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在硅(Si)上外延生长高质量的砷化镓(GaAs)薄膜是实现硅基光源单片集成的关键因素。但是,Si材料与GaAs材料之间较大的晶格失配、热失配等问题对获得高质量的GaAs薄膜造成了严重影响。本文利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术开展Si基GaAs生长研究。通过采用三步生长法,运用低温成核层、高温GaAs层与循环热退火等结合的方式,进一步降低Si基GaAs材料的表面粗糙度和穿透位错密度。并利用X射线衍射(XRD)ω-2θ扫描追踪采用不同方法生长的样品中残余应力的变化。最终,在GaAs低温成核层生长时间62 min(生长厚度约25 nm)时,采用三步生长、循环热退火等结合的方式获得GaAs(004)XRD摇摆曲线峰值半高宽(FWHM)为401″、缺陷密度为6.8×10^(7) cm^(-2)、5μm×5μm区域表面粗糙度为6.71 nm的GaAs外延材料,在材料中表现出张应力。 相似文献
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精彩观点集锦:◆树立行管大目标观念,通过营造良好的市场竞争环境,实现电信业的和谐发展;树立信息大行业观念。促进电信业在推进信息化中实现协调发展;树立通信大服务观念,推进电信业在转型中实现可持续发展。 相似文献
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大唐移动作为设备制造商,同时又是标准提出者,很容易让人联想到高通公司。但是高通的独特商业模式是很难复制的,大唐移动不可能成为中国的高通。 相似文献
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