质结制备方法。 关键词：     

分布电感对脉冲电源充电T型保护回路的影响

在使用基于高频开关变换充电技术的充电机对脉冲电源充电时,由于充电回路中分布电感的存在,在高频电流充电过程中,会在充电机T型保护回路两端产生高于充电电压的过电压,存在损坏T型保护回路半导体功率器件的风险;为解决此问题建立充电机及脉冲电源回路仿真模型,通过仿真分析得到充电回路分布感变化对T型保护回路影响的初步规律,然后通过实验进一步验证该规律。为了减少充电回路分布电感对T型保护回路影响,针对性地提出了减少充电回路的分布电感解决方案,主要方法是改变输出线缆类型、长度等措施,并通过仿真与实验来验证该方案的有效性,为脉冲电源工程化应用提供可靠的参考依据。     

王建宙为何言必称iPhone

有网民对王建宙做了一条很精辟的总结,那就是"言必称iPhone"。10月24日,中国移动董事长王建宙高调放话:"尽管未与苹果签署协议,但中国移动已有1000万iPhone用户。"如果笔者没有记错,这已是王建宙连续多次露面并对外公布中国移动的iPhone用户数。从2007年iPhone上市以来,中国移动与苹果合作的传言一直十分暧昧,让人们觉得似乎要瓜熟蒂落时,王建宙忙着出面否认,     

酷6不堪亏损放弃长视频 期待“芭乐”盈利如雾里看花

相对于跻身“自制内容”战场的其他视频网站,酷6宣布转型视频2．0让人眼前一亮,然而。对“盈利春天”的渴望却也迫使它在持续“烧钱”的恶战中越陷越深     

告诉你三种说话应对技巧

面对情绪激昂的对手,没有道理可讲。对于进人忘我境界的他们,最有效的方法是躲到旁边,巧妙地摆脱对方,而不是与其正面冲突。     

上网安全防护经典四问

PCShopper为服务读者特别开辟的“问与答”专栏自开办以来,深得广大读者的喜爱和支持,本期从读者来函中挑选了上网安全技巧方面的几个问题,以期通过汇总后的答疑解惑,给您一个安心、放心的网络环境。     

原子极化率计算中的核实极化效果

本文引入核实极化势考虑了价电子与核实电子之间的关联效应,从而对Hatree—Fork微扰方程进行了修正。应用此方法,我们计算了碱土原子Be到Ba以及稀土原子Yb的极化率.得到了与实验符合的结果。这些结果是6.07,11.14,24.02,30.54,45.32和30.15A(?)。其中,Yb的结果,是本文首次报告的。原子和分子的偶极极化率是一个重要的物理参量。它在原子碰撞中(尤其是低能碰撞)起决定性作用。它也是决定量子亏损,核屏蔽效应的重要物理参量。所以精确地计算原子的极化率是非常必要的。我们在耦合的Hatree-Fock微扰论的基础之上,引入核实极化这一物理效应,建立了一种较简捷而有效的引入关联的微扰方法,计算了Be、Mg Ca、Sr、Ba及Yb原子的偶极极化率,取得了与实验数据相符的结果。与其他作者的结果相比较,有显著的改进。其中,对原子Yb,我们首次报告了较精确的结果.     

用脉冲腐蚀制备发光多孔硅

采用脉冲腐蚀方法，研究多孔硅的动态腐蚀过程，测定了动态电流和时间的关系，提出并讨论了动态腐蚀机理．用脉冲腐蚀制备得到发光多孔硅，与直流腐蚀相比较，脉冲腐蚀能得到均匀性更好、发光更强的多孔硅，而且ＰＬ峰位有一定的蓝移，我们认为脉冲腐蚀是一种更优秀的制备方法，并对此作了初步的讨论．