人原发性肝癌中的转甲状腺素蛋白(Transthyretin)基因

本文从人正常肝对原发性肝癌的递减式cDNA文库(Subtracting cDNA libra-ry)中筛选出pG8cDNA克隆.Northem杂交证明它在正常肝中高度转录,而在9例肝癌中转录严重受阻遏.9例肝癌DNA MspI酶切杂交信号提示,4例肝癌中该基因存在部分DNA片段的丢失.在另7对肝癌及癌旁组织样本中,有4例肝癌中该基因同样存在部分片段丢失.cDNA序列分析证明它与转甲状腺素蛋白(Transthyretin,TTR)基因的编码区全部同源.本文首次报道了在人肝癌中TTR基因转录严重受阻遏及在基因结构上可能存在丢失或缺陷,提示TTR基因可能是人肝癌中基因缺陷的一个标记或抗癌基因之一.     

也谈几何计数问题的规律探讨

《中学生数学》2001年第7月上期刊登了广东惠州一位中学生的文章,对凸n边形对角线分割线段进行了“规律探讨”.这种探讨的成功之处仅在于:从“凸十边形”向“凸n边形”的推进(从特殊到一般).而就“规律探讨”而言,还留下了许多话题,还有更多的“规律”可以继续“探讨”.本文只是这种“继续”的一部分,让我们从文[1]的两点不足说起.先看题目:     

Ge_（0．5）Si_（0．5）／Si应变层超晶格材料退火稳定性的X射线双晶衍射研究

本文通过Ｘ射线双晶衍射和计算机模拟摇摆曲线方法研究了在Ｓｉ（００１）上生长的ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ（ｘ≈０．４６）应变层超晶格在不同退火条件下的稳定性和结构变化，结果表明：在退火过程中，应变层发生了应变弛豫，其弛豫时间常数与退火温度有关，弛豫的激活能为０．５５ｅＶ．同时，退火过程中超晶格的层与层之间发生了互扩散，直至为均一成份的合金层，平均扩散激活能为２．７ｅＶ，９５０℃时的扩散系数ＤＴ＝９５０℃＝１．１e－２０ｍ２／ｓ．在退火过程中外延层的晶体完整性明显下降．     

PCShopper问与答

为服务读者,PCShopper特别开辟“问与答”专栏,不定期从读者来函中挑选具有代表性的问题,由编辑部撰写答案,希望以较快的效率解决各位采购和使用电脑时遇到的问题和疑虑。特别强调,只要是众编辑力所能及,我们会倾力回答各种问题,恭请您的信函询问,谢谢。     

改进的本征态展开方法求解含时薛定谔方程

本文改进了原有的本征态展开方法.通过从能量E到q=( )2E的表象变换,不仅准确地计算了在此方法中起重要作用的低能电子布居,而且大幅度地减少了计算时间.利用这个高效的方法,我们计算了在强激光作用下一个模型原子的高次谐波发射谱.     

用分子束外延在多孔硅衬底上外延单晶硅来实现SOI结构

用 HF溶液对单晶Si片进行阳极化处理,形成多孔 Si.将多孔Si衬底放入超高真空室在小剂量的Si原子束辐照下进行加热处理,在较低温度下(725—750℃)获得了清洁有序的表面.用分子束外延在多孔Si上生长了1-2μm的单晶Si膜,其卢瑟福背散射沟道产额极小X_(min)<3％,表明外延膜的单晶性能良好.SOI结构已通过随后的侧向氧化多孔Si层获得.     

溴到铷的类钠离子能级辐射跃迂几率和能级寿命

本文在多组态Dirac-Fock(MCDF)理论框架下计算了水窗波段(λ:23.3～43.8A,相当于Z:34～46)的溴到铷的类钠离子1s~22s~22p~6nlj(n=3～15,l=0～6)各能级能量及各能级n_il_ij_i—n_kl_kj_k(n_i≤6,n_h≤15)间的电偶极辐射跃迁几率,并由此得出可能产生软X射线激光跃迁(4f-5g,4d-5f,4f-6g,4d-6f)的激光上能级的寿命,把计算得到的跃迁波长与实验测量值进行比较,其相对误差小于0.35％。     

一种新的混沌同步及保密通信方式

本文提出一种新的混沌同步及保密通信方式。在发送端，将信息信号与混沌载波的和经取模运算后再嵌入混沌动力系统的迭代之中以实现调制；在接收端，用一个相应的非动力学系统从接收信号中提取混沌载波并进而恢复信息信号。研究表明，该混沌同步方式具有较强的抗干扰能力并且实现容易；该保密通信系统保密性能良好。     

GaP衬底上分子束外延Si时P偏析的抑制

用Si分子束外延技术在GaP(111)衬底上生长Si时,发现Si外延层表面存在P偏析,根据俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED)在一系列不同实验条件下的结果,本文对P偏析产生的机制、外延层表面再构与P偏析之间的关系作了分析和讨论,得出偏析主要来自外延Si原子与衬底P元素之间的相互交换。在此基础上提出了一种能有效地抑制P偏析同时又改善外延层质量的新的Si/GaP(111)异质结制备方法。 关键词：     

分布电感对脉冲电源充电T型保护回路的影响

在使用基于高频开关变换充电技术的充电机对脉冲电源充电时,由于充电回路中分布电感的存在,在高频电流充电过程中,会在充电机T型保护回路两端产生高于充电电压的过电压,存在损坏T型保护回路半导体功率器件的风险;为解决此问题建立充电机及脉冲电源回路仿真模型,通过仿真分析得到充电回路分布感变化对T型保护回路影响的初步规律,然后通过实验进一步验证该规律。为了减少充电回路分布电感对T型保护回路影响,针对性地提出了减少充电回路的分布电感解决方案,主要方法是改变输出线缆类型、长度等措施,并通过仿真与实验来验证该方案的有效性,为脉冲电源工程化应用提供可靠的参考依据。